美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXTC6719MCTA 编号：C3198475

封装：DFN-8(3x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管:BVCEO > 50V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压（1A时最大100mV）。应用：DC

1+
￥8.4
10+
￥8.21
30+
￥8.09

有货

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型号：FZT857 编号：C5245515

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

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1+
￥9.2
10+
￥7.75
30+
￥6.96

有货

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型号：FZT948TA 编号：C151362

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-20V。高连续集电极电流：IC =-6A。峰值脉冲电流：ICM =-20A。低饱和电压 VLF(sat)。 hFE 指定高达-20A，以实现高增益保持。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥10.07
10+
￥8.46
30+
￥7.57

有货

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型号：ZXT951KTC 编号：C445540

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。 RSAT = 53mΩ 典型值。连续集电极电流 IC =-6A。高达 15A 峰值电流。低等效导通电阻。低饱和电压。应用：DC-DC 转换器。电源开关

数据手册

1+
￥13.82
10+
￥13.56
30+
￥13.38

有货

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型号：ZTX849 编号：C5245619

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：5安培连续电流。高达20安培峰值电流。极低的饱和电压。应用：LCD背光转换器。闪光灯转换器

1+
￥20.05
10+
￥17.34
30+
￥15.65

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型号：FMMT411FDBWQ-7 编号：C19950088

封装：WDFN2020-3(TYPEA)

品牌：DIODES(美台)

数据手册

1+
￥36.8
10+
￥36.09
30+
￥35.61

有货

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型号：AC857BSQ-7 编号：C3200383

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

10+
￥0.2907
100+
￥0.285
300+
￥0.2812

有货

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型号：AC857BSQ-7 编号：C5248457

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

10+
￥0.2907
100+
￥0.285
300+
￥0.2812

有货

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型号：MMST5401Q-7-F 编号：C5249114

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。理想的低功率放大和开关应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

5+
￥0.3462
50+
￥0.3394
150+
￥0.3348

有货

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型号：AMBTA92Q-7 编号：C5244325

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥0.3491
50+
￥0.3422
150+
￥0.3376

有货

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型号：BC847BLP4-7B 编号：C5248612

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。高集电极电流：IC = 100mA。功耗：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。互补PNP类型：BC857BLP4。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册中提供）

5+
￥0.3832
50+
￥0.3751
150+
￥0.3697

有货

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型号：BC847PNQ-7R-F 编号：C5248616

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥0.3842
50+
￥0.3766
150+
￥0.3716

有货

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型号：DSS4220V-7 编号：C6831650

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。低集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)。在高集电极电流IC下有高电流增益hFE。适合自动组装的表面贴装封装。超小表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色设备”

5+
￥0.4639
50+
￥0.4541
150+
￥0.4476

有货

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型号：DSS5220V-7 编号：C69958

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型。低集电极-发射极饱和电压。高集电极电流时具有高电流增益。适合自动组装的表面贴装封装。超小型表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色设备”

数据手册

5+
￥0.4732
50+
￥0.4639
150+
￥0.4577

有货

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型号：DCP69A-13 编号：C5245527

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS合规。 “绿色”器件

5+
￥0.4747
50+
￥0.4653
150+
￥0.4591

有货

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型号：ZXT10P20DE6TA 编号：C5245562

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。连续集电极电流 Ic = -2.5A。峰值脉冲电流 Icm = -6A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 96mΩ。低饱和电压（-220mV 最大 @ 1A）。高达 6A 电流增益保持特性。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

5+
￥0.5259
50+
￥0.5156
150+
￥0.5087

有货

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型号：BC857BLP4-7B 编号：C526468

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V。高集电极电流：IC =-100mA。功率耗散：PD = 1W。封装尺寸：0.6mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。互补NPN类型：BC847BLP4。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中参考），具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.5494
50+
￥0.5389
150+
￥0.5319

有货

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型号：BCX5116TA 编号：C460007

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

数据手册

5+
￥0.5619
50+
￥0.5512
150+
￥0.5441

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型号：AC847BQ-7 编号：C5547133

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥0.5902
50+
￥0.579
150+
￥0.5715

有货

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型号：DST3946DPJ-7 编号：C155279

封装：SOT-963

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。集电极电流 IC = 200mA。 SOT963超小封装，占位面积1mm²。外延平面芯片结构。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

5+
￥0.6542
50+
￥0.6382
150+
￥0.6276

有货

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型号：BCW66HQTA 编号：C5248635

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。高连续集电极电流：IC = 800mA。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 100mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

5+
￥0.6888
50+
￥0.675
150+
￥0.6658

有货

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型号：DSS5220T-13 编号：C5245531

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。 IC = -2A 连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -150mV @ -1A。 RCE(sat) = 113mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.7514
50+
￥0.7368
150+
￥0.7272

有货

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型号：BC857A-7-F 编号：C460181

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

数据手册

1+
￥0.7533
10+
￥0.7383
30+
￥0.7284

有货

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型号：FMMT491AQTA 编号：C460210

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续集电极电流 Ic = 1A。峰值脉冲电流 Icm = 2A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。功耗 500mW。 hFE 特性高达 2A，以保持高电流增益。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力

数据手册

5+
￥0.8054
50+
￥0.7893
150+
￥0.7786

有货

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型号：2DB1386R-13 编号：C460640

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。 IC = -5A，高连续电流。低饱和电压VCE(sat) < -1V @ -4A。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥0.817
50+
￥0.8006
150+
￥0.7897

有货

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型号：BC857BLP-7B 编号：C42449108

封装：DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V。高集电极电流：IC =-100mA。功率耗散：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可降低板外轮廓。互补NPN类型：BC847BLP。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

5+
￥0.8372
50+
￥0.8199
150+
￥0.8083

有货

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型号：BC857BLP4-7 编号：C5248621

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V。高集电极电流：IC =-100mA。功率耗散：PD = 1W。封装尺寸：0.6mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。互补NPN类型：BC847BLP4。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中参考），具有高可靠性