美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：BVCEO > 45V。高连续集电极电流：IC = 800mA。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 100mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

5+
￥0.6888
50+
￥0.675
150+
￥0.6658

有货

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型号：DSS5220T-13 编号：C5245531

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。 IC = -2A 连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -150mV @ -1A。 RCE(sat) = 113mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.7514
50+
￥0.7368
150+
￥0.7272

有货

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型号：BC857A-7-F 编号：C460181

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

数据手册

1+
￥0.7533
10+
￥0.7383
30+
￥0.7284

有货

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型号：FMMT589TA 编号：C443645

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 IC = -1A 连续集电极电流。 ICM = -2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -350mV @ -1A。 RSAT = 250mΩ，等效导通电阻低。互补 NPT 类型。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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5+
￥0.7561
50+
￥0.7404
150+
￥0.73

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型号：FMMTL717TA 编号：C150448

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCBO > -12V。连续集电极电流 Ic = -1.25A。峰值脉冲电流 Icm = -4A。低饱和电压 VCE(sat) < -240mV @ -1A。 RCE(SAT) = 160mΩ，低等效导通电阻。功率耗散 500mW。 hFE 特性高达 -3A，高电流增益保持。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性。具备 PPAP 能力

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5+
￥0.7768
50+
￥0.7603
150+
￥0.7493

有货

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型号：BC857BLP-7B 编号：C42449108

封装：DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V。高集电极电流：IC =-100mA。功率耗散：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可降低板外轮廓。互补NPN类型：BC847BLP。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

5+
￥0.8009
50+
￥0.7835
150+
￥0.772

有货

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型号：FMMT491AQTA 编号：C460210

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续集电极电流 Ic = 1A。峰值脉冲电流 Icm = 2A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。功耗 500mW。 hFE 特性高达 2A，以保持高电流增益。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力

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5+
￥0.8054
50+
￥0.7893
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￥0.7786

有货

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型号：2DB1386R-13 编号：C460640

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。 IC = -5A，高连续电流。低饱和电压VCE(sat) < -1V @ -4A。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

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5+
￥0.817
50+
￥0.8006
150+
￥0.7897

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型号：ZUMT617TA 编号：C5245558

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：功率耗散：500mW。连续集电极电流：1.5A。峰值脉冲电流：5A。高达5A（脉冲）时具有出色的HFE特性。极低的等效导通电阻：Rce(sat)。应用：DC-DC转换器升压功能。电机驱动功能

5+
￥0.8549
50+
￥0.8341
150+
￥0.8202

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型号：BC857BLP4-7 编号：C5248621

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V。高集电极电流：IC =-100mA。功率耗散：PD = 1W。封装尺寸：0.6mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。互补NPN类型：BC847BLP4。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中参考），具有高可靠性

5+
￥0.876
50+
￥0.8591
150+
￥0.8478

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型号：DSS5240Y-7 编号：C7265048

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于低功率放大和开关。超小型表面贴装封装。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。 ESD额定值：400V-MM，8KV-HBM

5+
￥0.8989
50+
￥0.8816
150+
￥0.87

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型号：ZXTP2041F 编号：C5245625

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-1A 高连续电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 RSAT = 350mΩ 低等效导通电阻。互补 NPN 型：ZXTN2041F。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

5+
￥0.9213
50+
￥0.9001
150+
￥0.8859

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型号：DVRN6056-7-F 编号：C6540780

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，非常适合自动化组装工艺。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.945
50+
￥0.9228
150+
￥0.908

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型号：BCX5110TA 编号：C526473

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V、-60V 和-80V。 IC =-1A 连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VUCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。互补 NPN 类型：BCX54、55 和 56。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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5+
￥0.9793
50+
￥0.9599
150+
￥0.947

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型号：BCX5210TA 编号：C5248636

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V、-60V 和-80V。 IC =-1A 连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VUCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。互补 NPN 类型：BCX54、55 和 56。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

5+
￥0.9911
50+
￥0.8114
150+
￥0.7216

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型号：BCX5316TC 编号：C526475

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -45V、-60V 和 -80V。连续集电极电流 IC = -1A。峰值脉冲电流 ICM = -2A。低饱和电压 VCE(SAT) < -500mV @ -0.5A。增益组 10 和 16。互补 NPN 类型。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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单价：
￥0.485082 / 个

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型号：BCP5210TA 编号：C460184

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V,-60V &-80V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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5+
￥1.0704
50+
￥0.8651
150+
￥0.7771

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型号：FMMT591ATC 编号：C2960359

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

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单价：
￥0.625856 / 个

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型号：DSS30101L-7 编号：C5245591

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于中功率放大和开关。超低集电极-发射极饱和电压。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准。 “绿色”器件。 ESD等级：400V-MM，8KV-HBM

5+
￥1.1037
50+
￥1.0817
150+
￥1.067

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型号：FMMT591AQTA 编号：C6252079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

5+
￥1.1382
50+
￥1.1155
150+
￥1.1003

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型号：DXTN5820DFDB-7 编号：C7178354

封装：UDFN2020-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。 hFE 规定高达 6A 以保持高电流增益。低轮廓 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性。应用：DC-DC 转换器。充电电路

1+
￥1.26
10+
￥1.23
30+
￥1.21

有货

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型号：BC857BFA-7B 编号：C5248620

封装：DFN-3(0.8x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V。高集电极电流：Ic =-100mA。功耗：PD = 435mW。封装尺寸：0.48mm²，比SOT23小16倍。封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。互补NPN型BC847BFA。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

5+
￥1.2606
50+
￥0.9814
150+
￥0.8617

有货

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型号：BCP5516TA 编号：C260894

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。 AF 驱动器和输出级

数据手册

1+
￥1.2955
10+
￥1.0309
30+
￥0.9175

有货

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型号：BCP5410TA 编号：C5248631

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。 AF 驱动器和输出级

5+
￥1.326
50+
￥1.0695
150+
￥0.9595

有货

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型号：DSS9110Y-7 编号：C151378

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于低功率放大和开关。有互补NPN类型。超小表面贴装封装。 “无铅”，符合RoHS标准。无卤和无锑“绿色”器件。 ESD等级：400V-MM，8KV-HBM

数据手册

1+
￥1.3484
10+
￥1.3217
30+
￥1.3039

有货

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型号：MJD350-13 编号：C460225

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -300V。 IC = -0.5A 连续集电极电流。 ICM = -0.75A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

数据手册

50+
￥0.9153
500+
￥0.8475
1000+
￥0.8136
5000+
￥0.7797
10000+
￥0.75936

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型号：ZUMT717TA 编号：C443648

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。连续集电极电流 IC = -1.25A。峰值脉冲电流 ICM = -3A。低饱和电压 VCE(sat) < -215mV @ IC = -1A。 RCE(sat) = 150mΩ，低等效导通电阻。功率耗散 500mW。应用：DC-DC 转换器中的负升压功能。手机和寻呼机中的电源线开关

数据手册

1+
￥1.5624
10+
￥1.2557
30+
￥1.1243

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型号：FZT651TC 编号：C5245650

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

1+
￥1.57
10+
￥1.54
30+
￥1.51

有货

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型号：DMMT2907A-7 编号：C17259784

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。 ICM =-1A 峰值脉冲电流。通用 PNP 晶体管，非常适合低功率放大和开关应用。单个 SOT26 封装中包含双晶体管，占用空间仅为两个等效 SOT23 晶体管的一半。外延平面芯片结构。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

5+
￥1.5911
50+
￥1.2761
150+
￥1.1411

有货

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型号：DXTP5820CFDB-7 编号：C5245533

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：- BVCEO >-20V。hFE 规定高达-6A，以保持高电流增益。低外形，0.6mm 高封装，适用于薄型应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性。应用：- DC-DC 转换器。充电电路

1+
￥1.6
10+
￥1.57
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