美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

999+
￥0.216
1998+
￥0.2124
3996+
￥0.207
7992+
￥0.198

我要订货

型号：MMST3904Q-7-F 编号：C5249113

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小型表面贴装封装。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑。绿色器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.4052
100+
￥0.3251
300+
￥0.285

有货

立即购买

型号：BC857BS-13-F 编号：C5248622

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装。非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

10+
￥0.4462
100+
￥0.3646
300+
￥0.3238

有货

立即购买

型号：DP350T05-7 编号：C460717

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。适用于中功率放大和开关。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

10+
￥0.5034
100+
￥0.4083
300+
￥0.3608

有货

立即购买

型号：MMBT3906LP-7 编号：C107421

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高集电极电流：IC = -200mA。功耗：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥0.512
50+
￥0.4096
150+
￥0.3584
500+
￥0.32

有货

立即购买

型号：MMDT2222V-7 编号：C460231

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。超小表面贴装封装。互补PNP型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.55278 ￥1.2284
50+
￥0.342125 ￥0.9775
150+
￥0.2175 ￥0.87
500+
￥0.18395 ￥0.7358
3000+
￥0.169025 ￥0.6761
6000+
￥0.160075 ￥0.6403

有货

立即购买

型号：BC847BLP-7B 编号：C531163

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。 Ic = 100mA高集电极电流。 PD = 1000mW功率耗散。 0.60mm²封装尺寸，比SOT23小13倍。 0.5mm封装高度，减少板外轮廓。互补PNP类型：BC857BLP。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.6391
50+
￥0.5123
150+
￥0.449
500+
￥0.4014

有货

立即购买

型号：FMMT493ATA 编号：C460076

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。连续集电极电流 IC = 1A。 VCE(SAT) = 0.5V @ 1A。功率耗散 500mW。低饱和电压。高 hFE，最小 300 @ 250mA。应用：各种驱动功能，包括电机、执行器、螺线管和继电器。背光逆变器

数据手册

5+
￥0.98838 ￥1.734
50+
￥0.648553 ￥1.3799
150+
￥0.454397 ￥1.2281
500+
￥0.384319 ￥1.0387
3000+
￥0.353128 ￥0.9544
6000+
￥0.334406 ￥0.9038

有货

立即购买

型号：DT955-7 编号：C248310

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

5+
￥1.025046 ￥1.6533
50+
￥0.684112 ￥1.3156
150+
￥0.491778 ￥1.1709
1000+
￥0.415926 ￥0.9903
2000+
￥0.382158 ￥0.9099
5000+
￥0.361914 ￥0.8617

有货

立即购买

型号：BCX5216TA 编号：C5248637

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

-

5+
￥1.0291
50+
￥0.8001
150+
￥0.702
1000+
￥0.5796

有货

立即购买

型号：DSS5540X-13 编号：C435884

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -4A 连续集电极电流。超低集电极-发射极饱和电压。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.109115 ￥1.7605
50+
￥0.742477 ￥1.4009
150+
￥0.536124 ￥1.2468
500+
￥0.453435 ￥1.0545
2500+
￥0.416627 ￥0.9689
5000+
￥0.394525 ￥0.9175

有货

立即购买

型号：2DA1201Y-7 编号：C460636

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -120V。最大连续电流 IC = -0.8A。高增益保持 hFE ≥ 120 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥1.20048 ￥1.968
50+
￥0.798711 ￥1.5661
150+
￥0.571458 ￥1.3938
1000+
￥0.483308 ￥1.1788
2000+
￥0.444071 ￥1.0831
5000+
￥0.420537 ￥1.0257

有货

立即购买

型号：FZT591TA 编号：C672084

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -1A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -600mV @ -1A。互补 NPN 型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

1+
￥1.2374 ￥2.69
10+
￥0.864 ￥2.4
30+
￥0.5876 ￥2.26
100+
￥0.5512 ￥2.12
500+
￥0.5304 ￥2.04
1000+
￥0.52 ￥2

有货

立即购买

型号：2DB1713-13 编号：C526216

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。 IC = -3A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -0.25V @ -1.5A。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：中功率开关。放大

数据手册

5+
￥1.2588
50+
￥0.9986
150+
￥0.887

有货

立即购买

型号：ZXTN5551GTA 编号：C445542

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 IC = 600mA 连续集电极电流。低饱和电压（最大 150mV @10mA）。 hFE 指定高达 50mA 以保持高增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：高压放大

数据手册

5+
￥1.31455 ￥2.155
50+
￥0.885972 ￥1.7372
150+
￥0.638862 ￥1.5582
1000+
￥0.523488 ￥1.2768
2000+
￥0.482693 ￥1.1773
5000+
￥0.458216 ￥1.1176

有货

立即购买

型号：BCX5416TA 编号：C460010

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。增益组 10 和 16。外延平面芯片结构。应用：中功率开关或放大应用。音频驱动和输出级

数据手册

5+
￥1.3976
50+
￥1.1557
150+
￥1.052

有货

立即购买

型号：2DA1797Q-13 编号：C5248451

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。有互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

5+
￥1.6633
50+
￥1.3235
150+
￥1.178
500+
￥0.9963

有货

立即购买

型号：ZXTN08400BFFTA 编号：C460134

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

此NPN晶体管专为需要高电压阻断的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的功率耗散。

数据手册

1+
￥1.89
10+
￥1.86
30+
￥1.84

有货

立即购买

型号：ZXTP4003GTA 编号：C5124988

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。最大连续电流 IC = -1A。 hFE > 100 @ IC = -150mA, VCE = -0.2V。无铅，符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准。应用：LED 电视背光

数据手册

1+
￥2.13
10+
￥1.88
30+
￥1.77
100+
￥1.64
500+
￥1.58

有货

立即购买

型号：ZTX558STZ 编号：C507844

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：400伏VCEO。 200mA连续电流。总功率Ptot = 1瓦

数据手册

1+
￥2.1996 ￥2.82
10+
￥1.53 ￥2.25
30+
￥1.16 ￥2
100+
￥0.9802 ￥1.69
500+
￥0.9048 ￥1.56
1000+
￥0.8526 ￥1.47

有货

立即购买

型号：ZXTP720MATA 编号：C508271

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。低饱和电压（- 220mV 最大 @-1A）。 RSAT = 104mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，高电流增益保持。低轮廓 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥2.4182
50+
￥1.9167
150+
￥1.7018

有货

立即购买

型号：ZXTN19055DZTA 编号：C460135

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 55V。 IC = 6.0A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 40 mV @ 500mA。 Rsat = 28 mΩ 低等效导通电阻。 PD = 2.1 W 功率耗散。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

1+
￥2.4616 ￥3.62
10+
￥1.711 ￥2.95
30+
￥1.2528 ￥2.61
100+
￥1.0944 ￥2.28
500+
￥0.9984 ￥2.08
1000+
￥0.9504 ￥1.98

有货

立即购买

型号：FZT491ATA 编号：C5157734

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续高电流：IC = 1A。峰值脉冲电流：ICM = 2A。低饱和电压：VCESAT < 500mV @ 1A。互补PNP型。无铅涂层，符合RoHS标准。应用：功率MOSFET栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.24
30+
￥2.01
100+
￥1.72
500+
￥1.52

有货

立即购买

型号：ZXTN19020DFFTA 编号：C460285

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力已被用于最大限度地提高该晶体管的性能。SOT23F封装与行业标准SOT23封装兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

数据手册

1+
￥2.802 ￥4.67
10+
￥1.9 ￥3.8
30+
￥1.348 ￥3.37
100+
￥1.176 ￥2.94
500+
￥1.076 ￥2.69
1000+
￥1.024 ￥2.56

有货

立即购买

型号：ZXT1053AKTC 编号：C211410

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 75V。IC = 5A 高连续集电极电流。高达 10A 峰值电流。RSAT = 70mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压。hFE 在高达 10A 时指定，高增益保持。应用：DC-DC 转换器。功率开关

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.25
30+
￥1.99
100+
￥1.66

有货

立即购买

型号：ZXTN25020DGTA 编号：C526804

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEX > 100V。 BVCEO > 20V。 BV ECO > 6V。 I C = 7A 高连续电流。低饱和电压 V CE(sat) < 48mV @ 1A。 R CE(sat) = 31mΩ。应用：DC-DC 转换器。电机驱动

数据手册

1+
￥2.867 ￥4.7
10+
￥1.9533 ￥3.83
30+
￥1.3899 ￥3.39
100+
￥1.2136 ￥2.96
500+
￥1.107 ￥2.7
1000+
￥1.0537 ￥2.57

有货

立即购买

型号：ZXTP23015CFHTA 编号：C155252

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

1+
￥2.9512 ￥5.27
10+
￥2.0332 ￥4.42
30+
￥1.4364 ￥3.99
100+
￥1.2816 ￥3.56
500+
￥1.1916 ￥3.31
1000+
￥1.1412 ￥3.17

有货

立即购买

型号：FMMT723TA 编号：C211389

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A，高连续集电极电流。 ICM =-2.5A，峰值脉冲电流。低饱和电压VCE(sat) <-330mV @-1A。 RCE(sat) = 210mΩ，低等效导通电阻。 625mW功率耗散。应用：高端驱动器。负载断开开关

数据手册

单价：
￥0.977035 / 个

我要订货

型号：ZXTN25040DFHTA 编号：C155357

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < 55mV @ 1A。RCE(sat) = 35mΩ。hFE 特性高达 10A。高 hFE 最小值 300 @ 1A。应用：MOSFET 栅极驱动器。电源开关

数据手册

1+
￥3.17
10+
￥2.59
30+
￥2.33

有货

立即购买

型号：ZXTP2014GTA 编号：C110539

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A，高连续集电极电流。 ICM = -10A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至 -10A，高增益保持。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，高可靠性

数据手册

1+
￥3.2256 ￥3.36
10+
￥2.3392 ￥2.72
30+
￥1.8544 ￥2.44
100+
￥1.596 ￥2.1
500+
￥1.482 ￥1.95
1000+
￥1.406 ￥1.85

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示