大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTTFS4929N-HXY 编号：C22367230

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流为50A，可应对较大功率场景。电压30V，能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值7.5mR，能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备中。

5+
￥0.941928 ￥1.2076
50+
￥0.919932 ￥1.1794
150+
￥0.905268 ￥1.1606
500+
￥0.890526 ￥1.1417

有货

立即购买

型号：NVTFS4C25N-HXY 编号：C22367282

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流高达60A，可满足较大功率需求。电压为30V，能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值6mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，适用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备。

1+
￥1.02 ￥1.36
10+
￥0.9975 ￥1.33
30+
￥0.975 ￥1.3
100+
￥0.96 ￥1.28

有货

立即购买

型号：IPD30N10S3L34-HXY 编号：C22367069

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流达30A，可承载较大功率。电压为100V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流调控。

1+
￥1.035 ￥1.38
10+
￥1.0125 ￥1.35
30+
￥0.9975 ￥1.33
100+
￥0.9825 ￥1.31

有货

立即购买

型号：DMT35M1LFVW-7-HXY 编号：C53263183

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），以及低至3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。该器件适用于高电流、高效率要求的电源管理场合，如多相降压转换器、大功率负载开关及便携式设备中的电源路径控制等应用，在高频开关条件下仍能保持良好的电气性能与稳定性。

5+
￥1.0351
50+
￥1.0123
150+
￥0.9972

有货

立即购买

型号：IRFH7914TRPBF-HXY 编号：C20606224

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为30V电压下高电流应用设计。提供高达70A连续电流承载能力，适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备出色的导通性能与高效散热技术，是现代紧凑型系统中理想的高性能半导体组件。

1+
￥1.0842 ￥1.39
10+
￥1.0608 ￥1.36
30+
￥1.0452 ￥1.34
100+
￥1.0296 ￥1.32

有货

立即购买

型号：DMNH6021SK3Q-HXY 编号：C22366964

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流50A，可适应较大功率需求。电压60V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值15mR，能在一定程度上控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。

1+
￥1.2 ￥1.6
10+
￥1.17 ￥1.56
30+
￥1.1475 ￥1.53
100+
￥1.1325 ￥1.51

有货

立即购买

型号：NVTFS4C06N-HXY 编号：C22367293

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流为100A，能承载较大功率。电压30V，确保在特定电路稳定运行。内阻典型值4mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。

1+
￥1.2525 ￥1.67
10+
￥1.2225 ￥1.63
30+
￥1.2075 ￥1.61
100+
￥1.185 ￥1.58

有货

立即购买

型号：NTTFS4C06N-HXY 编号：C22367290

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流为100A，可承载较大功率。电压30V，能在特定电路中稳定运行。内阻典型值4mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型及以上电子设备中。

1+
￥1.258 ￥1.48
10+
￥1.2325 ￥1.45
30+
￥1.2155 ￥1.43
100+
￥1.19 ￥1.4

有货

立即购买

型号：NTMFS5C468NL-HXY 编号：C22366802

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流达70A，能应对较大功率需求。电压为40V，适应多种电路场景。内阻典型值6.5mR，可降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中，确保稳定运行。

1+
￥1.26 ￥1.68
10+
￥1.23 ￥1.64
30+
￥1.215 ￥1.62
100+
￥1.1925 ￥1.59

有货

立即购买

型号：SQD50P03-07-HXY 编号：C22367141

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为P型，电流80A，能承载较大功率。电压30V，可在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值5.5mR，能量损耗较低。VGS为25V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流调控。

1+
￥1.275 ￥1.7
10+
￥1.245 ￥1.66
30+
￥1.2225 ￥1.63
100+
￥1.2075 ￥1.61

有货

立即购买

型号：NTTFS4C10N-HXY 编号：C22367307

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流达100A，可满足高功率需求。电压30V，能在多种常见电路中稳定工作。内阻典型值4mR，降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流控制。

1+
￥1.2935 ￥1.99
10+
￥1.2675 ￥1.95
30+
￥1.248 ￥1.92
100+
￥1.222 ￥1.88

有货

立即购买

型号：NVMFS4C310N-HXY 编号：C22367101

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流80A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值4.7mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流调控。

1+
￥1.3425 ￥1.79
10+
￥1.305 ￥1.74
30+
￥1.29 ￥1.72
100+
￥1.2675 ￥1.69

有货

立即购买

型号：DMT6005LPS-13-HXY 编号：C51949314

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备60V的漏源电压（VDSS）和高达100A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至3.7mΩ。优异的导通特性可有效降低大电流下的功率损耗，提升系统整体能效。器件适用于高功率密度的电源转换应用，如高效直流-直流变换器、大功率电机驱动模块、储能系统中的开关控制以及高性能计算设备的供电管理。其低电阻与高电流承载能力使其在需要频繁开关和持续负载的电路中表现出色，适合对热性能和电气效率有较高要求的设计场景。

1+
￥1.45
10+
￥1.41
30+
￥1.39

有货

立即购买

型号：NTD4965NT4G-HXY 编号：C53263321

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频开关场景，如电源转换、电池管理系统及大功率负载控制等应用，能够在持续大电流工作条件下保持良好的热性能与电气稳定性。

1+
￥1.46
10+
￥1.43
30+
￥1.41
100+
￥1.38

有货

立即购买

型号：NVTFS5C478NL-HXY 编号：C22367311

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，具有较高的性能参数。电流可达60A，电压为40V，内阻典型值仅6.9mR，VGS为20V。它适用于各类电子产品，可在大功率电源电路、电机驱动等场景中应用。其强大的电流承载能力和较低的内阻，能有效提高电路效率，保障系统稳定运行。

1+
￥1.464 ￥1.83
10+
￥1.432 ￥1.79
30+
￥1.408 ￥1.76
100+
￥1.384 ￥1.73

有货

立即购买

型号：NTMFS4C05N-HXY 编号：C22367227

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流高达150A，能适应大功率场景。电压30V，可在特定电路中稳定运行。内阻典型值仅2mR，能量损耗很低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有极高要求的大型电子设备进行电流调控。

1+
￥1.4775 ￥1.97
10+
￥1.44 ￥1.92
30+
￥1.4175 ￥1.89
100+
￥1.395 ￥1.86

有货

立即购买

型号：NVD5863NL-HXY 编号：C22366952

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流80A，可适应较大功率需求。电压60V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值6mR，有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

1+
￥1.526 ￥2.18
10+
￥1.491 ￥2.13
30+
￥1.47 ￥2.1
100+
￥1.442 ￥2.06

有货

立即购买

型号：NTMFS4955N-HXY 编号：C22366997

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流80A，可承载较大功率输出。电压30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值4.3mR，能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

1+
￥1.65 ￥2.2
10+
￥1.6125 ￥2.15
30+
￥1.5825 ￥2.11
100+
￥1.56 ￥2.08

有货

立即购买

型号：BSZ0589NSATMA1-HXY 编号：C53263153

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其极低的导通电阻显著减少了导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源路径设计。典型应用场景包括高性能计算设备的供电模块、大功率便携设备以及需要频繁开关操作的直流电源系统。器件在高负载条件下仍能保持较低温升，有助于提升整体系统的热稳定性和长期可靠性。

1+
￥1.89
10+
￥1.85
30+
￥1.82

有货

立即购买

型号：BSC0504NSI-HXY 编号：C51949188

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关应用。其典型导通电阻低至3mΩ，显著减少导通损耗，提高电源转换效率。器件具有优良的热稳定性和快速开关响应特性，适合用于高性能电源管理系统、便携式大功率设备、直流变换电路以及电池供电平台中的功率控制模块，是实现高效能、低功耗电路设计的关键元件，广泛适配对电流承载能力和能效要求较高的场景。

1+
￥1.976 ￥2.08
10+
￥1.938 ￥2.04
30+
￥1.9095 ￥2.01
100+
￥1.881 ￥1.98

有货

立即购买

型号：NTTFS5C466NL-HXY 编号：C22366982

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流60A，可承载较大功率。电压40V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值6.9mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有一定要求的电子设备中。

1+
￥2.0175 ￥2.69
10+
￥1.9725 ￥2.63
30+
￥1.9425 ￥2.59
100+
￥1.9125 ￥2.55

有货

立即购买

型号：NTTFS5C478NL-HXY 编号：C22367310

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流达60A，可适应较大功率场景。电压为40V，能在特定电路中稳定工作。内阻典型值6.9mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。

1+
￥2.2074 ￥2.83
10+
￥2.1528 ￥2.76
30+
￥2.1216 ￥2.72
100+
￥2.0826 ￥2.67

有货

立即购买

型号：IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY 编号：C48972184

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，漏极电流ID可达130A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至2.8mΩ。该器件适用于对功率传输效率和热性能有较高要求的电路设计，可应用于高效电源转换、大功率负载驱动、电池管理系统以及各类高密度电力电子设备中。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提升整体系统稳定性与可靠性。

1+
￥2.337 ￥2.46
10+
￥2.2895 ￥2.41
30+
￥2.2515 ￥2.37
100+
￥2.2135 ￥2.33

有货

立即购买

型号：SQS124ELNW-T1_GE3-HXY 编号：C53263054

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）支持100A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至2.5毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通损耗，有利于提升整体能效并简化热设计。器件适用于高电流、高效率要求的电源转换场景，如服务器供电模块、高性能计算设备及便携式大功率储能系统等，在高频开关条件下仍可维持稳定工作特性。

1+
￥2.41
10+
￥2.36
30+
￥2.32
100+
￥2.28

有货

立即购买

型号：NTMFS4849NT1G-HXY 编号：C53263079

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较高的能效与温升控制。适用于大功率电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类需要高效开关性能的电子设备中，能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。

1+
￥2.63
10+
￥2.57
30+
￥2.53
100+
￥2.49

有货

立即购买

型号：SISA34DN-T1-GE3-HXY 编号：C53263379

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID），在驱动电压条件下导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，适用于大功率电源转换、电池管理系统及高效率开关电路等场合。器件在高频工作状态下仍能保持较低的温升，有助于提升系统整体能效，并满足对紧凑布局和散热性能要求较高的电子设备需求。

1+
￥2.86
10+
￥2.8
30+
￥2.76
100+
￥2.72

有货

立即购买

型号：IAUC100N10S5L040-HXY 编号：C51949347

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备100V漏源耐压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至3.6mΩ，可有效降低大电流工作下的功率损耗。其低导通电阻与高电流承载能力使其适用于高效率电源转换场景，如大功率同步整流、DC-DC变换器及电机驱动电路。器件在高负载条件下仍能保持良好热稳定性，适合对能效和功率密度有较高要求的设备，广泛用于各类高性能开关电源、储能系统及电力传输控制等应用场合。

1+
￥3.0875 ￥3.25
10+
￥3.021 ￥3.18
30+
￥2.9735 ￥3.13
100+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：SMIRF20N65T2TL-HXY 编号：C49256421

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为380mΩ，适用于高电压与较大功率环境下的开关控制。其较高的耐压能力与良好的电流承载特性，可广泛用于电源转换、高频电路、电机驱动以及各类中高功率电子系统中，满足多样化电路设计对稳定性和效率的需求。

1+
￥3.25
10+
￥3.18
50+
￥3.13

有货

立即购买

型号：DMTH32M5LPSQ-13-HXY 编号：C51949303

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.5mΩ，适用于大电流开关应用。其低RDSON特性显著降低导通损耗，提升整体能效，适合对热性能和空间布局要求较高的设计。常用于高性能电源转换、大功率直流电机控制、储能系统及同步整流等电路中，能够有效支持高密度、高效率的电力管理方案，满足复杂电子设备对稳定性和响应速度的需求。

1+
￥3.5815 ￥3.77
10+
￥3.5055 ￥3.69
30+
￥3.4485 ￥3.63
100+
￥3.401 ￥3.58

有货

立即购买

型号：SIR662DP-T1-GE3-HXY 编号：C53262842

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4毫欧。低导通电阻有效减少导通损耗，提升整体能效，同时高电流能力支持大功率运行需求。其电气特性适用于对热管理和效率有较高要求的电源系统，如开关电源、电机控制单元及高密度功率模块等应用场景。

1+
￥4.66
10+
￥4.56
30+
￥4.49

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示