美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DXTP03060BFG-7 编号：C5245640

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。小尺寸热高效封装。支持更高密度的终端产品。连续集电极电流 IC =-5.5A。峰值脉冲电流 ICM =-15A。低饱和电压 VCE(sat)<-70mV @-1A。应用：电机驱动。线路开关

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￥2.26
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￥2.21
30+
￥2.18

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型号：ZTX451 编号：C3198571

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：60V VCEO。 1A连续电流。 Ptot = 1W

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￥2.91
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￥2.85
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￥2.81
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￥2.77

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型号：FCX789ATA 编号：C5245535

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -25V。 Ic = -3A 高连续电流。 Icm = -8A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -320mV @ -3A。 hFE 指定高达 -8A，以保持高电流增益。互补 NPN 类型：FCX688B。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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￥3.11
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￥2.47
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￥2.2

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型号：ZXTN25012EZTA 编号：C5245569

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 12V。低饱和电压：VCE(sat) < 38mV @ 1A。 IC = 6.5A 高连续电流。 PD = 2.4W 功率耗散。 Rsat = 25mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：LED 驱动。电机驱动

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￥3.42
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￥2.73
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￥2.44
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￥2.07

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型号：ZTX692B 编号：C5245670

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：70伏VCEO。集电极电流为500mA时，增益为400。极低的饱和电压。应用：达林顿管替代品。继电器驱动器

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￥3.8
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￥3.72
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￥3.66
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￥3.61

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型号：FZT653QTA 编号：C526628

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 2A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 类型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，在 IATF 16949 认证工厂生产

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￥4.45
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￥3.62
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￥3.21

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型号：ZTX653STZ 编号：C2960362

封装：E-Line-3

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。连续电流：2A。低饱和电压。总功率（Ptot）：1W

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￥4.47
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￥4.38
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￥4.32

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型号：ZTX1051A 编号：C3198572

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：B(CEV) = 150V。极低饱和电压。高增益。固有低噪声。应用：应急照明。低噪声音频

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￥4.89
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￥4.78
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型号：DXTN3C100PSQ-13 编号：C3199322

封装：PowerDI-8(5x6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 3A 连续集电极电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。 RCE(SAT) < 150mΩ。额定温度为 +175℃，适用于高环境温度环境。可焊侧翼，便于光学检测。应用：电源管理。负载开关

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￥5.15
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￥4.19
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￥3.71

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型号：ZXTP19060CFFTA 编号：C445509

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款中压 PNP 晶体管专为需要高增益和低饱和电压的应用而设计。SOT23F 封装的引脚与行业标准 SOT23 封装兼容，同时在功率密度至关重要的应用中，能提供更低的外形和更高的功率耗散。

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￥5.16
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￥4.32
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￥3.9

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型号：ZXT1053AKQTC 编号：C460128

封装：TO-252-2

品牌：DIODES(美台)

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￥5.24
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￥5.13
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￥5.06
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￥4.99

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型号：FZT657QTA 编号：C672334

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。 BVCBO > 300V。 IC = 0.5A 高连续电流。 ICM = 1A 峰值脉冲电流。互补 PNP 型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性。具备 PPAP 能力

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￥5.57
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￥5.45
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￥5.37

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型号：FMMT723QTA 编号：C5249004

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A，高连续集电极电流。 ICM =-2.5A，峰值脉冲电流。低饱和电压VCE(sat) <-330mV @-1A。 RCE(sat) = 210mΩ，低等效导通电阻。 625mW功率耗散。应用：高端驱动器。负载断开开关

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￥6.2
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￥5.12
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￥4.59

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型号：FZT1053AQTA 编号：C19950356

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

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￥7.98
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￥7.82
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型号：FZT855QTA 编号：C19950357

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

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￥10.71
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￥10.5
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型号：MMDT3904-7-F 编号：C83572

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，适用于中功率放大和开关。超小型表面贴装封装。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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单价：
￥0.136043 / 个

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型号：AC857BSQ-7 编号：C3200383

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

10+
￥0.2907
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￥0.285
300+
￥0.2812

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型号：AC857BSQ-7 编号：C5248457

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

10+
￥0.2907
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￥0.285
300+
￥0.2812

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型号：MMSTA56-7-F 编号：C460239

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补NPN类型。适用于低功率放大和开关。超小型表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

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￥0.3141
50+
￥0.3075
150+
￥0.303

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型号：BC848BW-7-F 编号：C5248617

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。互补PNP类型。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.335
2500+
￥0.3184

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型号：MMST5401Q-7-F 编号：C5249114

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。理想的低功率放大和开关应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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￥0.3462
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￥0.3394
150+
￥0.3348

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型号：AMBTA92Q-7 编号：C5244325

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥0.3491
50+
￥0.3422
150+
￥0.3376

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型号：2DA1774QLP-7B 编号：C5248450

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高集电极电流：IC = -100mA。功耗：PD = 1W。封装占地面积：0.6mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，最小化板外轮廓。互补NPN类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

5+
￥0.3634
50+
￥0.3549
150+
￥0.3492

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型号：BC847BLP4-7B 编号：C5248612

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。高集电极电流：IC = 100mA。功耗：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。互补PNP类型：BC857BLP4。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的产品（单独的数据手册中提供）

5+
￥0.3832
50+
￥0.3751
150+
￥0.3697

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型号：BC847PNQ-7R-F 编号：C5248616

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥0.3842
50+
￥0.3766
150+
￥0.3716

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型号：DSS5220V-7 编号：C69958

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型。低集电极-发射极饱和电压。高集电极电流时具有高电流增益。适合自动组装的表面贴装封装。超小型表面贴装封装。无铅/符合RoHS标准。 “绿色设备”

数据手册

5+
￥0.4732
50+
￥0.4639
150+
￥0.4577

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型号：DP0150BLP4-7B 编号：C5245590

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -50V。高集电极电流：Ic = -100mA。功率耗散：Pd = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。低封装高度：0.4mm，减少板外轮廓。互补NPN类型：DN0150BLP4。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.4738
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￥0.4627
150+
￥0.4553

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型号：DCP69A-13 编号：C5245527

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS合规。 “绿色”器件

5+
￥0.4747
50+
￥0.4653
150+
￥0.4591

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型号：BCX5116TA 编号：C460007

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

数据手册

5+
￥0.5024
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￥0.4917
150+
￥0.4845

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型号：DSS2515M-7B 编号：C526590

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 15V。IC = 500mA 高集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。PD = 1000mW 功率耗散。低集电极-发射极饱和电压，VCE(sat)。0.60mm² 封装尺寸，比 SOT23 小 13 倍。0.5mm 封装高度，减少板外轮廓。互补 PNP 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性

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