美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXTP2041F 编号：C5245625

封装：SOT-23

特性：BVCEO >-40V。 IC =-1A 高连续电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 RSAT = 350mΩ 低等效导通电阻。互补 NPN 型：ZXTN2041F。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

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￥1.1184
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￥1.0972
150+
￥1.083

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型号：FMMT591AQTA 编号：C6252079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

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￥1.1382
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￥1.1155
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￥1.1003

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型号：ZXTN25020DFLTA 编号：C516594

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

采用先进的制程能力实现高电流增益维持，使该器件非常适合需要高脉冲电流的应用。

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￥1.1623
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￥1.1439
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￥1.1316

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型号：DXTN5820DFDB-7 编号：C7178354

封装：UDFN2020-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。 hFE 规定高达 6A 以保持高电流增益。低轮廓 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性。应用：DC-DC 转换器。充电电路

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￥1.26
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￥1.23
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￥1.21

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型号：BCP5410TA 编号：C5248631

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。 AF 驱动器和输出级

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￥1.326
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￥1.0695
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￥0.9595

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型号：BSR43QTA 编号：C526481

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 80V。 IC = -1A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 250mV @ 150mA。互补型 BSR33。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

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￥1.35
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￥1.323
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￥1.305

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型号：2DA1213Y-13 编号：C5245576

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-50V。高连续集电极电流：Ic =-2A。高增益保持。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

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￥1.5233
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￥1.2131
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￥1.0801

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型号：FMMT718TC 编号：C3200004

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。IC = -1.5A 连续集电极电流。ICM = -6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -1A。RCE(SAT) = 97mΩ 低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

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￥1.54
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￥1.51
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￥1.49

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型号：ZUMT717TA 编号：C443648

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。连续集电极电流 IC = -1.25A。峰值脉冲电流 ICM = -3A。低饱和电压 VCE(sat) < -215mV @ IC = -1A。 RCE(sat) = 150mΩ，低等效导通电阻。功率耗散 500mW。应用：DC-DC 转换器中的负升压功能。手机和寻呼机中的电源线开关

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￥1.5624
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￥1.2557
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￥1.1243

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型号：DMMT2907A-7 编号：C17259784

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。 ICM =-1A 峰值脉冲电流。通用 PNP 晶体管，非常适合低功率放大和开关应用。单个 SOT26 封装中包含双晶体管，占用空间仅为两个等效 SOT23 晶体管的一半。外延平面芯片结构。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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￥1.5911
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￥1.2761
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￥1.1411

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型号：DXTP5820CFDB-7 编号：C5245533

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：- BVCEO >-20V。hFE 规定高达-6A，以保持高电流增益。低外形，0.6mm 高封装，适用于薄型应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性。应用：- DC-DC 转换器。充电电路

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￥1.6
10+
￥1.57
30+
￥1.55

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型号：DMB2227A-7 编号：C5245588

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对。外延平面芯片结构。一个2222A型（NPN）。一个2907A型（PNP）。适用于低功率放大和开关。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色设备”

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￥1.6088
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￥1.3076
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￥1.1785

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型号：2DC4617QLP-7B 编号：C526218

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

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5+
￥1.6228
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￥1.3124
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￥1.1793

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型号：DCP69-13 编号：C459525

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补NPN类型。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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1+
￥1.6545
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￥1.3443
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￥1.2113

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型号：BC807-16 编号：C5329425

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：理想适用于自动插入。外延平面芯片结构。有互补NPN类型（BC817）。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥1.8254
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￥1.4736
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￥1.3229

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型号：BC856BW 编号：C5248619

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：适合自动插入。互补NPN类型。用于开关和AF放大器应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

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￥1.8672
50+
￥1.5073
150+
￥1.3531

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型号：FMMTA42 编号：C5245511

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。 IC = 200mA 高集电极电流。 350mW 功耗。高达 30mA 的出色 hFE 特性。互补型号 FMMTA92。完全无铅且完全符合 RoHS 标准，无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性和生产件批准程序能力

5+
￥1.916
50+
￥1.5453
150+
￥1.3865

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型号：ZX5T851GQTC 编号：C5209395

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这种双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

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5+
￥1.9808
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￥1.6053
150+
￥1.4444

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型号：BC847AQ-7-F 编号：C6751417

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

1+
￥2
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￥1.96
30+
￥1.93
100+
￥1.91

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型号：BC846ASQ-7-F 编号：C5248606

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这种双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

1+
￥2.02
10+
￥1.98
30+
￥1.95

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型号：ZXT10N15DE6TA 编号：C5245560

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 15V。 IC = 4A 连续集电极电流。 ICM = 13A 峰值脉冲电流。 RCE(SAT) = 50mΩ 低等效导通电阻。低饱和电压（1A 时最大 70mV）。 HFE 特性高达 12A。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

1+
￥2.08
10+
￥2.04
30+
￥2.01

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型号：DXTP03060BFG-7 编号：C5245640

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。小尺寸热高效封装。支持更高密度的终端产品。连续集电极电流 IC =-5.5A。峰值脉冲电流 ICM =-15A。低饱和电压 VCE(sat)<-70mV @-1A。应用：电机驱动。线路开关

1+
￥2.26
10+
￥2.21
30+
￥2.18

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型号：FMMT718 编号：C5245537

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。IC = -1.5A 连续集电极电流。ICM = -6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -1A。RCE(SAT) = 97mΩ 低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

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￥2.66
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￥2.61
50+
￥2.57

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型号：FZT717TA 编号：C5245541

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-12V。连续电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-10A。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

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￥2.68
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￥2.62
30+
￥2.58

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型号：DSS3540MQ-7B 编号：C5248961

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-500mA 高集电极电流。 ICM =-1A 峰值脉冲电流。 PD = 1000mW 功率耗散。低集电极-发射极饱和电压，VCE(sat)。 0.60mm² 封装尺寸，比 SOT23 小 13 倍。 0.5mm 高度封装，减少板外轮廓。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF16949 认证的工厂生产