美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2DD2679-13 编号：C526221

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。有互补PNP类型（2DB1714）。设计无铅/RoHS合规。 “绿色”器件

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5+
￥0.6323
50+
￥0.6198
150+
￥0.6115
500+
￥0.6031

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型号：2DA1774R-7-F 编号：C151390

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。集电极电流 IC =-150mA。超小表面贴装封装。有互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，是“绿色”器件。该产品符合 JEDEC 高可靠性标准

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1+
￥0.66345 ￥2.2115
10+
￥0.35196 ￥1.7598
30+
￥0.15662 ￥1.5662
100+
￥0.13247 ￥1.3247
500+
￥0.12172 ￥1.2172
1000+
￥0.11526 ￥1.1526

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型号：MMDT2227M-7 编号：C150755

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对。外延平面管芯结构。一个2222A型（NPN），一个2907A型（PNP）。适用于低功率放大和开关。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色设备”

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5+
￥0.7408
50+
￥0.727
150+
￥0.7177
500+
￥0.7085

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型号：BC857BLP-7 编号：C151002

封装：DFN-3L(0.6x1)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V。高集电极电流：IC =-100mA。功率耗散：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可降低板外轮廓。互补NPN类型：BC847BLP。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

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5+
￥0.7828
50+
￥0.6361
150+
￥0.5628
500+
￥0.5078

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型号：DZT2222A-13 编号：C155501

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。外延平面芯片结构。非常适合自动化组装过程。提供互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：中功率开关与放大

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5+
￥0.8238
50+
￥0.6695
150+
￥0.5923

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型号：BCX5616QTC 编号：C460012

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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16000+
￥0.45468
32000+
￥0.447102
64000+
￥0.435735
128000+
￥0.41679

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型号：ZXTN10150DZTA 编号：C264110

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。应用：LED TV背光源

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5+
￥0.9783
50+
￥0.9594
150+
￥0.9468

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型号：BCP54TA 编号：C460001

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于音频驱动和输出级。高集电极电流和低Vce(sat)

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5+
￥1.1024
50+
￥0.8898
150+
￥0.7986

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型号：DSS5320T-7 编号：C151568

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

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1+
￥1.1766 ￥1.59
10+
￥0.992 ￥1.55
30+
￥0.8262 ￥1.53
100+
￥0.8154 ￥1.51

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型号：FMMT555TA 编号：C155495

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V。高连续集电极电流：IC = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥1.832
50+
￥1.4613
150+
￥1.3024

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型号：FCX491ATA 编号：C155278

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。IC = 1A 高连续电流。低饱和电压 V(sat) < 500mV @ 1A。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

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1000+
￥1.0974
3000+
￥1.0695
10000+
￥1.0416

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型号：DXT13003DG-13 编号：C445554

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 450V。 BVCES > 700V。 BVEBO > 9V。 IC = 1.5A 高连续集电极电流。集成集电极-发射极二极管用作续流二极管。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：低功率 AC-DC 开关电源。手机/平板电脑/智能手机电池充电器

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5+
￥2.4138
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￥1.9653
150+
￥1.773

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型号：ZXTP2008ZTA 编号：C460769

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 IC = -5.5A，连续集电极电流。 ICM = -20A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) < -60mV 最大值，@ -1A。 RSAT = 24mΩ，@ -5.5A，低等效导通电阻。出色的增益线性度，低至 -10mA。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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1+
￥2.564 ￥6.41
10+
￥2.088 ￥5.22
30+
￥1.852 ￥4.63
100+
￥1.616 ￥4.04
500+
￥1.476 ￥3.69
1000+
￥1.404 ￥3.51

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型号：ZXT10N20DE6TA 编号：C211382

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。 IC = 3.5A 连续集电极电流。 ICM = 19A 峰值脉冲电流。 RCE(SAT) = 55mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压（在1A时最大90mV）。 hFE特性可达6A。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

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1+
￥2.73 ￥5.46
10+
￥2.48 ￥4.96
30+
￥2.345 ￥4.69
100+
￥2.195 ￥4.39
500+
￥2.125 ￥4.25
1000+
￥2.095 ￥4.19

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型号：ZXTN620MATA 编号：C526809

封装：W-DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 80V。 IC = 3.5A 连续集电极电流。低饱和电压（最大185mV @ 1A）。 RSAT = 68mΩ，等效导通电阻低。 hFE 规定高达 5A，以保持高电流增益。低轮廓，高度 0.6mm，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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1+
￥2.79
10+
￥2.25
30+
￥2.02

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型号：ZTX558STZ 编号：C507844

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：400伏VCEO。 200mA连续电流。总功率Ptot = 1瓦

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1+
￥3
10+
￥2.43
30+
￥2.18
100+
￥1.87

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型号：ZX5T3ZTA 编号：C155311

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高连续电流：Ic = -5.5A。峰值脉冲电流：ICM = -15A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 29mΩ。低饱和电压：VCE(sat) < -60mV @ -1A。高电流增益保持：hFE 指定至 -10A。应用：充电电路。 DC-DC 转换器

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1+
￥3.02
10+
￥2.96
30+
￥2.92
100+
￥2.88

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型号：ZXTN25060BZTA 编号：C444425

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。连续集电极电流 IC = 5A。低饱和电压 VCE(sat) < 70mV @ 1A。低等效导通电阻 R(sat) = 48mΩ。功率耗散 PD = 2.4W。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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1+
￥3.59
10+
￥2.85
30+
￥2.53

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型号：FZT692BTA 编号：C177046

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 70V。 BVCBO > 70V。 Ic = 2A 高连续电流。 hFE > 400（适用于 0.5A 时高增益）。互补 PNP 型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。应用：达林顿管替代品。继电器和螺线管驱动器

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1+
￥3.74
10+
￥3.02
30+
￥2.72

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型号：FZT694BTA 编号：C513221

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 120V。BVcBo > 120V。Ic = 1A 连续电流。hFE > 400,在 0.2A 时实现高增益。极低饱和电压。互补 PNP 类型:FZT795A。应用：达林顿管替代品。继电器和螺线管驱动器

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1+
￥3.96
10+
￥3.28
30+
￥2.93
100+
￥2.59

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型号：ZXTP2029FTA 编号：C211376

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计已被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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1+
￥4.78
10+
￥3.88
30+
￥3.43

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型号：BC857B-7-F 编号：C516596

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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75000+
￥0.09276
225000+
￥0.088895
675000+
￥0.086576
900000+
￥0.08503

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型号：BC856AW-7-F 编号：C459864

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。有互补NPN类型。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

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20+
￥0.2544
200+
￥0.2036
600+
￥0.1754

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型号：BC807-16-7-F 编号：C151453

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：理想适用于自动插入。外延平面芯片结构。有互补NPN类型（BC817）。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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100+
￥0.135
1000+
￥0.13
3000+
￥0.125
6000+
￥0.115
10000+
￥0.112

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型号：BC846BW-13-F 编号：C5248607

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。互补PNP类型。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

10+
￥0.2687
100+
￥0.2179
300+
￥0.1924

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型号：BC857BQ-7-F 编号：C460183

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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10+
￥0.2783
100+
￥0.2227
300+
￥0.1949

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型号：2DC2412R-7 编号：C5245581

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。 IC = 150mA Collector Current。低饱和电压 VCE(sat) < 400mV @ 50mA。外延平面芯片结构。非常适合中功率放大和开关。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素、锑和铍，“绿色”器件

10+
￥0.2791
100+
￥0.2268
300+
￥0.2006

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型号：AC817-40Q-7 编号：C6854295

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

10+
￥0.4021
100+
￥0.3267
300+
￥0.289

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型号：MMDT3904Q-7-F 编号：C5249110

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

5+
￥0.5188
50+
￥0.4163
150+
￥0.365

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型号：FMMT491ATC 编号：C526617

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续集电极电流 Ic = 1A。峰值脉冲电流 Icm = 2A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。功耗 500mW。 hFE 特性高达 2A，以保持高电流增益。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力

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5+
￥0.663552 ￥0.9216
50+
￥0.55924 ￥0.902
150+
￥0.462228 ￥0.8889
500+
￥0.455416 ￥0.8758

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