大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMTH10H005SCT-HXY 编号：C51949345

封装：TO-220C

该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为4.1mΩ，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗，减少发热。其低RDON与高电流承载能力使其适用于对效率和热性能要求较高的开关电源系统。广泛用于大功率DC-DC转换器、高性能电源模块、电池管理系统及电机驱动电路，有助于提升系统能效与功率密度，是实现高效电能转换与控制的关键功率器件。

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￥5.44
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￥5.32
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￥5.24

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型号：IPT022N10NF2SATMA1-HXY 编号：C51949361

封装：TOLL-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达300A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率应用场景。其超低导通电阻仅为2mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件具有优良的开关特性和热稳定性，可支持大电流快速切换。典型应用包括高性能电源转换系统、大功率直流变换器、储能设备中的功率控制单元以及高电流电机驱动电路，适合对功率密度和效率有较高要求的复杂电子系统。

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￥7.73
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￥7.56
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￥7.45

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型号：FDP045N10A-F032-HXY 编号：C53262955

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，使其适用于大功率电源转换、高效电机驱动以及对热管理要求严苛的电子系统。在高频开关操作中，器件能维持较低的功耗，有助于提升整体电路效率和可靠性。

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￥10.15
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￥8.64
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￥7.7

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型号：IPP100N10S305AKSA2-HXY 编号：C53262945

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高频率的开关应用场景。器件结构支持良好的热传导性能，在电源转换、电机控制及大功率负载开关等电路中可实现稳定可靠的工作表现，满足对紧凑布局和高效运行的需求。

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￥11.06
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￥9.42
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￥8.39

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型号：IRG7PH46UD-EP-HXY 编号：C49003327

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高耐压、大功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时降低了导通损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该模块设计紧凑，效率高，适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。

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￥18.26
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￥15.55
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￥13.86

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型号：S8050 编号：C42459044

封装：SOT-23

品牌：ChipNobo(无边界)

特性：最大功率耗散300mW。高稳定性和可靠性

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￥0.0612
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￥0.047
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￥0.0391

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型号：FH9926 编号：C19273251

封装：SO-8

品牌：鑫飞宏

内部包括两个独立的、N沟道金属氧化物场效应管。它有高密度超低的导通电阻，适合用大功率、大电流的理想锂电池应用，低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。也可用来做小电流负载开关或者PWM开关。

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￥0.1681

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型号：BUK762R4-60E-VB 编号：C19626811

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥5.472 ￥5.76
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￥5.339 ￥5.62
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￥5.2535 ￥5.53
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￥5.168 ￥5.44

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型号：IPB019N06L3G-VB 编号：C19626830

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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型号：2KW8629 编号：C480008

封装：TO-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序电源开关功率放大功率驱动器

数据手册

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￥18.468 ￥19.44
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￥15.751 ￥16.58
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￥13.262 ￥13.96
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￥11.514 ￥12.12
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￥10.393 ￥10.94

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型号：8205LA 编号：C7420387

封装：TSSOP-8

品牌：FM(富满)

特性：专有的先进平面技术。高密度超低电阻设计。大功率、大电流应用。理想的锂电池应用。封装形式：TSSOP-8

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￥0.2177
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￥0.1133
5000+
￥0.106

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型号：MMBT5551 编号：C22472410

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与MMBT5401配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和高可靠性

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￥0.0794
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￥0.0619
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￥0.0521

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型号：MJE3055 编号：C78884

封装：TO-220-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

NPN 10A/60V 75W 大功率音频功放管。

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￥2.66
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￥2.09
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￥1.85

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型号：MJ21193G 编号：C606029

封装：TO-204

品牌：onsemi(安森美)

MJ21193 和 MJ21194 使用穿孔射极技术，针对大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用而设计。

数据手册

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￥49.8408 ￥87.44
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￥39.2826 ￥83.58
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￥28.453 ￥76.9
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￥26.2959 ￥71.07

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型号：S8550 编号：C5443973

封装：SOT-23

品牌：RealChip(正芯半导体)

特性：与S8050配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和高可靠性

数据手册

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￥0.0469
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￥0.0366
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￥0.0308
9000+
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99000+
￥0.0228

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型号：.8205S/P 编号：C2887492

封装：SOT-23-6

品牌：FM(富满)

特性：专有的先进平面技术。高密度超低电阻设计。大功率、大电流应用。理想的锂电池应用。封装形式：SOT23-6

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￥0.2419
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￥0.1891
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￥0.1626

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型号：BRCS035N08SHRA 编号：C22449014

封装：TO-220

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

TO-220 塑封封装 N 沟道场效应管低电阻,开关速度快 BMS 设备，大功率逆变器系统，电力设备 80V 195A

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￥4.7
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￥3.79
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￥3.33

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型号：S9018 编号：C22472419

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：AM/FM放大器，FM/VHF调谐器的本地振荡器。最大功率耗散200mW。高稳定性和高可靠性

50+
￥0.0456
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￥0.0445
1500+
￥0.0438

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型号：S8550 编号：C22471287

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与S8050配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和可靠性。封装：SOT-23封装。环氧树脂UL易燃等级：94V-0。安装位置：任意

50+
￥0.0636
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￥0.0495
3000+
￥0.0417

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型号：MMBT2907A 编号：C22472413

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与MMBT2222A配对。最大功率耗散250mW。高稳定性和高可靠性

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￥0.089
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￥0.0693
3000+
￥0.0584

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型号：MMBTA42 1D 编号：C5365526

封装：SOT-23

品牌：JUXING(钜兴)

特性：与MMBTA92配对。最大功率耗散350mW。高稳定性和可靠性

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￥0.1329
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￥0.1031
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￥0.0866
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￥0.075
9000+
￥0.0664
21000+
￥0.0618

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型号：MMBT3904 编号：C22472394

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与MMBT3906配对。最大功率耗散200mW。高稳定性和可靠性

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￥0.054
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￥0.0421
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￥0.0355

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型号：NSH300N15P3 编号：C46352557

封装：PDFN3x3-8

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

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￥5.25
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￥4.2
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￥3.67
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￥3.15
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￥2.84
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￥2.68

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型号：CRGMF75T120FSC 编号：C2904801

封装：螺栓安装

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：采用高速沟槽栅/场终止IGBT。低开关损耗。标准封装。应用：大功率变流器。电机传动

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￥84.38
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￥81.65

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型号：HCSD19531Q5A 编号：C42401349

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管(MOSFET)具有出色的电气特性，适用于多种电子电路设计。其最大漏极电流ID为75A，能够处理较大功率负载；耐压VDSS达到100V，确保了在较高电压环境下的稳定工作；导通电阻RDON仅为7.3毫欧姆，有效降低了功耗并提高了效率；栅源电压VGS支持高达20V，提供了灵活的驱动电压范围。凭借这些优异参数，该MOSFET非常适合于需要高性能开关或放大功能的应用场景中使用。