美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-89

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。外延平面芯片结构。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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5+
￥0.735
50+
￥0.5887
150+
￥0.5155

有货

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型号：BCP5416TA 编号：C445009

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。应用：中功率开关或放大应用。 AF 驱动器和输出级

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5+
￥0.7667
50+
￥0.7543
150+
￥0.746

有货

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型号：BCP5616TA 编号：C460004

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：适用于音频驱动和输出级。高集电极电流和低Vce(sat)

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5+
￥0.9051
50+
￥0.7413
150+
￥0.6594

有货

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型号：FCX596TA 编号：C151366

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = -200V。 IC = -0.3A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -0.1A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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1+
￥1.0206 ￥2.43
10+
￥0.6848 ￥2.14
30+
￥0.4378 ￥1.99
100+
￥0.407 ￥1.85
500+
￥0.3872 ￥1.76
1000+
￥0.3784 ￥1.72

有货

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型号：DXT2222A-13 编号：C154859

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 600mA 高集电极电流。互补PNP类型。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

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5+
￥1.1064
50+
￥1.0821
150+
￥1.0659

有货

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型号：BCP5616QTC 编号：C5248633

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥1.1828
50+
￥0.9345
150+
￥0.8282
500+
￥0.6954

有货

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型号：BC53-16PA-7 编号：C460676

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。高连续集电极电流：Ic = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。功耗：520mW。低饱和电压：VCE(sat) < -500mV @ -0.5A。互补NPN类型：BC56-16PA。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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5+
￥1.2685
50+
￥1.0425
150+
￥0.9456

有货

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型号：2DB1713-13 编号：C526216

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。 IC = -3A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -0.25V @ -1.5A。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：中功率开关。放大

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5+
￥1.3452
50+
￥1.085
150+
￥0.9734

有货

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型号：2DA1201Y-7 编号：C460636

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -120V。最大连续电流 IC = -0.8A。高增益保持 hFE ≥ 120 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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5+
￥1.39264 ￥2.048
50+
￥0.95468 ￥1.646
150+
￥0.707376 ￥1.4737
1000+
￥0.604224 ￥1.2588
2000+
￥0.558288 ￥1.1631
5000+
￥0.530688 ￥1.1056

有货

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型号：FMMT489TA 编号：C526616

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 30V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM 高达 4A 峰值脉冲电流。高达 4A 时具有出色的 hFE 特性。 R(SAT) = 175mΩ（@ 1A），低等效导通电阻。低饱和电压 < 300mV（@ 1A）。 500mW 功耗。互补 PNP 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性

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5+
￥1.5009
50+
￥1.219
150+
￥1.0982
500+
￥0.9474

有货

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型号：ZXTN25020DFHTA 编号：C508264

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计，使这款小外形晶体管的功率处理和性能达到最大化。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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5+
￥1.638 ￥2.34
50+
￥1.11726 ￥1.8621
150+
￥0.8286 ￥1.6572
500+
￥0.70085 ￥1.4017
3000+
￥0.64395 ￥1.2879
6000+
￥0.6098 ￥1.2196

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型号：BCX54TA 编号：C460011

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。外延平面芯片结构。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

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5+
￥1.7735
50+
￥1.4308
150+
￥1.2839

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型号：FCX555TA 编号：C526606

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V。 BVCEV > -180V。 IC = -700mA 高连续集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -100mA。互补 NPN 型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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1+
￥2.0605 ￥3.17
10+
￥1.4025 ￥2.55
30+
￥1.026 ￥2.28
100+
￥0.8775 ￥1.95
500+
￥0.81 ￥1.8
1000+
￥0.7695 ￥1.71

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型号：FZT751QTA 编号：C526629

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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5+
￥2.0706
50+
￥1.6735
150+
￥1.5032

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型号：ZXTN25100DGQTA 编号：C526805

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEX > 180V。 BVCEO > 100V。 BV ECO > 6V。 I C = 3A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 100mV @ 1A。 RCE(sat) = 85mΩ。应用：电源启动电路。 DC-DC 转换器

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1+
￥3.212 ￥4.4
10+
￥2.6572 ￥3.64
30+
￥2.3798 ￥3.26
100+
￥2.1097 ￥2.89
500+
￥1.9418 ￥2.66
1000+
￥1.8542 ￥2.54

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型号：ZXTP25060BFHTA 编号：C460151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压 BVCEO >-60V。正向阻断电压 100V。连续集电极电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-9A。低饱和电压，VCE(sat) <-85mV @-1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 58mΩ。应用：MOSFET 驱动器。电源开关

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1+
￥3.29
10+
￥2.62
30+
￥2.33

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型号：ZTX751STZ 编号：C260939

封装：TO-92-3

品牌：DIODES(美台)

特性：60伏VCEO。 2安连续电流。低饱和电压。总功率Ptot = 1瓦

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1+
￥3.46
10+
￥2.79
30+
￥2.51
100+
￥2.16

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型号：ZXTP2012ZQTA 编号：C460149

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -4.3A，高连续电流。 RSAT = 32mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VREF(sat) < -65mV @ IC = -1A。 hFE 规定至 -10A，高电流增益保持。互补 NPN 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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1+
￥3.82
10+
￥3.1
30+
￥2.78

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型号：ZXTN2010ZQTA 编号：C460140

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，高电流增益保持。互补 PNP 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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1+
￥3.87
10+
￥3.19
30+
￥2.85

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型号：ZXTN2005GTA 编号：C460286

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 7A 连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 50mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 30mΩ @ 6.5A 用于低等效导通电阻。 hFE 规定高达 20A 以实现高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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1+
￥5.55
10+
￥4.58
30+
￥4.1
100+
￥3.63

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型号：ZX5T955ZTA 编号：C460124

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

这款采用SOT89封装的新一代（第五代）140V低饱和PNP晶体管，具有低导通损耗，非常适合用于DC-DC电路、线路开关以及各种驱动和电源管理功能。

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1+
￥8.52
10+
￥7.26
30+
￥6.57
100+
￥5.79

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型号：ZTX415 编号：C5245685

封装：E-Line

品牌：DIODES(美台)

特性：雪崩晶体管。 60A 峰值雪崩电流（脉冲宽度 = 20ns）。 BV_CES > 260V。 BV_CEO > 100V。专为雪崩模式操作设计。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

1+
￥103.55
10+
￥98.66
30+
￥90.18
100+
￥82.78

有货

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型号：BC858C-7-F 编号：C526469

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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20+
￥0.2319
200+
￥0.1851
600+
￥0.1591

有货

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型号：BC846BQ-13-F 编号：C6514153

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。适用于开关和AP放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

10+
￥0.2658
100+
￥0.2139
300+
￥0.188
1000+
￥0.1686

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型号：BC846AW-7-F 编号：C507907

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。互补PNP类型。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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20+
￥0.273
200+
￥0.2187
600+
￥0.1886

有货

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型号：BCX5316TC 编号：C526475

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -45V、-60V 和 -80V。连续集电极电流 IC = -1A。峰值脉冲电流 ICM = -2A。低饱和电压 VCE(SAT) < -500mV @ -0.5A。增益组 10 和 16。互补 NPN 类型。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

数据手册

5+
￥0.44578 ￥0.719
50+
￥0.393142 ￥0.6341
150+
￥0.370574 ￥0.5977
500+
￥0.342426 ￥0.5523
2500+
￥0.329902 ￥0.5321
4000+
￥0.3224 ￥0.52

有货

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型号：FMMTA92QTA 编号：C5249006

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

10+
￥0.4469
100+
￥0.3566
300+
￥0.3115

有货

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型号：ZXTP5240F-7 编号：C3199979

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。低饱和电压-225mV 最大 @ IC = -1A。 RCE(SAT) = 90mΩ 在 0.5A 时具有低等效导通电阻。 730mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。负载开关

数据手册

5+
￥0.5151
50+
￥0.5052
150+
￥0.4987

有货

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型号：FMMTL717TA 编号：C150448

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCBO > -12V。连续集电极电流 Ic = -1.25A。峰值脉冲电流 Icm = -4A。低饱和电压 VCE(sat) < -240mV @ -1A。 RCE(SAT) = 160mΩ，低等效导通电阻。功率耗散 500mW。 hFE 特性高达 -3A，高电流增益保持。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性。具备 PPAP 能力

数据手册

5+
￥0.567064 ￥0.7768
50+
￥0.478989 ￥0.7603
150+
￥0.397129 ￥0.7493
500+
￥0.391246 ￥0.7382

有货

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型号：BCX53TA 编号：C526476

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-45V、-60V 和-80V。 IC =-1A 连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VUCE(sat) <-500mV @-0.5A。增益组 10 和 16。互补 NPN 类型：BCX54、55 和 56。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

数据手册

5+
￥0.5967
50+
￥0.5852
150+
￥0.5775
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￥0.5698

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