美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DSS4320T-7 编号：C443631

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。有互补PNP类型可供选择。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥0.7043
50+
￥0.5729
150+
￥0.5072
500+
￥0.458

有货

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型号：BCP5216TA 编号：C260865

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V,-60V &-80V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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5+
￥0.7691
50+
￥0.6249
150+
￥0.5528

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型号：DSS20201L-7 编号：C460058

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于中功率放大和开关。有互补PNP类型。超低集电极-发射极饱和电压。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥0.7839
50+
￥0.637
150+
￥0.5636

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型号：DSS4160T-7 编号：C460206

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 280 mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VCE(sat) < 280 mV @ 1A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

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5+
￥0.8005
50+
￥0.7825
150+
￥0.7706

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型号：ZUMT718TA 编号：C443650

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。连续集电极电流 IC = -1A。峰值脉冲电流 ICM = -3A。低饱和电压：最大 250mV @ IC = -1A。 RCE(SAT) = 200mΩ @ 1A，低等效导通电阻。功率耗散 500mW。高达 3A 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型：ZUMT618。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性

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5+
￥0.8978
50+
￥0.8812
150+
￥0.8701

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型号：BSR33TA 编号：C129775

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。 IC = -1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -150mA。互补型 BSR43。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。 solenoid、继电器和执行器驱动器

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5+
￥0.9596
50+
￥0.9405
150+
￥0.9278

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型号：DXTA42-13 编号：C460876

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS合规。 “绿色”器件

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5+
￥1.0011
50+
￥0.8269
150+
￥0.7398

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型号：FMMT494QTA 编号：C2974178

封装：TO-236-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 120V。Ic = 1A 连续集电极电流。IcM = 2A 峰值脉冲电流。500mW 功率耗散。hFE 特性高达 1A，用于高电流增益保持。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备 PPAP 能力

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5+
￥1.191255 ￥1.8327
50+
￥0.802065 ￥1.4583
150+
￥0.584055 ￥1.2979
500+
￥0.49401 ￥1.0978
3000+
￥0.45387 ￥1.0086
6000+
￥0.42984 ￥0.9552

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型号：FMMT593TC 编号：C3199958

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压。高达 IC =-1A 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型。应用：高端驱动器。负载断开开关

5+
￥1.2342
50+
￥1.21
150+
￥1.1938
500+
￥1.1776

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型号：MMDTA42-7-F 编号：C443639

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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50+
￥0.675
500+
￥0.625
1000+
￥0.6
5000+
￥0.575
10000+
￥0.55

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型号：DNLS350E-13 编号：C150752

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 3.0A 高连续电流。极低的等效导通电阻；RCE(SAT) 在 2A 时为 62mΩ。互补 PNP 型：DPLS350E。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。应用：适用于中功率开关或放大应用

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5+
￥1.317
50+
￥1.048
150+
￥0.9328

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型号：FCX493QTA 编号：C5381666

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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5+
￥1.3608
50+
￥1.0741
150+
￥0.9512

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型号：DMMT3906WQ-7-F 编号：C526574

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。一对本质匹配的 PNP 晶体管。电流增益（hFE）匹配度为 2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为 2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

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5+
￥1.3836
50+
￥1.3558
150+
￥1.3373

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型号：ZXTP717MATA 编号：C526818

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。 IC = -4A 连续集电极电流。低饱和电压（-140mV 最大值 @ -1A）。 RSAT = 60mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定高达 -10A，高电流增益保持。低外形 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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1+
￥1.6065 ￥2.55
10+
￥1.0759 ￥2.03
30+
￥0.7783 ￥1.81
100+
￥0.6579 ￥1.53
500+
￥0.6063 ￥1.41
1000+
￥0.5719 ￥1.33

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型号：DSS4540X-13 编号：C526592

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：互补PNP类型可用。超低集电极-发射极饱和电压。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/RuHS合规。 “绿色”器件

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5+
￥1.9043
50+
￥1.5657
150+
￥1.4206

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型号：MJD32C-13 编号：C460727

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -3A 高连续集电极电流。 ICM = -5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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5+
￥1.979
50+
￥1.5994
150+
￥1.4367

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型号：ZXTP25100CFHTA 编号：C156340

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。最大连续集电极电流 IC = -1A。 VCE(sat) < -220mV @ -1A。 RCE(sat) = 150mΩ。 7V 反向阻断电压。高峰值电流。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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1+
￥2.15
10+
￥2.11
30+
￥2.09

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型号：FMMT6520TA 编号：C151360

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -350V。最大连续集电极电流 IC = -500mA。 330mW 功率耗散。互补零件编号 FMMT6517。无铅，符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。应用：电源开关

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5+
￥2.2538
50+
￥1.813
150+
￥1.6241

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型号：FZT649TA 编号：C14091

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 25V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 8A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件

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5+
￥2.5957
50+
￥2.0979
150+
￥1.8845

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型号：DSS45160FDB-7 编号：C2960351

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

特性：互补NPN/PNP NPN晶体管。 BVCEO > 60V，IC = 1A，高连续集电极电流。低饱和电压：VCE(sat) < 220mV @1A（NPN晶体管）。 PNP晶体管：BVCEO > -60V，IC = -1A，高连续集电极电流。低饱和电压：VCE(sat) < -340mV @ -1A。 Pp高达2.47W，适用于高功率需求应用。应用：栅极驱动。负载开关

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6000+
￥1.221333
12000+
￥1.21033
18000+
￥1.188324

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型号：ZXTP2014GTA 编号：C110539

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A，高连续集电极电流。 ICM = -10A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至 -10A，高增益保持。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性

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1+
￥3.36
10+
￥2.72
30+
￥2.44
100+
￥2.1

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型号：ZXTN25050DFHTA 编号：C155350

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < 60mV @ 1A。外延平面芯片结构。高峰值电流和增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。 DC 风扇

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1+
￥3.75
10+
￥3
30+
￥2.68
100+
￥2.28

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型号：ZXTN2020FTA 编号：C460288

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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1+
￥3.94
10+
￥3.26
30+
￥2.92

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型号：ZXTP23015CFHTA 编号：C155252

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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1+
￥5.27
10+
￥4.42
30+
￥3.99
100+
￥3.56

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型号：ZXTP25100CZTA 编号：C151344

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 BVECO > -7V。 Ic = -1A 连续集电极电流。 Icm = -3A 峰值集电极电流。 VCE(SAT) < -225mV @ -1A。 RCE(SAT) = 155mΩ，低等效导通电阻。互补NPN类型：ZXTN25100DZ。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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