美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DCP69A-13 编号：C3199816

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS合规。 “绿色”器件

5+
￥0.4747
50+
￥0.4653
150+
￥0.4591

有货

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型号：ZXT10P20DE6TA 编号：C3196903

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。连续集电极电流 Ic = -2.5A。峰值脉冲电流 Icm = -6A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 96mΩ。低饱和电压（-220mV 最大 @ 1A）。高达 6A 电流增益保持特性。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

5+
￥0.5259
50+
￥0.5156
150+
￥0.5087

有货

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型号：BCP5616TC 编号：C3025205

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于音频驱动和输出级。高集电极电流和低Vce(sat)

数据手册

5+
￥0.8038
50+
￥0.643
150+
￥0.5626

有货

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型号：BCP5310TA 编号：C3199817

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V,-60V &-80V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

5+
￥0.9349
50+
￥0.9175
150+
￥0.906

有货

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型号：DSS30101L-7 编号：C3200033

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于中功率放大和开关。超低集电极-发射极饱和电压。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准。 “绿色”器件。 ESD等级：400V-MM，8KV-HBM

5+
￥1.1037
50+
￥1.0817
150+
￥1.067

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型号：DSL12AW-7 编号：C460057

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。超小表面贴装封装。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。 ESD等级：400V-MM，8KV-HBM

数据手册

5+
￥1.2062
50+
￥0.9728
150+
￥0.8728

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型号：DNLS160-7 编号：C460715

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型（DPLS160）。表面贴装封装，适合自动组装。无铅/RoHS合规。 “绿色器件”。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

1+
￥1.68
10+
￥1.65
30+
￥1.63

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型号：ZUMT720TA 编号：C7398684

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。 1A 峰值脉冲电流。高达 1A（脉冲）的出色 HFE 特性。低饱和电压。低等效导通电阻；Rce(sat)。应用：DC-DC 转换器中的升压功能。电机驱动功能

1+
￥1.76
10+
￥1.73
30+
￥1.71

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型号：ZXTN25040DZTA 编号：C460143

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 5.0A 连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 60mV @ 1A。 Rsat = 38mΩ，低等效导通电阻。 PD = 2.4W 功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

1+
￥1.9
10+
￥1.85
30+
￥1.82

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型号：ZXT10P40DE6TA 编号：C3200271

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流 IC = -2A。峰值脉冲电流 ICM = -4A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 105mΩ。在 -1A 时，低饱和电压 < -220mV。高达 -6A 的 HFE 特性，用于高电流增益保持。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

1+
￥2.09
10+
￥2.05
30+
￥2.02

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型号：MJD31CQ-13 编号：C5245661

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 专为满足汽车应用的严格要求而设计。

1+
￥2.09
10+
￥2.05
30+
￥2.03

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型号：BC847BTQ-7 编号：C5248613

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

1+
￥2.11
10+
￥2.08
30+
￥2.05

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型号：DXTN07060BFG-7 编号：C5245636

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。小尺寸热效率封装。支持更高密度的终端产品。高连续电流 IC = 3A。峰值脉冲电流 ICM = 6A。低饱和电压 VCE(SAT) < 250mV @ 1A。应用：负载开关。线性稳压器

1+
￥2.58
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￥2.53
30+
￥2.5

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型号：DXT2013P5-13 编号：C151027

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：比SOT223小43%；比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率高达3.2W。电压 = 100V。集电极电流IC = -5A；峰值脉冲电流ICM = -10A。低饱和电压。应用：SLIC DC-DC转换器

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1+
￥2.72
10+
￥2.67
30+
￥2.63

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型号：DXT690BP5-13 编号：C5245594

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。 Ic = 3A 高连续集电极电流。 ICM = 6A 峰值集电极电流。高增益器件 >400@1A。 RCE(sat) = 77mΩ 低等效导通电阻。 HPE 指定高达 8A 以保持高增益。应用：LED 驱动器。电机驱动器

1+
￥2.78
10+
￥2.73
30+
￥2.69

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型号：ZUMTS17NTA 编号：C460120

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：3.2GHz 单位增益，适用于射频开关应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。应用：RF 开关

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1+
￥2.98
10+
￥2.93
30+
￥2.89

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型号：ZTX457STZ 编号：C460762

封装：SMD

品牌：DIODES(美台)

特性：300 伏 VCEO。0.5 安连续电流。Ptot = 1 瓦

1+
￥3.07
10+
￥3.01
30+
￥2.97

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型号：ZXT11N15DFTA 编号：C460281

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代第四代超低饱和晶体管采用Zetex矩阵结构，并结合先进的组装技术，可实现极低的导通状态损耗。这使其非常适合用于高效率、低电压开关应用。

数据手册

1+
￥3.23
10+
￥2.6
30+
￥2.33

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型号：FZT658TA 编号：C99122

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。高连续电流：IC = 500mA。峰值脉冲电流：ICM = 1A。低饱和电压：VCE(sat) < 250mV @ 50mA。高电流增益保持：hFE > 40（指定至200mA）。互补PNP类型：FZT758。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑。“绿色”器件

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1000+
￥1.554
2000+
￥1.54
3000+
￥1.512

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型号：DXTP03200BP5-13 编号：C5245500

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = -200V。 IC = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -5A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。比 SOT223 小 43%；比 TO252 (DPAK) 小 60%。最大高度仅 1.1mm。应用：DC-DC 转换。电信

1+
￥3.33
10+
￥3.26
30+
￥3.22

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型号：FZT753TC 编号：C5245655

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型：FZT653。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

1+
￥3.39
10+
￥3.33
30+
￥3.28

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型号：ZTX651 编号：C262768

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：60伏集电极-发射极电压（VCEO）。 2安连续电流。低饱和电压。总功率（Ptot）为1瓦

数据手册

8000+
￥1.347429
16000+
￥1.33529
24000+
￥1.311012

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型号：ZXT13N20DE6TA 编号：C460282

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。 ICM = 15A 峰值脉冲电流。 RCE(SAT) = 38mΩ 低等效导通电阻。低饱和电压（1A 时最大 75mV）。 hEE 特性可达 15A。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥4.2
30+
￥4.14

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型号：FMMT591A 编号：C5249001

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

1+
￥4.47
10+
￥3.68
30+
￥3.29

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型号：FMMT718QTA 编号：C7193236

封装：SOT-23(TYPEDN)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-20V。 IC =-1.5A 连续集电极电流。 ICM =-6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) <-200mV @-1A。 RCE(SAT) = 97mΩ，低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。 DC-DC 转换器

1+
￥4.67
10+
￥4.59
30+
￥4.53

有货

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型号：ZXTN25100DGTA 编号：C526806

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEX > 180V。 BVCEO > 100V。 BV ECO > 6V。 I C = 3A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 100mV @ 1A。 RCE(sat) = 85mΩ。应用：电源启动电路。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥5.05
10+
￥4.12
30+
￥3.65

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型号：ZTX851 编号：C154872

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

数据手册

1+
￥5.12
10+
￥5.02
30+
￥4.95

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型号：ZTX855 编号：C6623273

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 4A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值脉冲电流。 TJ 最高可达 200℃，适用于高温操作。低饱和电压 < 100mV @ 1A。 PD = 1.2W 功率耗散。互补 NPN 型：ZTX955。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高