大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPD30N10S3L34-HXY 编号：C22367069

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流达30A，可承载较大功率。电压为100V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流调控。

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型号：IRFR1018EPBF-HXY 编号：C22366669

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型。电流达80A，可承载较大电流负荷。电压为60V，适应多种电压环境。内阻典型值6.5mR，较低内阻能提升效率。VGS为20V。适用于各类电子产品，在大功率电源管理和信号处理等方面发挥可靠作用。

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型号：DMT2004UFV-13-HXY 编号：C51949180

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID），适用于高电流开关应用。其导通电阻（RDS(on)）低至3.5mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统整体效率。该器件适用于大功率电源转换电路、便携式高能设备的电源管理模块、电动工具驱动单元以及电池供电系统的主开关电路。凭借其优异的电流承载能力和热稳定性，适合用于对空间紧凑性和能效要求较高的电子设备设计中。

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型号：RS1G120MNTB-HXY 编号：C51949311

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备40V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为11mΩ。较低的RDSON有助于减少高负载条件下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于中等电压直流开关应用，如大功率电源管理模块、电池供电设备中的能量切换、高效DC-DC转换电路以及对热性能和空间布局有要求的紧凑型电子产品，可满足对稳定性和导通效率有一定需求的功率控制场景。

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型号：NVMFS5C468NL-HXY 编号：C22366807

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管，电流达70A，可应对较大功率需求。电压为40V，适应多种电路环境。内阻典型值6.5mR，低内阻减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子领域，可在电子设备中稳定电流、控制电压，确保设备正常运行。

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型号：DMNH6021SK3Q-HXY 编号：C22366964

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流50A，可适应较大功率需求。电压60V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR，能在一定程度上控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。

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型号：STD100N03LT4-HXY 编号：C53263247

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.8毫欧。凭借其低导通电阻和高电流承载能力，器件在大功率开关应用中可显著降低导通损耗与发热。适用于高频开关电源、电机驱动、电池保护电路及高效率功率转换系统等场合，能够在紧凑布局下维持良好的热性能与电气稳定性。

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型号：NTTFS4C10N-HXY 编号：C22367307

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流达100A，可满足高功率需求。电压30V，能在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值4mR，降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流控制。

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型号：NTTFS4C06N-HXY 编号：C22367290

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流为100A，可承载较大功率。电压30V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值4mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型及以上电子设备中。

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型号：NTMFS5C468NL-HXY 编号：C22366802

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流达70A，能应对较大功率需求。电压为40V，适应多种电路场景。内阻典型值6.5mR，可降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中，确保稳定运行。

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型号：SQD50P03-07-HXY 编号：C22367141

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为P型，电流80A，能承载较大功率。电压30V，可在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值5.5mR，能量损耗较低。VGS为25V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流调控。

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型号：NVTFS4C06N-HXY 编号：C22367293

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流为100A，能承载较大功率。电压30V，确保在特定电路稳定运行。内阻典型值4mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。

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￥2.4675 ￥3.29
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型号：DMT6005LPS-13-HXY 编号：C51949314

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备60V的漏源电压（VDSS）和高达100A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至3.7mΩ。优异的导通特性可有效降低大电流下的功率损耗，提升系统整体能效。器件适用于高功率密度的电源转换应用，如高效直流-直流变换器、大功率电机驱动模块、储能系统中的开关控制以及高性能计算设备的供电管理。其低电阻与高电流承载能力使其在需要频繁开关和持续负载的电路中表现出色，适合对热性能和电气效率有较高要求的设计场景。

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型号：NTD4965NT4G-HXY 编号：C53263321

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频开关场景，如电源转换、电池管理系统及大功率负载控制等应用，能够在持续大电流工作条件下保持良好的热性能与电气稳定性。

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￥2.565 ￥2.7
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型号：NVMFS4C310N-HXY 编号：C22367101

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流80A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值4.7mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流调控。

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￥2.6325 ￥3.51
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型号：NTD4959NHT4G-HXY 编号：C53263061

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流（ID）可达60A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为7毫欧。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于高效电源转换、大功率负载开关以及对能效和紧凑布局有较高要求的电子系统中，能够支持稳定的高频开关操作。

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型号：NVD5863NL-HXY 编号：C22366952

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流80A，可适应较大功率需求。电压60V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值6mR，有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

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￥2.751 ￥3.93
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型号：NVTFS5C478NL-HXY 编号：C22367311

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，具有较高的性能参数。电流可达60A，电压为40V，内阻典型值仅6.9mR，VGS为20V。它适用于各类电子产品，可在大功率电源电路、电机驱动等场景中应用。其强大的电流承载能力和较低的内阻，能有效提高电路效率，保障系统稳定运行。

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型号：NTMFS4955N-HXY 编号：C22366997

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流80A，可承载较大功率输出。电压30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值4.3mR，能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

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￥2.9775 ￥3.97
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￥1.56 ￥2.08

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型号：DMT2004UFG-13-HXY 编号：C51949179

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具备30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流负载下的开关操作。其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为3.5mΩ，可有效降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件适用于大功率电源管理单元、高性能计算模块的电压调节、电动设备驱动电路以及电池供电系统中的主控开关，满足对电流承载能力和热性能要求较高的设计需求，适合集成于紧凑型高密度电路中。

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型号：IPD047N03LF2SATMA1-HXY 编号：C53262985

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.8毫欧。低导通电阻显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效，适用于高电流、高效率要求的电源转换、电池管理系统及大功率电子负载等场景。其电气特性支持在高频开关条件下保持稳定工作，适合对热性能和空间布局有严苛要求的电路设计。

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型号：NVMFS5C430NLWFAFT1G-HXY 编号：C53263408

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可承载高达219A的连续漏极电流（ID）。其极低的导通电阻有效减少了导通损耗，有助于提升整体能效并降低温升。该器件适用于高电流、高效率要求的电源转换、电机驱动、电池充放电控制及大功率开关电路等应用，在持续高负载条件下仍能保持稳定工作特性。

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型号：BSC0504NSI-HXY 编号：C51949188

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关应用。其典型导通电阻低至3mΩ，显著减少导通损耗，提高电源转换效率。器件具有优良的热稳定性和快速开关响应特性，适合用于高性能电源管理系统、便携式大功率设备、直流变换电路以及电池供电平台中的功率控制模块，是实现高效能、低功耗电路设计的关键元件，广泛适配对电流承载能力和能效要求较高的场景。

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型号：NTTFS5C466NL-HXY 编号：C22366982

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流60A，可承载较大功率。电压40V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值6.9mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有一定要求的电子设备中。

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￥3.645 ￥4.86
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型号：NTTFS5C478NL-HXY 编号：C22367310

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流达60A，可适应较大功率场景。电压为40V，能在特定电路中稳定工作。内阻典型值6.9mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。

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￥3.978 ￥5.1
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型号：SQS124ELNW-T1_GE3-HXY 编号：C53263054

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）支持100A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至2.5毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通损耗，有利于提升整体能效并简化热设计。器件适用于高电流、高效率要求的电源转换场景，如服务器供电模块、高性能计算设备及便携式大功率储能系统等，在高频开关条件下仍可维持稳定工作特性。

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型号：IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY 编号：C48972184

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，漏极电流ID可达130A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至2.8mΩ。该器件适用于对功率传输效率和热性能有较高要求的电路设计，可应用于高效电源转换、大功率负载驱动、电池管理系统以及各类高密度电力电子设备中。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提升整体系统稳定性与可靠性。

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型号：NTMFS4849NT1G-HXY 编号：C53263079

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较高的能效与温升控制。适用于大功率电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类需要高效开关性能的电子设备中，能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。

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型号：SISA34DN-T1-GE3-HXY 编号：C53263379

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID），在驱动电压条件下导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，适用于大功率电源转换、电池管理系统及高效率开关电路等场合。器件在高频工作状态下仍能保持较低的温升，有助于提升系统整体能效，并满足对紧凑布局和散热性能要求较高的电子设备需求。

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型号：BSC030P03NS3G-HXY 编号：C22367086

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为P型，电流高达110A，可承载较大功率。电压30V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值仅3mR，能量损耗小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流控制。

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