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首页 > 热门关键词 > 美台三极管
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NPN 电流:1A 电压:20V
型号：BCX6825TA 编号：C155346
封装：SOT-89
品牌：DIODES(美台)
特性：BVCEO > 20V。 高电流能力，最大连续电流 IC = 1A。 低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 1A。 互补 PNP 类型：BCX69。 无铅，符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。 低损耗功率开关
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NPN 电流:1A 电压:60V
型号：BCP5516TA 编号：C260894
封装：SOT-223
品牌：DIODES(美台)
特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。 低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。 增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。 AF 驱动器和输出级
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    PNP,45V,0.1A,DFN0806-3
    型号：BC857BFA-7B 编号：C5248620
    封装：DFN-3(0.8x0.6)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：Ic =-100mA。 功耗：PD = 435mW。 封装尺寸：0.48mm²，比SOT23小16倍。 封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。 互补NPN型BC847BFA。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高

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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：DST847BDJ-7 编号：C17556202
    封装：SOT-963
    品牌：DIODES(美台)
    特性：双NPN，集电极发射极击穿电压（BVcEO）> 45V（集电极电流Ic = 100mA）。 高集电极电流。 功率耗散PD = 300mW。 封装尺寸1mm²，比SOT23小5倍。 封装高度0.5mm，减少板外轮廓。 有互补PNP类型可选。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BFZ-7B 编号：C5248611
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常适合自动插入。 适用于开关和AP放大器应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，是“绿色”器件

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    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：FMMT493ATA 编号：C460076
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 60V。 连续集电极电流 IC = 1A。 VCE(SAT) = 0.5V @ 1A。 功率耗散 500mW。 低饱和电压。 高 hFE，最小 300 @ 250mA。应用：各种驱动功能，包括电机、执行器、螺线管和继电器。 背光逆变器
    数据手册

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    PNP 电流:3A 电压:25V
    型号：FCX1149ATA 编号：C526605
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO = -25V。 IC = -3A 连续电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat)< -80mV @ -0.1A。 Rsat = 67mΩ 低等效导通电阻。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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      ￥1.74

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    低饱和晶体管 PNP 电流:4.8A 电压:40V
    型号：DXTP5840CFDB-7 编号：C3202405
    封装：DFN-3(2x2)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -40V。 hFE指定高达 -3A，以保持高电流增益。 低轮廓0.6mm高封装，适用于薄型应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC-DC转换器。 充电电路

    • 1+

      ￥1.76

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      ￥1.71
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    NPN 电流:200mA 电压:160V
    型号：DMMT5551S-7-F 编号：C2931254
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP类型。 适用于低功率放大和开关。 本质匹配的NPN对。 HFE、VCE(SAT)、VBE(SAT)匹配公差为2%。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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    MMDT3906VC-7
    型号：MMDT3906VC-7 编号：C526685
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    数据手册

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    PNP 电流:1.5A 电压:70V
    型号：FMMT722TA 编号：C212294
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-70V。 IC =-1.5A 连续集电极电流。 IC =-3A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) <-220mV @-1A。 RCE(sat) = 140mΩ，等效导通电阻低。 625mW 功率耗散。应用：高端驱动器。 负载断开开关
    数据手册

    • 12000+

      ￥0.709416

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    我要订货
    400V PN 高电压晶体管
    型号：FCX558QTA 编号：C5248997
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

    • 1+

      ￥2.74

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    ZXTC6717MCTA
    型号：ZXTC6717MCTA 编号：C460131
    封装：DFN-8-EP(2x3)
    品牌：DIODES(美台)
    数据手册

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    PNP 电流:3A 电压:25V
    型号：FCX789ATA 编号：C5245535
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -25V。 Ic = -3A 高连续电流。 Icm = -8A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -320mV @ -3A。 hFE 指定高达 -8A，以保持高电流增益。 互补 NPN 类型：FCX688B。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

    • 1+

      ￥3.31

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      ￥2.06
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    PNP 电流:1A 电压:30V
    型号：ZTX549 编号：C445546
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：30 Volt VCEO。 1 Amp连续电流。 Ptot = 1 Watt
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    中功率晶体管 PNP 电流:2A 电压:100V
    型号：ZXTP19100CFFTA 编号：C5245678
    封装：SOT-23F
    品牌：DIODES(美台)
    这款低饱和100V PNP晶体管具有极低的导通损耗，非常适合用于DC-DC电路以及各种驱动和电源管理功能。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它具有更低的外形和更高的散热能力。

    • 1+

      ￥3.33

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      ￥3.26

    • 30+

      ￥3.21
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    NPN 电流:5A 电压:60V
    型号：ZXTN2018FQTA 编号：C3199883
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

    • 1+

      ￥3.38

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      ￥3.31

    • 30+

      ￥3.26
  • 有货
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    NPN 电流:3A 电压:60V
    型号：FZT651QTC 编号：C5249014
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

    • 1+

      ￥3.71

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      ￥3.64

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    • 100+

      ￥3.54
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    NPN 电流:1A 电压:70V
    型号：ZTX692B 编号：C5245670
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：70伏VCEO。 集电极电流为500mA时，增益为400。 极低的饱和电压。应用：达林顿管替代品。 继电器驱动器

    • 1+

      ￥3.92

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      ￥3.84

    • 30+

      ￥3.78

    • 100+

      ￥3.73
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    高增益、低饱和、中功率晶体管 PNP 电流:5.5A 电压:40V
    型号：ZXTP2009ZTA 编号：C460148
    封装：SOT-89-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-40V。 IC =-5.5A，高连续电流。 低饱和电压VCE(sat) <-30mV @-100mA。 Rsat = 29mΩ，低等效导通电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC转换器。 MOSFET栅极驱动
    数据手册

    • 1+

      ￥3.96

    • 10+

      ￥3.3

    • 30+

      ￥2.97
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    PNP 电压:70V
    型号：ZTX792ASTZ 编号：C3198569
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：70 伏 VCEO。 集电极电流（Ic）为 3 安培时增益为 400。 极低的饱和电压。应用：达林顿管替代品。 闪光灯转换器

    • 1+

      ￥4.24

    • 10+

      ￥4.15

    • 30+

      ￥4.09
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    NPN 电流:2A 电压:100V
    型号：ZTX653STZ 编号：C2960362
    封装：E-Line-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。 连续电流：2A。 低饱和电压。 总功率（Ptot）：1W
    数据手册

    • 1+

      ￥4.47

    • 10+

      ￥4.38

    • 30+

      ￥4.32
  • 有货
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    NPN 电流:3A 电压:75V
    型号：ZTX1053A 编号：C7131719
    封装：TO-92
    品牌：DIODES(美台)
    特性：VCEO = 75V。 3A 连续电流。 10A 脉冲电流。 极低饱和电压。应用：汽车开关电路。 DC-DC 转换器

    • 1+

      ￥4.56

    • 10+

      ￥4.47

    • 30+

      ￥4.41
  • 有货
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    PNP 1A 150V
    型号：FZT755TA 编号：C3003074
    封装：SOT-223-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > -150V。IC = -1A Continuous Current。ICM = -2A Peak Pulse Current。互补NPN类型。无铅涂层;符合RoHS标准。无卤素和锑。“绿色”器件
    数据手册

    • 1+

      ￥4.93

    • 10+

      ￥4.83

    • 30+

      ￥4.77
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    NPN 电流:7A 电压:60V
    型号：ZXTN19060CGTA 编号：C3199808
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 60V。 IC = 7A 连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 50mV @ 1A。 RCE(sat) = 30mΩ。 hFE 指定至 7A 以实现高增益保持。应用：线路开关。 电机驱动（包括直流风扇）

    • 1+

      ￥5.63

    • 10+

      ￥5.51

    • 30+

      ￥5.43
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    NPN 电流:500mA 电压:300V
    型号：FZT657QTA 编号：C672334
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 300V。 BVCBO > 300V。 IC = 0.5A 高连续电流。 ICM = 1A 峰值脉冲电流。 互补 PNP 型。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合 AEC-Q101 标准，高可靠性。 具备 PPAP 能力

    • 1+

      ￥5.94

    • 10+

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    NPN+PNP 电流:4A;;;3A 电压:50V;;;40V
    型号：ZXTC6719MCTA 编号：C3198475
    封装：DFN-8(3x2)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：NPN晶体管:BVCEO > 50V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压（1A时最大100mV）。应用：DC

    • 1+

      ￥8.4

    • 10+

      ￥8.21

    • 30+

      ￥8.09
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    FZT857
    型号：FZT857 编号：C5245515
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    -

    • 1+

      ￥9.2

    • 10+

      ￥7.75

    • 30+

      ￥6.96
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    PNP 电流:6A 电压:20V
    型号：FZT948TA 编号：C151362
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-20V。 高连续集电极电流：IC =-6A。 峰值脉冲电流：ICM =-20A。 低饱和电压 VLF(sat)。 hFE 指定高达-20A，以实现高增益保持。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 1+

      ￥10.07

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    低饱和中功率晶体管 PNP 电流:6A 电压:60V
    型号：ZXT951KTC 编号：C445540
    封装：TO-252
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-60V。 RSAT = 53mΩ 典型值。 连续集电极电流 IC =-6A。 高达 15A 峰值电流。 低等效导通电阻。 低饱和电压。应用：DC-DC 转换器。 电源开关
    数据手册

    • 1+

      ￥13.82

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