美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AC847CQ-7 编号：C5553126

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

10+
￥0.1913
100+
￥0.1867
300+
￥0.1837

有货

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型号：MMBT5551-7-F 编号：C87893

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。适用于低功率放大和开关。有互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

3000+
￥0.1188
9000+
￥0.11385
27000+
￥0.11088
36000+
￥0.1089

我要订货

型号：MMDT3904-7-F 编号：C83572

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，适用于中功率放大和开关。超小型表面贴装封装。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

63000+
￥0.1134
189000+
￥0.108675
567000+
￥0.10584
756000+
￥0.10395

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型号：BC846AS-7 编号：C151419

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 65V。超小表面贴装封装。非常适合自动插入。适用于开关和音频放大器应用。有互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

10+
￥0.382
100+
￥0.3138
300+
￥0.2798

有货

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型号：DP0150BLP4-7 编号：C17386170

封装：X2-DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -50V。高集电极电流：Ic = -100mA。功率耗散：Pd = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。低封装高度：0.4mm，减少板外轮廓。互补NPN类型：DN0150BLP4。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.479
50+
￥0.4689
150+
￥0.4622
500+
￥0.4555

有货

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型号：DSS3540M-7B 编号：C5245592

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。集电极电流高：IC =-500mA。峰值脉冲电流：ICM =-1A。功耗：PD = 1000mW。集电极-发射极饱和电压低。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，减少板外轮廓。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，可靠性高

5+
￥0.6513
50+
￥0.6383
150+
￥0.6296

有货

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型号：BCX5416TA 编号：C460010

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。外延平面芯片结构。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

数据手册

5+
￥0.7469
50+
￥0.7325
150+
￥0.7228

有货

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型号：BC56-16PA-7 编号：C5245627

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 80V。高连续集电极电流：IC = 1A。峰值脉冲电流：ICM = 2A。功率耗散：520mW。低饱和电压：VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。互补PNP类型。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

5+
￥0.9645
50+
￥0.9459
150+
￥0.9335

有货

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型号：BCX5210TA 编号：C5248636

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V、-60V 和-80V。 IC =-1A 连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VUCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。互补 NPN 类型：BCX54、55 和 56。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

5+
￥0.9911
50+
￥0.8114
150+
￥0.7216

有货

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型号：FCX491TA 编号：C156315

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。连续集电极电流 IC = 1A。峰值脉冲电流 ICM = 2A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。高达 2A 电流增益保持特性的 hFE。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性。具备 PPAP 能力

数据手册

1000+
￥1.1033
3000+
￥1.07525
10000+
￥1.0472

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型号：DSS20200L-7 编号：C508212

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。连续集电极电流 IC = -2A。峰值脉冲电流 ICM = -4A。低饱和电压 VUE(sat) < -120mV @ -1A。低等效导通电阻 RCE(sat) = 40mΩ。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

15000+
￥0.53712
30000+
￥0.528168
60000+
￥0.51474
120000+
￥0.49236

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型号：DST857BDJ-7 编号：C7544597

封装：SOT-963

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，非常适合自动化组装工艺。提供互补NPN类型。超小封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥1.1309
50+
￥0.9202
150+
￥0.8299

有货

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型号：FCX619TA 编号：C460071

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 IC = 3A 高连续集电极电流。 ICM 高达 6A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) < 220mV @ 1A。 RCE(sat) = 87mΩ @ 2.75A，低等效导通电阻。应用：负载管理功能。电机控制

数据手册

5+
￥1.1492
50+
￥1.127
150+
￥1.1122

有货

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型号：MMSTA06Q-7-F 编号：C3200325

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

这种双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥1.1694
50+
￥1.146
150+
￥1.1304

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型号：BC857BSQ-7-F 编号：C17638061

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

5+
￥1.3326
50+
￥1.3072
150+
￥1.2903

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型号：FMMT549ATA 编号：C5370212

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：最大连续集电极电流 30V，Ic = -1A。 500mW 功率耗散。互补类型：FMMT549-FMMT449、FMMT549A-N/A。无铅，符合 Kroll 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

1+
￥1.7
10+
￥1.67
30+
￥1.65

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型号：DZT5401-13 编号：C460883

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V。 IC = -600mA高集电极电流。适用于中功率开关或放大应用。互补PNP类型：DZT5551。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：放大器。电源

数据手册

10000+
￥0.716142
20000+
￥0.697935
30000+
￥0.673659
60000+
￥0.655452

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型号：ZXTP01500BGTC 编号：C5245523

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -500V。 Ic = -150mA 高连续电流。 IcM = -500mA 峰值脉冲电流。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（单独的数据手册中有相关信息）

1+
￥1.97
10+
￥1.93
30+
￥1.9

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型号：DZTA92-13 编号：C5205190

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补 NPN 类型。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥2.1278
50+
￥1.7624
150+
￥1.6058

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型号：MMDT5451Q-7 编号：C17303925

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

1+
￥2.24
10+
￥2.2
30+
￥2.17

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型号：FMMT617 编号：C5245536

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 15V。 IC = 3A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 50mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 12A 以实现高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。稳压器

1+
￥2.31
10+
￥2.27
30+
￥2.24

有货

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型号：FZT589TA 编号：C5245602

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。集电极电流 IC = -1A，连续电流高。高达 -2A 时具有出色的 hFE 特性。低饱和电压 VCE(sat) < -0.35V @ -1A。互补 NPN 类型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合 JEDEC 高可靠性标准

1+
￥2.67
10+
￥2.62
30+
￥2.58

有货

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型号：ZXTN25012EZTA 编号：C5245569

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 12V。低饱和电压：VCE(sat) < 38mV @ 1A。 IC = 6.5A 高连续电流。 PD = 2.4W 功率耗散。 Rsat = 25mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：LED 驱动。电机驱动

1+
￥3.42
10+
￥2.73
30+
￥2.44
100+
￥2.07

有货

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型号：FCX688BTA 编号：C151047

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 12V。 IC = 3.0A 连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 40mV @ 100mA。互补 PNP 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

1+
￥3.53
10+
￥2.88
30+
￥2.6

有货

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型号：BCP53TA 编号：C526470

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V,-60V &-80V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

数据手册

1+
￥4.08
10+
￥3.33
30+
￥2.95

有货

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型号：ZXTN23015CFHTA 编号：C156307

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计已被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

1+
￥4.74
10+
￥3.88
30+
￥3.46
100+
￥3.03

有货

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型号：ZXTP19060CFFTA 编号：C445509

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款中压 PNP 晶体管专为需要高增益和低饱和电压的应用而设计。SOT23F 封装的引脚与行业标准 SOT23 封装兼容，同时在功率密度至关重要的应用中，能提供更低的外形和更高的功率耗散。

数据手册

1+
￥4.91
10+
￥4.07
30+
￥3.65

有货

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型号：FZT949TA 编号：C155288

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。高连续集电极电流：IC = -5.5A。峰值脉冲电流：IC = -20A。低饱和电压：VCE(sat) < -140mV @ -1A。 hFE 指定至 -20A，实现高增益保持。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。该器件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

数据手册

1+
￥5.2
10+
￥4.25
30+
￥3.78

有货

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型号：ZXT1053AKQTC 编号：C460128

封装：TO-252-2

品牌：DIODES(美台)

数据手册

1+
￥5.38
10+
￥5.27
30+
￥5.2
100+
￥5.13

有货

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型号：FMMT495QTA 编号：C460078

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

1+
￥5.87
10+
￥5.75
30+
￥5.67

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