美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DSS4160U-7 编号：C155512

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。低集电极-发射极饱和电压，VCE(SAT)。有互补PNP类型。超小表面贴装封装。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色器件”

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5+
￥0.4534
50+
￥0.4437
150+
￥0.4373

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型号：BC817-25W-7 编号：C526460

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：理想适用于自动插入。外延平面管芯结构。互补PNP类型。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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3000+
￥0.15088
9000+
￥0.146944

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型号：MMBTA92Q-7-F 编号：C5197493

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

PNP, 300V, 0.5A, SOT23

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10+
￥0.4784
100+
￥0.3912
300+
￥0.3476

有货

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型号：DSS8110Y-7 编号：C460722

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

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5+
￥0.5507
50+
￥0.4405
150+
￥0.3854

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型号：BC847BVCQ-7 编号：C5260570

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥0.6455
50+
￥0.6318
150+
￥0.6226
500+
￥0.6135

有货

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型号：FMMT493TC 编号：C3003070

封装：TO-236-3

品牌：DIODES(美台)

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5+
￥0.6653
50+
￥0.5409
150+
￥0.4787
500+
￥0.4321

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型号：MMBTA56 编号：C5245662

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

5+
￥0.6996
2500+
￥0.6703

有货

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型号：BCX55TA 编号：C507910

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。外延平面芯片结构。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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单价：
￥0.647234 / 个

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型号：BCP54TA 编号：C460001

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于音频驱动和输出级。高集电极电流和低Vce(sat)

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5+
￥1.0571
50+
￥0.8444
150+
￥0.7533

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型号：MMSTA06Q-7-F 编号：C3200325

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

这种双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥1.1694
50+
￥1.146
150+
￥1.1304

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型号：BC817-16W-7 编号：C5576771

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：理想适用于自动插入。外延平面管芯结构。互补PNP类型。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

5+
￥1.1935
50+
￥0.972
150+
￥0.877

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型号：DSL12AW-7 编号：C460057

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。超小表面贴装封装。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。 ESD等级：400V-MM，8KV-HBM

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5+
￥1.2062
50+
￥0.904704 ￥0.9728
150+
￥0.724424 ￥0.8728
500+
￥0.62084 ￥0.748
3000+
￥0.574775 ￥0.6925
6000+
￥0.547053 ￥0.6591

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型号：BCX54TA 编号：C460011

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。外延平面芯片结构。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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5+
￥1.6019
50+
￥1.2591
150+
￥1.1122

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型号：DSS4540X-13 编号：C526592

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：互补PNP类型可用。超低集电极-发射极饱和电压。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/RuHS合规。 “绿色”器件

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5+
￥1.9043
50+
￥1.5657
150+
￥1.4206

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型号：FMMT560TC 编号：C5245508

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-500V。 IC =-150mA 高连续集电极电流。 ICM 高达-500mA 峰值脉冲电流。高达 IC =-100mA 时具有出色的 hFE 特性。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

1+
￥2.02
10+
￥1.97
30+
￥1.95
100+
￥1.92

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型号：MMDT5451Q-7 编号：C17303925

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

1+
￥2.18
10+
￥2.14
30+
￥2.11

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型号：ZXTP25100CFHTA 编号：C156340

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。最大连续集电极电流 IC = -1A。 VCE(sat) < -220mV @ -1A。 RCE(sat) = 150mΩ。 7V 反向阻断电压。高峰值电流。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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1+
￥2.53
10+
￥2.49
30+
￥2.46

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型号：FZT649TA 编号：C14091

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 25V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 8A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件

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5+
￥2.5957
50+
￥2.0979
150+
￥1.8845

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型号：FZT689BTA 编号：C460218

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。 BVcBo > 20V。高连续电流：IC = 3.0A。在2A时hFE > 400，且饱和电压低。在3A时VCE(sat) < 450mV。互补PNP型。应用：达林顿管替代品。闪光灯转换器和电池供电电路

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1+
￥2.65
10+
￥2.61
30+
￥2.58

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型号：FZT649TC 编号：C526626

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 25V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 8A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件

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1+
￥2.87
10+
￥2.28
30+
￥2.03
100+
￥1.72

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型号：FZT789A 编号：C5245544

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

1+
￥3.02
10+
￥2.95
30+
￥2.91
100+
￥2.86

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型号：ZXTNS618MCTA 编号：C445510

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管：BVCEO > 20V。连续集电极电流IC = 4.5A。低饱和电压：最大150mV（@1A）。应用：DC-DC转换器

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1+
￥3.285 ￥10.95
10+
￥2.142 ￥10.71
30+
￥1.055 ￥10.55
100+
￥1.039 ￥10.39

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型号：FZT657TA 编号：C151025

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。 BVCBO > 300V。 IC = 0.5A 高连续电流。 ICM = 1A 峰值脉冲电流。互补 PNP 型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性。具备 PPAP 能力

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1+
￥3.59
10+
￥2.94
30+
￥2.62

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型号：ZXTN23015CFHTA 编号：C156307

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计已被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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1+
￥4.44
10+
￥3.58
30+
￥3.16

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型号：ZXTP25100CZTA 编号：C151344

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 BVECO > -7V。 Ic = -1A 连续集电极电流。 Icm = -3A 峰值集电极电流。 VCE(SAT) < -225mV @ -1A。 RCE(SAT) = 155mΩ，低等效导通电阻。互补NPN类型：ZXTN25100DZ。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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