美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DZT2907A-13 编号：C151332

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。外延平面管芯结构。非常适合自动化组装工艺。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑，“绿色”器件。应用：中功率放大和开关

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型号：ZXTN617MATA 编号：C526808

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 15V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 45mΩ，等效导通电阻低。 hEE 在高达 12A 时仍有高电流增益。低外形 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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型号：FMMT555TA 编号：C155495

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V。高连续集电极电流：IC = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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型号：DMMT3906WQ-7-F 编号：C526574

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。一对本质匹配的 PNP 晶体管。电流增益（hFE）匹配度为 2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为 2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

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型号：BSR43TA 编号：C151616

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 80V。 IC = -1A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 250mV @ 150mA。互补型 BSR33。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

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￥0.983906 / 个

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型号：MMDTA42-7-F 编号：C443639

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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型号：FCX493QTA 编号：C5381666

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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型号：MMBT3904FZ-7B 编号：C5249034

封装：DFN-3(0.6x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 高集电极电流。 PD = 925mW 功率耗散。 0.36mm² 封装尺寸，比 DFN1006 小 40%。 0.4mm 低封装高度，减少板外轮廓。互补 PNP 型 MMBT3906FZ。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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型号：MJD31CUQ-13 编号：C6091653

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 Ic = 3A 高连续集电极电流。 IcM = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，在 IATF16949 认证工厂生产

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型号：ZXTP07012EFFTA 编号：C508266

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这种低压PNP晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

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￥1.9026 ￥4.53
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型号：ZUMT718TA 编号：C443650

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。连续集电极电流 IC = -1A。峰值脉冲电流 ICM = -3A。低饱和电压：最大 250mV @ IC = -1A。 RCE(SAT) = 200mΩ @ 1A，低等效导通电阻。功率耗散 500mW。高达 3A 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型：ZUMT618。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性

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型号：FMMT6520TA 编号：C151360

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -350V。最大连续集电极电流 IC = -500mA。 330mW 功率耗散。互补零件编号 FMMT6517。无铅，符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。应用：电源开关

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型号：ZXTD6717E6TA 编号：C155321

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：Pd = 1.1W in SOT26 Package。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：高效驱动功能，包括电机、灯具、继电器和螺线管

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￥2.9614 ￥4.42
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￥2.0022 ￥4.26
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型号：BC857BFZ-7B 编号：C6129194

封装：X2-DFN0606-3

品牌：DIODES(美台)

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￥3.08
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￥2.26
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型号：ZXTN25050DFHTA 编号：C155350

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < 60mV @ 1A。外延平面芯片结构。高峰值电流和增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。 DC 风扇

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型号：ZXTN19100CGTA 编号：C526801

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 Ic = 5.5A 连续集电极电流。 IcM = 10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 65mV @ 1A。 RSAT = 43mΩ @ Ic = 6A，低等效导通电阻。 hFE 指定至 5.5A，高增益保持。应用：线路开关。电机驱动（包括直流风扇）

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型号：FCX1051ATA 编号：C460069

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 3.0A 连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 25mV @ 200mA。 Rsat = 57mΩ，低等效导通电阻。 PD = 2W 功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。频闪闪光灯

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型号：FZT853 编号：C5245658

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 6A，高连续集电极电流。 ICM = 10A，峰值脉冲电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ，低等效导通电阻。 hFE指定至10A，高增益保持。互补PNP类型：FZT953。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

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型号：ZTX1048A 编号：C461815

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：VCEV = 50V。极低的饱和电压。高增益。 20A脉冲电流。应用：LCD背光转换器。应急照明

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￥6.3602 ￥8.26
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￥5.5342 ￥8.26
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型号：ZXTP2012ASTZ 编号：C5245680

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

封装在 E 型轮廓中，这款新型 60V PNP 低饱和晶体管具有极低的导通状态损耗，非常适合用于 DC-DC 电路以及各种驱动和电源管理功能。

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￥7.15
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￥5.14
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型号：ZTX949 编号：C5245620

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：4.5安培连续电流。高达20安培峰值电流。极低饱和电压。高达20安培时具有出色增益。极低泄漏。低至10mA时具有出色的增益线性度。提供Spice模型

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型号：MMBT2222AQ-7-F 编号：C526671

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 150mA。互补PNP型。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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￥0.153907 / 个

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型号：2DC4617QLP-7 编号：C526217

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 Ic = 100mA 高集电极电流。 PD = 1000mW 功耗。 0.60mm² 封装尺寸，比 SOT23 小 13 倍。 0.5mm 封装高度，减少板外轮廓。互补 PNP 型 2DA1774QLP。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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