美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：FMMT458 编号：C5245502

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。高连续集电极电流：IC = 225mA。峰值脉冲电流：ICM = 1A。功耗：500mW。高达100mA的出色hFE特性。互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

1+
￥5.49
10+
￥4.53
30+
￥4.05

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型号：FZT851QTA 编号：C526634

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。集电极连续电流高，Ic = 6A。脉冲峰值电流，ICM = 20A。低饱和电压，VCE(sat) < 100mV @ 1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定，高增益保持。互补PNP类型：FZT951。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949认证的工厂生产

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￥5.71
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￥5.58
30+
￥5.49

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型号：FMMT720 编号：C5245601

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

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￥6.11
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￥5.03
30+
￥4.5

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型号：DXTN07100BP5-13 编号：C5245637

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。高连续集电极电流：IC = 2A。峰值集电极电流：ICM = 6A。 PD 高达 3.2W。比 SOT223 小 43%，比 TQ352 小 69%。最大高度仅 1.1mm。应用：使用射极跟随器的电压调节器。 DC-DC 转换器

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￥7.05
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￥6.91
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￥6.81

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型号：MJD41CQ-13 编号：C19950367

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

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￥7.25
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￥7.1
30+
￥7

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型号：DXT2014P5-13 编号：C526603

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：比SO/T223小43%；比TO252小60%。最大高度：1.1mm。额定功率高达3.2W。集电极-发射极电压（VCEO）：-140V。连续集电极电流（IC）：-4A；峰值脉冲电流（ICM）：-10A。低饱和电压。应用：SLIC DC-DC转换器

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￥7.46
10+
￥7.3
30+
￥7.2

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型号：DXTP22040DFGQ-7 编号：C6234292

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。小尺寸热效率封装，可实现更高密度的终端产品。连续集电极电流 IC =-2A。峰值脉冲电流 ICM =-3A。低饱和电压 VCE(sat) <-320mV @-1A。互补 NPN 类型：DXTN22040DFGQ。应用：高端开关。供电线路开关

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￥7.55
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￥7.4
30+
￥7.31

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型号：FZT491AQTA 编号：C5249009

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

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￥8.19
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￥8.01
30+
￥7.9

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型号：ZTX1149A 编号：C7131721

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

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￥9.68
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￥8.26
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￥7.48

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型号：ZTX649STZ 编号：C5843381

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：25V VCEO。 2A连续电流。低饱和电压。总功率（Ptot） = 1W。应用：电机驱动器。 DC-DC转换器

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￥9.9
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￥9.71
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￥9.58

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型号：ZTX694BSTZ 编号：C460118

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：120V。集电极电流（IC）为200mA时，增益为400。极低的饱和电压。应用：达林顿管替代。继电器/螺线管驱动器

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1+
￥10.04
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￥9.85
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￥9.73

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型号：ZDT6718QTA 编号：C17462773

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

1+
￥17.96
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￥17.6
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￥17.36

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型号：FMMT411TD 编号：C5641110

封装：SOT-23(TYPEDN)

品牌：DIODES(美台)

1+
￥27.17
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￥26.61
30+
￥26.23

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型号：MMST3904Q-7-F 编号：C3200336

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小型表面贴装封装。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑。绿色器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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￥0.3317
50+
￥0.3252
150+
￥0.3208

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型号：BC807-40Q-7-F 编号：C460677

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：理想适用于自动插入。外延平面芯片结构。有互补NPN类型（BC817）。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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单价：
￥0.192384 / 个

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型号：DCP69A-13 编号：C3199816

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS合规。 “绿色”器件

5+
￥0.4747
50+
￥0.4653
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￥0.4591

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型号：ZXT10P20DE6TA 编号：C3196903

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。连续集电极电流 Ic = -2.5A。峰值脉冲电流 Icm = -6A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 96mΩ。低饱和电压（-220mV 最大 @ 1A）。高达 6A 电流增益保持特性。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

5+
￥0.5259
50+
￥0.5156
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￥0.5087

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型号：BCP5310TA 编号：C3199817

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V,-60V &-80V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

5+
￥0.7528
50+
￥0.7354
150+
￥0.7239

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型号：BCP5616TC 编号：C3025205

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于音频驱动和输出级。高集电极电流和低Vce(sat)

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5+
￥0.8038
50+
￥0.643
150+
￥0.5626

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型号：DSS5220T-7 编号：C3200031

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。 IC = -2A 连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -150mV @ -1A。 RCE(sat) = 113mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

单价：
￥0.582648 / 个

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型号：DSS30101L-7 编号：C3200033

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于中功率放大和开关。超低集电极-发射极饱和电压。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准。 “绿色”器件。 ESD等级：400V-MM，8KV-HBM

5+
￥1.1037
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￥1.0817
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￥1.067

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型号：BSR43QTA 编号：C526481

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 80V。 IC = -1A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 250mV @ 150mA。互补型 BSR33。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

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5+
￥1.35
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￥1.323
150+
￥1.305

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型号：ZUMT720TA 编号：C7398684

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。 1A 峰值脉冲电流。高达 1A（脉冲）的出色 HFE 特性。低饱和电压。低等效导通电阻；Rce(sat)。应用：DC-DC 转换器中的升压功能。电机驱动功能

1+
￥1.48
10+
￥1.45
30+
￥1.43

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型号：FMMT718TC 编号：C3200004

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。IC = -1.5A 连续集电极电流。ICM = -6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -1A。RCE(SAT) = 97mΩ 低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

1+
￥1.54
10+
￥1.51
30+
￥1.49

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型号：DNLS160-7 编号：C460715

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型（DPLS160）。表面贴装封装，适合自动组装。无铅/RoHS合规。 “绿色器件”。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

1+
￥1.68
10+
￥1.65
30+
￥1.63

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型号：MJD31CQ-13 编号：C5245661

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 专为满足汽车应用的严格要求而设计。

1+
￥1.87
10+
￥1.83
30+
￥1.8

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型号：DMMT5551S-7-F 编号：C2931254

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于低功率放大和开关。本质匹配的NPN对。 HFE、VCE(SAT)、VBE(SAT)匹配公差为2%。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

1+
￥1.97
10+
￥1.93
30+
￥1.9

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型号：ZXT10P40DE6TA 编号：C3200271

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流 IC = -2A。峰值脉冲电流 ICM = -4A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 105mΩ。在 -1A 时，低饱和电压 < -220mV。高达 -6A 的 HFE 特性，用于高电流增益保持。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

1+
￥2.09
10+
￥2.05
30+
￥2.02

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型号：BC847BTQ-7 编号：C5248613

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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￥2.11
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￥2.08
30+
￥2.05

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型号：DXTN07060BFG-7 编号：C5245636

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。小尺寸热效率封装。支持更高密度的终端产品。高连续电流 IC = 3A。峰值脉冲电流 ICM = 6A。低饱和电压 VCE(SAT) < 250mV @ 1A。应用：负载开关。线性稳压器

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￥2.14
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