美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BC856AS-7 编号：C151329

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-65V，Ic =-100mA。高集电极电流。有互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。有符合汽车应用标准的型号

数据手册

10+
￥0.3582
100+
￥0.2911
300+
￥0.2576

有货

立即购买

型号：MMBT2907AQ-7-F 编号：C526673

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，适用于低功率放大和开关。互补NPN类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用。 AEC-Q101合格，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产。封装：SOT23。封装材料：模塑塑料，“绿色”化合物。 UL可燃性分类等级94V-0。湿度敏感度：符合J-STD-020的1级。引脚：哑光镀锡引线，可根据MIL-STD-202方法208焊接。重量：约0.008克

数据手册

15000+
￥0.14375
15000+
￥0.14

我要订货

型号：MMBTA56Q-7-F 编号：C3151707

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.472
100+
￥0.3763
300+
￥0.3285

有货

立即购买

型号：MMBT4401T-7-F 编号：C144154

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。集电极电流 IC = 600mA。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 PNP 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.5765
50+
￥0.4685
150+
￥0.4145
500+
￥0.374

有货

立即购买

型号：BC847BVCQ-7 编号：C5260570

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.6455
50+
￥0.6318
150+
￥0.6226
500+
￥0.6135

有货

立即购买

型号：MMBTA56 编号：C5245662

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.6996
2500+
￥0.6703

有货

立即购买

型号：BCP5316TA 编号：C460000

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V,-60V &-80V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

数据手册

5+
￥0.7792
50+
￥0.7635
150+
￥0.753

有货

立即购买

型号：2DD1664Q-13 编号：C460644

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 32V。最大连续电流 IC = 1A。外延平面管芯结构。有互补 PNP 类型。适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.805117 ￥1.1029
50+
￥0.680085 ￥1.0795
150+
￥0.563814 ￥1.0638
500+
￥0.555546 ￥1.0482

有货

立即购买

型号：FMMT589TA 编号：C443645

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 IC = -1A 连续集电极电流。 ICM = -2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -350mV @ -1A。 RSAT = 250mΩ，等效导通电阻低。互补 NPT 类型。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.9098
50+
￥0.8942
150+
￥0.8837

有货

立即购买

型号：FCX790ATA 编号：C155511

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-2A 连续电流。 ICM =-6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-500mA。 PD = 2W 功耗。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1000+
￥0.5424
2000+
￥0.53336
4000+
￥0.5198
8000+
￥0.4972

我要订货

型号：ZXTN617MATA 编号：C526808

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 15V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 45mΩ，等效导通电阻低。 hEE 在高达 12A 时仍有高电流增益。低外形 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥1.022 ￥1.4
10+
￥0.8631 ￥1.37
30+
￥0.7155 ￥1.35
100+
￥0.7049 ￥1.33

有货

立即购买

型号：FMMTL618TA 编号：C90478

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：极低的等效导通电阻；在1.25A时，RCE(sat) = 140mΩ

数据手册

5+
￥1.236165 ￥2.0265
50+
￥0.983686 ￥1.6126
150+
￥0.875472 ￥1.4352
500+
￥0.740479 ￥1.2139
3000+
￥0.680333 ￥1.1153
6000+
￥0.644282 ￥1.0562

有货

立即购买

型号：BST39TA 编号：C151615

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 350V。高连续电流：IC = 0.5A。峰值脉冲电流：ICM = 1A。高HFE保持。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，绿色环保器件

数据手册

9000+
￥0.805114
18000+
￥0.784645
27000+
￥0.757353
54000+
￥0.736884

我要订货

型号：MMBT3904FZ-7B 编号：C5249034

封装：DFN-3(0.6x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 高集电极电流。 PD = 925mW 功率耗散。 0.36mm² 封装尺寸，比 DFN1006 小 40%。 0.4mm 低封装高度，减少板外轮廓。互补 PNP 型 MMBT3906FZ。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

1+
￥1.66
10+
￥1.62
30+
￥1.6

有货

立即购买

型号：MJD350-13 编号：C460225

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -300V。 IC = -0.5A 连续集电极电流。 ICM = -0.75A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.6614
50+
￥1.3428
150+
￥1.2062

有货

立即购买

型号：SXTA42TA 编号：C151023

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。高连续电流：IC = 500mA。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.8537
50+
￥1.4668
150+
￥1.301

有货

立即购买

型号：FCX1051ATA 编号：C460069

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 3.0A 连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 25mV @ 200mA。 Rsat = 57mΩ，低等效导通电阻。 PD = 2W 功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。频闪闪光灯

数据手册

1+
￥2.01
10+
￥1.97
30+
￥1.94

有货

立即购买

型号：ZXTP07012EFFTA 编号：C508266

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这种低压PNP晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

数据手册

1+
￥2.2197 ￥4.53
10+
￥1.7277 ￥4.43
30+
￥1.2673 ￥4.37
100+
￥1.247 ￥4.3

有货

立即购买

型号：FZT653QTA 编号：C526628

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 2A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 类型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，在 IATF 16949 认证工厂生产

数据手册

1+
￥2.6904 ￥4.72
10+
￥1.833 ￥3.9
30+
￥1.2913 ￥3.49
100+
￥1.1396 ￥3.08
500+
￥1.0064 ￥2.72
1000+
￥0.9583 ￥2.59

有货

立即购买

型号：DXTN07100BFG-7 编号：C5245638

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品。 IC = 2A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) < 250mV @ 1A。互补 PNP 型。应用：负载开关。线性稳压器

1+
￥2.95
10+
￥2.34
30+
￥2.07

有货

立即购买

型号：ZXTNS618MCTA 编号：C445510

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 20V。连续集电极电流IC = 4.5A。低饱和电压：最大150mV（@1A）。应用：DC-DC转换器

数据手册

1+
￥3.285 ￥10.95
10+
￥2.142 ￥10.71
30+
￥1.055 ￥10.55
100+
￥1.039 ￥10.39

有货

立即购买

型号：ZXTN19020DZTA 编号：C526800

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。 IC = 7.5A 连续电流。低饱和电压 VCE(sat)< 35mV @ 1A。 Rsat = 27mΩ，低等效导通电阻。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：应急照明电路。电机驱动

数据手册

1+
￥3.774 ￥5.1
10+
￥3.1936 ￥4.99
30+
￥2.6568 ￥4.92
100+
￥2.619 ￥4.85

有货

立即购买

型号：ZXTN19100CGTA 编号：C526801

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 Ic = 5.5A 连续集电极电流。 IcM = 10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 65mV @ 1A。 RSAT = 43mΩ @ Ic = 6A，低等效导通电阻。 hFE 指定至 5.5A，高增益保持。应用：线路开关。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

1+
￥3.9294 ￥5.31
10+
￥3.3216 ￥5.19
30+
￥2.7648 ￥5.12
100+
￥2.7216 ￥5.04

有货

立即购买

型号：ZXTD09N50DE6TA 编号：C460132

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 IC = 1A，高连续电流。高增益。 RSAT = 160mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VCE(sat) < -270mV @ 1A。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。应用：LCD 背光逆变器电路。 DC-DC 转换器中的升压功能

数据手册

1+
￥5.06
10+
￥4.17
30+
￥3.72

有货

立即购买

型号：DXTN3C100PSQ-13 编号：C3199322

封装：PowerDI-8(5x6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 3A 连续集电极电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。 RCE(SAT) < 150mΩ。额定温度为 +175℃，适用于高环境温度环境。可焊侧翼，便于光学检测。应用：电源管理。负载开关

1+
￥5.15
10+
￥4.19
30+
￥3.71

有货

立即购买

型号：ZX5T953GTA 编号：C212612

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -5A 高连续集电极电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -90mV @ -1A。 RSAT = 60mΩ 低等效导通电阻。 HFE 指定至 -10A 以实现高增益保持。应用：电机驱动。线路开关

数据手册

1+
￥5.69
10+
￥4.71
30+
￥4.21

有货

立即购买

型号：ZDT6753TA 编号：C155336

封装：SOT-223-8

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 100V。IC = 2A，高连续电流。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。 PNP晶体管：BVCEO > -100V。IC = -2A，高连续电流。低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

数据手册