美台三极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 美台三极管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共18992件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

PNP 电流:2A 电压:40V

型号：ZXT10P40DE6TA 编号：C3200271

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流 IC = -2A。峰值脉冲电流 ICM = -4A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 105mΩ。在 -1A 时，低饱和电压 < -220mV。高达 -6A 的 HFE 特性，用于高电流增益保持。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

1+
￥2.09
10+
￥2.05
30+
￥2.02

有货

立即购买

NPN,45V,0.1A,SOT523

型号：BC847BTQ-7 编号：C5248613

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

1+
￥2.11
10+
￥2.08
30+
￥2.05

有货

立即购买

NPN,60V,3A,PowerDI3333-8

型号：DXTN07060BFG-7 编号：C5245636

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。小尺寸热效率封装。支持更高密度的终端产品。高连续电流 IC = 3A。峰值脉冲电流 ICM = 6A。低饱和电压 VCE(SAT) < 250mV @ 1A。应用：负载开关。线性稳压器

1+
￥2.14
10+
￥2.09
30+
￥2.06

有货

立即购买

NPN+PNP 电流:1A 电压:60V

型号：DSS45160FDB-7 编号：C2960351

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

特性：互补NPN/PNP NPN晶体管。 BVCEO > 60V，IC = 1A，高连续集电极电流。低饱和电压：VCE(sat) < 220mV @1A（NPN晶体管）。 PNP晶体管：BVCEO > -60V，IC = -1A，高连续集电极电流。低饱和电压：VCE(sat) < -340mV @ -1A。 Pp高达2.47W，适用于高功率需求应用。应用：栅极驱动。负载开关

数据手册

单价：
￥1.584419 / 个

我要订货

NPN 电流:3A 电压:15V

型号：FMMT617 编号：C5245536

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 15V。 IC = 3A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 50mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 12A 以实现高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。稳压器

1+
￥2.31
10+
￥2.27
30+
￥2.24

有货

立即购买

低饱和晶体管 PNP 电流:3.5A 电压:20V

型号：ZXTP718MATA 编号：C526819

封装：W-DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。 IC = -3.5A 连续集电极电流。低饱和电压 (-220mV 最大值 @ -1A)。 Rsat = 64 mΩ，实现低等效导通电阻。 hFE 指定至 -6A，实现高电流增益保持。低剖面 0.6mm 封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥2.3818
10+
￥1.9143
30+
￥1.7139

有货

立即购买

中功率晶体管 PNP 电流:5A 电压:100V

型号：DXT2013P5-13 编号：C151027

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：比SOT223小43%；比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率高达3.2W。电压 = 100V。集电极电流IC = -5A；峰值脉冲电流ICM = -10A。低饱和电压。应用：SLIC DC-DC转换器

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.67
30+
￥2.63

有货

立即购买

400V PN 高电压晶体管

型号：FCX558QTA 编号：C5248997

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

1+
￥2.74
10+
￥2.69
30+
￥2.65

有货

立即购买

NPN 电流:500mA 电压:300V

型号：ZTX457STZ 编号：C460762

封装：SMD

品牌：DIODES(美台)

特性：300 伏 VCEO。0.5 安连续电流。Ptot = 1 瓦

1+
￥2.74
10+
￥2.68
30+
￥2.64

有货

立即购买

高增益晶体管 NPN 电流:3A 电压:45V

型号：DXT690BP5-13 编号：C5245594

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。 Ic = 3A 高连续集电极电流。 ICM = 6A 峰值集电极电流。高增益器件 >400@1A。 RCE(sat) = 77mΩ 低等效导通电阻。 HPE 指定高达 8A 以保持高增益。应用：LED 驱动器。电机驱动器

1+
￥2.78
10+
￥2.73
30+
￥2.69

有货

立即购买

NPN 电流:3A 电压:15V

型号：FCX617TA 编号：C151041

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：2W功率耗散。 12A峰值脉冲电流。高达12A时具有出色的H_FE特性。极低的饱和电压，例如典型值为8mV。极低的等效导通电阻；Rce(sat)在3A时为50m

数据手册

1+
￥2.9
10+
￥2.36
30+
￥2.13

有货

立即购买

NPN 电流:50mA 电压:11V

型号：ZUMTS17NTA 编号：C460120

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：3.2GHz 单位增益，适用于射频开关应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。应用：RF 开关

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.93
30+
￥2.89

有货

立即购买

NPN,12V,4A,SOT223

型号：FZT688B 编号：C5245539

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 12V。 BVcBo > 12V。 Ic = 4A 高连续电流。 hFE > 400 @ 3A 和低饱和电压。极低的等效导通电阻；RCE(sat) 83mΩ @ 3A。互补 PNP 类型。应用：闪光灯转换器。电池供电电路

1+
￥3.11
10+
￥3.04
30+
￥2.99

有货

立即购买

中功率晶体管 PNP 电流:2A 电压:100V

型号：ZXTP19100CFFTA 编号：C5245678

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款低饱和100V PNP晶体管具有极低的导通损耗，非常适合用于DC-DC电路以及各种驱动和电源管理功能。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它具有更低的外形和更高的散热能力。

1+
￥3.19
10+
￥3.11
30+
￥3.07

有货

立即购买

PNP 电流:2A 电压:200V

型号：DXTP03200BP5-13 编号：C5245500

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = -200V。 IC = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -5A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。比 SOT223 小 43%；比 TO252 (DPAK) 小 60%。最大高度仅 1.1mm。应用：DC-DC 转换。电信

1+
￥3.33
10+
￥3.26
30+
￥3.22

有货

立即购买

高增益晶体管 PNP 电流:5A 电压:20V

型号：ZXTP25020DZTA 编号：C526814

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。连续电流 IC = -5A。低饱和电压 VCE(sat) < -0.5V @ -50mA。功率耗散 PD = 2.4W。低等效导通电阻 Rsat = 39mΩ。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。负载开关

数据手册

1+
￥3.48
10+
￥2.77
30+
￥2.47

有货

立即购买

D-MMBT2222A-7-F

型号：D-MMBT2222A-7-F 编号：C5148572

封装：-

品牌：DIODES(美台)

1+
￥3.56
10+
￥2.85
30+
￥2.54

有货

立即购买

PNP,70V,2A,SOT223

型号：FZT792A 编号：C5245657

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -70V。 Ic Max.-2A High Continuous Current。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：电池供电电路

1+
￥3.72
10+
￥3.64
30+
￥3.58

有货

立即购买

PNP,140V,3A,SOT89

型号：ZXTP2014ZQTA 编号：C5249298

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

1+
￥3.85
10+
￥3.77
30+
￥3.72

有货

立即购买

高增益、低饱和、中功率晶体管 PNP 电流:5.5A 电压:40V

型号：ZXTP2009ZTA 编号：C460148

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-5.5A，高连续电流。低饱和电压VCE(sat) <-30mV @-100mA。 Rsat = 29mΩ，低等效导通电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC转换器。 MOSFET栅极驱动

数据手册

1+
￥3.96
10+
￥3.3
30+
￥2.97

有货

立即购买

NPN 电流:4.5A 电压:20V

型号：ZXT13N20DE6TA 编号：C460282

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。 ICM = 15A 峰值脉冲电流。 RCE(SAT) = 38mΩ 低等效导通电阻。低饱和电压（1A 时最大 75mV）。 hEE 特性可达 15A。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥4.2
30+
￥4.14

有货

立即购买

PNP 电流:1A 电压:40V

型号：FMMT591A 编号：C5249001

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

1+
￥4.47
10+
￥3.68
30+
￥3.29

有货

立即购买

ZTX851

型号：ZTX851 编号：C154872

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

数据手册

1+
￥4.55
10+
￥4.45
30+
￥4.38

有货

立即购买

NPN 电流:4A 电压:150V

型号：ZTX855 编号：C6623273

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 4A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值脉冲电流。 TJ 最高可达 200℃，适用于高温操作。低饱和电压 < 100mV @ 1A。 PD = 1.2W 功率耗散。互补 NPN 型：ZTX955。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

1+
￥4.6
10+
￥4.5
30+
￥4.43

有货

立即购买

NPN 电流:1.5A 电压:20V

型号：FMMT718QTA 编号：C7193236

封装：SOT-23(TYPEDN)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-20V。 IC =-1.5A 连续集电极电流。 ICM =-6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) <-200mV @-1A。 RCE(SAT) = 97mΩ，低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。 DC-DC 转换器

1+
￥4.67
10+
￥4.59
30+
￥4.53

有货

立即购买

PNP 电流:4.5A 电压:12V

型号：ZTX968 编号：C5245556

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4.5安培。峰值电流高达20安培。极低的饱和电压。高增益。有Spice模型

1+
￥4.76
10+
￥4.65
30+
￥4.58

有货

立即购买

NPN 电流:3A 电压:300V

型号：ZTX857 编号：C5843388

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：300 Volt VCEO。 3 Amps 连续电流。高达 5 Amps 峰值电流。极低饱和电压。 Ptot = 1.2 Watt

1+
￥4.94
10+
￥4.83
30+
￥4.75

有货

立即购买

NPN 电流:3A 电压:100V

型号：ZXTN25100DGTA 编号：C526806

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEX > 180V。 BVCEO > 100V。 BV ECO > 6V。 I C = 3A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 100mV @ 1A。 RCE(sat) = 85mΩ。应用：电源启动电路。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥5.05
10+
￥4.12
30+
￥3.65

有货

立即购买

NPN 电流:7A 电压:60V

型号：ZXTN19060CGTA 编号：C3199808

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 7A 连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 50mV @ 1A。 RCE(sat) = 30mΩ。 hFE 指定至 7A 以实现高增益保持。应用：线路开关。电机驱动（包括直流风扇）

1+
￥5.63
10+
￥5.51
30+
￥5.43

有货

立即购买

PNP 电流:2A 电压:25V

型号：ZDT749TA 编号：C156314

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

数据手册

1+
￥5.77
10+
￥5.65
30+
￥5.57

有货

立即购买

共634页，18992条记录到页

<上一页
1
...
22
23
24
25
26
...
634
下一页

立创商城为您提供美台三极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买美台三极管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content