美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DXTN5840CFDB-7 编号：C5245596

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 hFE指定高达3A以保持高电流增益。低轮廓0.6mm高封装，适用于薄型应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC-DC转换器。充电电路

5+
￥2.317
50+
￥1.8387
150+
￥1.6338

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型号：ZXTP5240F-7 编号：C3199979

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。低饱和电压-225mV 最大 @ IC = -1A。 RCE(SAT) = 90mΩ 在 0.5A 时具有低等效导通电阻。 730mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。负载开关

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1+
￥2.68
10+
￥2.17
30+
￥1.95

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型号：ZXTN19020DGTA 编号：C151613

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEX > 70V。 BVCEO > 20V。 BV ECO > 4.5V。 IC = 9A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 35mV @ 1A。 RCE(sat) = 20mΩ。应用：PSU 启动电路。 DC-DC 转换器

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1+
￥3.2863 ￥5.57
10+
￥2.2246 ￥4.54
30+
￥1.5678 ￥4.02
100+
￥1.3689 ￥3.51
500+
￥1.248 ￥3.2
1000+
￥1.1895 ￥3.05

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型号：FZT796ATA 编号：C526633

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -200V。 BVCBO > -200V。 IC = -500mA 连续电流。 hFE > 250，高增益 @ -0.3A。极低的 VCE(sat)。互补 NPN 型。应用：电池供电电路

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1+
￥3.62
10+
￥3.54
30+
￥3.49
100+
￥3.44

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型号：DXT5551-13 编号：C155212

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。Ic = 600mA 高集电极电流。互补 PNP 型。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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1+
￥4.67
10+
￥3.81
30+
￥3.38

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型号：FZT658 编号：C5245513

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。高连续电流：IC = 500mA。峰值脉冲电流：ICM = 1A。低饱和电压：VCE(sat) < 250mV @ 50mA。高电流增益保持：hFE > 40（指定至200mA）。互补PNP类型：FZT758。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑。“绿色”器件

1+
￥6.16
10+
￥5
30+
￥4.42

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型号：FMMT417TD 编号：C508216

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

FMMT415/417 是 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式下的操作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有快速沿的大电流脉冲。

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单价：
￥48.6288 / 个

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型号：BC858C-7-F 编号：C526469

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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20+
￥0.2186
200+
￥0.1718
600+
￥0.1458

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型号：MMST5551-7-F 编号：C212613

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补NPN类型。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

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10+
￥0.2261
100+
￥0.2208
300+
￥0.2172

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型号：BC848CQ-7-F 编号：C5595576

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

10+
￥0.3106
100+
￥0.2486
300+
￥0.2175

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型号：MMDT4403-7-F 编号：C264103

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。超小型表面贴装封装。无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

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10+
￥0.3711
100+
￥0.2983
300+
￥0.2619

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型号：BC857BLP4-7B 编号：C526468

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V。高集电极电流：IC =-100mA。功率耗散：PD = 1W。封装尺寸：0.6mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。互补NPN类型：BC847BLP4。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中参考），具有高可靠性

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5+
￥0.39304 ￥0.4913
50+
￥0.33656 ￥0.4808
150+
￥0.28428 ￥0.4738
500+
￥0.28014 ￥0.4669

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型号：FMMTA92QTA 编号：C5249006

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

10+
￥0.4469
100+
￥0.3566
300+
￥0.3115

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型号：FMMT491ATC 编号：C526617

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续集电极电流 Ic = 1A。峰值脉冲电流 Icm = 2A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。功耗 500mW。 hFE 特性高达 2A，以保持高电流增益。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力

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5+
￥0.59904 ￥0.9216
50+
￥0.4961 ￥0.902
150+
￥0.400005 ￥0.8889
500+
￥0.39411 ￥0.8758

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型号：2DA1774R-7-F 编号：C151390

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。集电极电流 IC =-150mA。超小表面贴装封装。有互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，是“绿色”器件。该产品符合 JEDEC 高可靠性标准

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1+
￥0.66345 ￥2.2115
10+
￥0.35196 ￥1.7598
30+
￥0.15662 ￥1.5662
100+
￥0.13247 ￥1.3247
500+
￥0.12172 ￥1.2172
1000+
￥0.11526 ￥1.1526

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型号：ZXTN618MATA 编号：C460290

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。低饱和电压（1A 时最大 150mV）。 RSAT = 47mΩ，低等效导通电阻。 hFE 高达 6A 时指定，高电流增益保持。低外形，高度 0.0mm，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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5+
￥0.7144
50+
￥0.6995
150+
￥0.6896
500+
￥0.6797

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型号：DSS20201L-7 编号：C460058

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于中功率放大和开关。有互补PNP类型。超低集电极-发射极饱和电压。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥0.7839
50+
￥0.637
150+
￥0.5636

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型号：BCP5316QTA 编号：C5110234

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）专为满足汽车应用的严格要求而设计。

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单价：
￥0.656854 / 个

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型号：BCP5616QTC 编号：C5248633

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥1.1828
50+
￥0.9345
150+
￥0.8282
500+
￥0.6954

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型号：FMMT593TC 编号：C3199958

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压。高达 IC =-1A 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型。应用：高端驱动器。负载断开开关

5+
￥1.2342
50+
￥1.21
150+
￥1.1938
500+
￥1.1776

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型号：MMDTA42-7-F 编号：C443639

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥1.3138
50+
￥1.0618
150+
￥0.9538

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型号：DSS4160T-7 编号：C460206

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 280 mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VCE(sat) < 280 mV @ 1A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

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