美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：X2-DFN1006-3

特性：BVCEO > -50V。高集电极电流：Ic = -100mA。功率耗散：Pd = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。低封装高度：0.4mm，减少板外轮廓。互补NPN类型：DN0150BLP4。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.479
50+
￥0.4689
150+
￥0.4622
500+
￥0.4555

有货

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型号：DSS4320T-7 编号：C443631

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。有互补PNP类型可供选择。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥0.6307
50+
￥0.4993
150+
￥0.4337
500+
￥0.3844

有货

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型号：FMMT494TA 编号：C460077

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 120V。连续集电极电流 Ic = 1A。峰值脉冲电流 ICM = 2A。功率耗散 500mW。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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5+
￥0.8014
50+
￥0.7856
150+
￥0.775

有货

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型号：BCX5510TA 编号：C526477

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

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5+
￥0.8831
50+
￥0.8628
150+
￥0.8492

有货

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型号：BCX51TA 编号：C460008

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V、-60V 和-80V。 IC =-1A 连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VUCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。互补 NPN 类型：BCX54、55 和 56。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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单价：
￥0.883591 / 个

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型号：DSS20200L-7 编号：C508212

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -20V。连续集电极电流 IC = -2A。峰值脉冲电流 ICM = -4A。低饱和电压 VUE(sat) < -120mV @ -1A。低等效导通电阻 RCE(sat) = 40mΩ。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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15+
￥0.67344
30+
￥0.650992
60+
￥0.639768
120+
￥0.61732

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型号：DST857BDJ-7 编号：C7544597

封装：SOT-963

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，非常适合自动化组装工艺。提供互补NPN类型。超小封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥1.1309
50+
￥0.9202
150+
￥0.8299

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型号：2DA1797-13 编号：C459827

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。有互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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2500+
￥0.59
2500+
￥0.575
10000+
￥0.56

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型号：FMMT560 编号：C5245507

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-500V。 IC =-150mA 高连续集电极电流。 ICM 高达-500mA 峰值脉冲电流。高达 IC =-100mA 时具有出色的 hFE 特性。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

1+
￥1.4
10+
￥1.38
30+
￥1.36

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型号：DZT5401-13 编号：C460883

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V。 IC = -600mA高集电极电流。适用于中功率开关或放大应用。互补PNP类型：DZT5551。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：放大器。电源

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2500+
￥0.708
2500+
￥0.69
10000+
￥0.672

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型号：DZTA92-13 编号：C5205190

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补 NPN 类型。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

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5+
￥2.0118
50+
￥1.6464
150+
￥1.4898

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型号：MJD32CUQ-13 编号：C460728

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-3A 高连续集电极电流。 ICM =-5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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1+
￥2.1
10+
￥2.05
30+
￥2.02
100+
￥1.99

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型号：FCX593TA 编号：C150477

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -1A，高连续集电极电流。 ICM = -2A，峰值集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -250mA。互补NPN类型：FCX493。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥2.1715
50+
￥1.728
150+
￥1.5379

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型号：ZXTN25020DFHTA 编号：C508264

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计，使这款小外形晶体管的功率处理和性能达到最大化。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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5+
￥2.34
50+
￥1.8621
150+
￥1.6572

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型号：ZXTN25040DZTA 编号：C460143

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 5.0A 连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 60mV @ 1A。 Rsat = 38mΩ，低等效导通电阻。 PD = 2.4W 功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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1+
￥2.43
10+
￥2.38
30+
￥2.35

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型号：ZX5T3ZTA 编号：C155311

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高连续电流：Ic = -5.5A。峰值脉冲电流：ICM = -15A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 29mΩ。低饱和电压：VCE(sat) < -60mV @ -1A。高电流增益保持：hFE 指定至 -10A。应用：充电电路。 DC-DC 转换器

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1+
￥2.68
10+
￥2.62
30+
￥2.58
100+
￥2.54

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型号：ZXTN620MATA 编号：C526809

封装：W-DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 80V。 IC = 3.5A 连续集电极电流。低饱和电压（最大185mV @ 1A）。 RSAT = 68mΩ，等效导通电阻低。 hFE 规定高达 5A，以保持高电流增益。低轮廓，高度 0.6mm，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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1+
￥2.79
10+
￥2.25
30+
￥2.02

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型号：ZX5T953GTA 编号：C212612

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -5A 高连续集电极电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -90mV @ -1A。 RSAT = 60mΩ 低等效导通电阻。 HFE 指定至 -10A 以实现高增益保持。应用：电机驱动。线路开关

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1+
￥2.83
10+
￥2.76
30+
￥2.72

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型号：DXTN07100BFG-7 编号：C5245638

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品。 IC = 2A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) < 250mV @ 1A。互补 PNP 型。应用：负载开关。线性稳压器

1+
￥2.95
10+
￥2.34
30+
￥2.07

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型号：FZT651QTC 编号：C5249014

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

1+
￥3.3
10+
￥3.23
30+
￥3.18

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型号：FZT653TC 编号：C780850

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。高连续电流：IC = 2A。峰值脉冲电流：ICM = 6A。低饱和电压：VCE(SAT) < 300mV @ 1A。互补PNP类型。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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1+
￥3.3
10+
￥2.61
30+
￥2.32

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型号：FZT591ATA 编号：C460217

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-1A，高连续电流。低饱和电压VCE(SAT) <-500mV @-1A。互补NPN类型。无铅涂层；符合ROHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率MOSFET和IGBT栅极驱动。低损耗功率开关

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1+
￥3.89
10+
￥3.17
30+
￥2.81

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型号：ZTX792ASTZ 编号：C3198569

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：70 伏 VCEO。集电极电流（Ic）为 3 安培时增益为 400。极低的饱和电压。应用：达林顿管替代品。闪光灯转换器

1+
￥4.05
10+
￥3.96
30+
￥3.9

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型号：ZX5T853GTA 编号：C2917583

封装：SOT-223-4

品牌：DIODES(美台)

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1+
￥4.32
10+
￥4.22
30+
￥4.14
100+
￥4.07

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型号：ZTX957 编号：C5843395

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流 1A。峰值电流高达 2A。极低的饱和电压。高达 1A 时具有出色的增益特性。提供 Spice 模型

1+
￥5.31
10+
￥5.18
30+
￥5.09

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型号：ZXTD09N50DE6TA 编号：C460132

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 IC = 1A，高连续电流。高增益。 RSAT = 160mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VCE(sat) < -270mV @ 1A。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。应用：LCD 背光逆变器电路。 DC-DC 转换器中的升压功能

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1+
￥5.32
10+
￥4.43
30+
￥3.98

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型号：FMMT495QTA 编号：C460078

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

1+
￥5.87
10+
￥5.75
30+
￥5.67

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型号：ZTX657STZ 编号：C5843382

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：300 伏 VCEO。 0.5 安连续电流。 Ptot = 1 瓦

1+
￥7.65
10+
￥6.52
30+
￥5.9
100+
￥5.2

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型号：FZT690B 编号：C5245603

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。 BVCBO > 45V。 IC = 3.0A 高连续电流。 hFE > 400 @ 1A 且饱和电压低。 RCE(SAT) = 125mΩ @ 2A，等效导通电阻低。极低饱和电压。应用：达林顿管替代。闪光灯转换器和电池供电电路

1+
￥7.78
10+
￥7.62
30+
￥7.52

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型号：ZTX758 编号：C5245522

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。高连续集电极电流：Ic = -0.5A。峰值脉冲电流：Icm = -1A。最高结温可达 +200℃，适合高温操作。低饱和电压 < -0.25V @ -50mA。功耗：Pd = 1W。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

1+
￥8.63
10+
￥8.47
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