美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2DB1188R-13 编号：C285345

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -32V。 IC = -2A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -800mV @ -2A。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件

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型号：D-BCX5616QTA 编号：C5148536

封装：-

品牌：DIODES(美台)

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型号：FZT968TA 编号：C150472

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。高连续集电极电流 IC = -6A。峰值脉冲电流 ICM = -20A。低饱和电压 VCE(sat) < -170mV @ -2A。 hFE 指定高达 -10A 以实现高增益保持。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

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型号：FZT790A 编号：C5245605

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 Ic Max.-3A 高连续电流。 IcM Max.-6A 峰值脉冲电流。极低的等效导通电阻；RCE (sat) 在 2A 时为 125mΩ。在 IC = 1A 时 hFE 为 200，且饱和电压极低。互补 NPN 型：FZT690B。应用：DC-DC 转换器。警报器驱动器

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型号：ZXT12P40DXTA 编号：C154740

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

这款全新的第四代超低饱和晶体管采用了Zetex矩阵结构，并结合先进的封装技术，实现了极低的导通损耗。这使其非常适合高效、低压开关应用。

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型号：FZT949 编号：C5245606

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。高连续集电极电流：IC = -5.5A。峰值脉冲电流：IC = -20A。低饱和电压：VCE(sat) < -140mV @ -1A。 hFE 指定至 -20A，实现高增益保持。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。该器件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

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￥15.26
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型号：BC856BQ-7-F 编号：C5342035

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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型号：BC847BVN-7 编号：C459863

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：外延芯片结构。一个封装中有两个内部隔离的NPN/PNP晶体管。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥0.6273
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型号：ZXTN10150DZTA 编号：C264110

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。应用：LED TV背光源

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￥1.6266
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型号：FMMT624TC 编号：C3200099

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 125V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 160mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 3A，高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。稳压器

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￥2.25
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型号：FZTA42TA 编号：C151396

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于电视机视频输出级和开关电源。高击穿电压

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型号：FZT953TA 编号：C110507

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：5A 连续电流，高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻；在 4A 时 Rceestat 为 55mΩ

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￥2.6127
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型号：ZXT11N15DFTA 编号：C460281

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代第四代超低饱和晶体管采用Zetex矩阵结构，并结合先进的组装技术，可实现极低的导通状态损耗。这使其非常适合用于高效率、低电压开关应用。

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型号：ZDT6790TA 编号：C460114

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 45V。VCE(sat) < 100mV @ Ic = 100mA。连续电流 Ic = 2A。 PNP晶体管：BVCEO > -40V。VCE(sat) < -250mV @ Ic = -500mA。连续电流 Ic = -2A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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型号：ZXTP03200BZTA 编号：C3200456

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-200V。 BVCEO >-2V。连续电流 IC(cont) = 2A。 VCE(sat) <-160mV @-1A。 BCE(sat) = 130mΩ。 PD = 2.4W。应用：DC-DC 转换器

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型号：BCX53TC 编号：C5245630

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V、-60V 和-80V。 IC =-1A 连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VUCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。互补 NPN 类型：BCX54、55 和 56。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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￥0.6649
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￥0.5209
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型号：ZXTN25100DZTA 编号：C155510

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 BVECO > 6V。 Ic = 2.5A 连续集电极电流。 Icm = 3.5A 峰值集电极电流。 VCE(SAT) < 100mV @ 1A。 RCE(SAT) = 80mΩ 低等效导通电阻。互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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型号：ZXTN4006ZTA 编号：C141323

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

P沟道 -40V -6.4A

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型号：ZXTP07040DFFTA 编号：C445507

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款低压PNP晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

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￥1.66
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型号：FZT458TA 编号：C154737

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。 IC = 300mA，高连续电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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