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封装：DFN-8L(5x6)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率。高电流能力与低阻抗特性使其适用于大功率电源管理、高效DC-DC转换器及对散热和空间有严格要求的电子装置。在高频开关操作中，器件能维持良好的动态响应和稳定性，适合用于高性能电力电子系统。

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型号：RS1E300GNTB-HXY 编号：C53263226

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有150A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、1.4mΩ的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻显著降低导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源管理与功率转换场景。器件在高负载条件下具备良好的热稳定性和开关响应能力，适合用于对功率密度和能效有严格要求的电子系统中，如高性能计算设备、服务器电源及大功率电机驱动等应用。

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型号：DMTH32M5LPSQ-13-HXY 编号：C51949303

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.5mΩ，适用于大电流开关应用。其低RDSON特性显著降低导通损耗，提升整体能效，适合对热性能和空间布局要求较高的设计。常用于高性能电源转换、大功率直流电机控制、储能系统及同步整流等电路中，能够有效支持高密度、高效率的电力管理方案，满足复杂电子设备对稳定性和响应速度的需求。

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型号：NVMFS5C645NWFT1G-HXY 编号：C53262858

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.7毫欧。如此低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。适用于高电流开关电源、高效DC-DC转换器、电池管理系统以及大功率电子负载等场景，在需要高效率与高可靠性运行的电路中表现出色。

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型号：CSD17505Q5A-HXY 编号：C51949291

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3mΩ，显著降低导通状态下的功率损耗。其低RDON与高电流承载能力相结合，有效提升系统能效并减少散热需求。适用于高密度电源转换装置，如大功率直流-直流变换器、高性能负载开关及电池管理系统中的开关元件。该器件适合用于对效率和热性能有严格要求的中高功率电子设备，可广泛应用于便携式大功率电源、通信设备电源模块及电机控制电路中的同步整流与功率开关场景。

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型号：IRFH5010TRPBF-HXY 编号：C49420408

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力，最大漏极电流（ID）达75A，漏源击穿电压（VDSS）为100V，导通电阻（RDON）低至6.4mΩ。该器件适用于高功率密度电源系统、高效能转换器、电池管理系统以及大功率负载的开关控制。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统整体效率，同时支持在较高频率下稳定工作，适合对性能和可靠性有较高要求的应用场景。

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型号：NVMFD5C668NLWFT1G-HXY 编号：C51949326

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和80A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为5.3mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体能效。低RDON与高电流承载能力使其适用于高频率开关电源设计，如同步整流、DC-DC电压转换模块及大功率负载驱动电路。器件在高电流密度和有限散热条件下仍可保持稳定性能，适合对空间布局和热管理有要求的高性能电子设备电源管理单元。

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型号：SIR662DP-T1-GE3-HXY 编号：C53262842

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4毫欧。低导通电阻有效减少导通损耗，提升整体能效，同时高电流能力支持大功率运行需求。其电气特性适用于对热管理和效率有较高要求的电源系统，如开关电源、电机控制单元及高密度功率模块等应用场景。

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型号：IPT022N10NF2SATMA1-HXY 编号：C51949361

封装：TOLL-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达300A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率应用场景。其超低导通电阻仅为2mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件具有优良的开关特性和热稳定性，可支持大电流快速切换。典型应用包括高性能电源转换系统、大功率直流变换器、储能设备中的功率控制单元以及高电流电机驱动电路，适合对功率密度和效率有较高要求的复杂电子系统。

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型号：NVMFS5C426NAFT1G-HXY 编号：C53263397

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET具备40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可承载高达219A的连续漏极电流（ID）。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，提升整体能效。适用于高电流、高频率运行的电源转换系统、电机控制电路及大功率电子设备中的开关应用，在严苛电气条件下仍能维持稳定工作特性。

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型号：IPC100N04S51R2ATMA1-HXY 编号：C53263398

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。其低导通电阻有助于减少导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的高电流开关场景。器件结构优化了高频开关特性，在电源转换、电机驱动及大功率负载控制等应用中表现出良好的动态响应与稳定性。

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型号：SIR668DP-T1-RE3-HXY 编号：C51949342

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为3.6mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体能效。其低电阻特性在高电流工作条件下可减少发热，改善热管理。适用于大功率电源转换、高效率直流-直流变换器、电池管理系统及高电流开关电路。器件性能满足对功率密度和稳定性要求较高的应用需求，适合用于需要可靠控制和高效能量传输的电子系统中。

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型号：FDP045N10A-F032-HXY 编号：C53262955

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，使其适用于大功率电源转换、高效电机驱动以及对热管理要求严苛的电子系统。在高频开关操作中，器件能维持较低的功耗，有助于提升整体电路效率和可靠性。

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型号：IRFS3006PBF-VB 编号：C7569026

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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型号：IPP100N10S305AKSA2-HXY 编号：C53262945

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高频率的开关应用场景。器件结构支持良好的热传导性能，在电源转换、电机控制及大功率负载开关等电路中可实现稳定可靠的工作表现，满足对紧凑布局和高效运行的需求。

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型号：IPT015N10NF2SATMA1-HXY 编号：C48996530

封装：TOLL-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电学性能和良好的热稳定性，主要参数包括：最大漏极电流ID为350A，漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至1.4mΩ。器件采用先进封装与制造工艺，能够在高频率、大功率条件下实现高效导通与低损耗运行。适用于高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等应用场景，满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。

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型号：S8050 编号：C42459044

封装：SOT-23

品牌：ChipNobo(无边界)

特性：最大功率耗散300mW。高稳定性和可靠性

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型号：BC817-25 编号：C17702543

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

特性：与BC807配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和高可靠性

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型号：BFP405H6327XTSA1 编号：C3200369

封装：SOT-343-3D

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低电流应用。适用于高达12GHz的振荡器。最小噪声系数NFmin = 1.25dB（1.8GHz时）。出色的最大功率增益Gms = 23dB（1.8GHz时）。无铅（符合RoHS标准）和无卤封装，引脚可见。可提供根据AEC-Q101的认证报告

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￥2.14
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￥1.61
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型号：NVMFS5C426NWFT1G-HXY 编号：C53263403

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为40V，最大连续漏极电流（ID）达219A，在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。如此低的导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频率的开关应用，如电源管理模块、电机控制电路以及大功率直流转换系统等场合。

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￥3.306 ￥3.48
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￥2.6885 ￥2.83
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￥2.375 ￥2.5
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型号：BSZ0589NSATMA1-HXY 编号：C53263153

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其极低的导通电阻显著减少了导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源路径设计。典型应用场景包括高性能计算设备的供电模块、大功率便携设备以及需要频繁开关操作的直流电源系统。器件在高负载条件下仍能保持较低温升，有助于提升整体系统的热稳定性和长期可靠性。

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￥1.7005 ￥1.79

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型号：IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY 编号：C53262877

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS），以及低至2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有效减少功率损耗和发热，适合在高电流密度环境下运行。典型应用包括大功率直流电源、高效同步整流电路、电动工具驱动单元及高频率开关电源等场合，能够满足对电气性能和热稳定性要求较高的设计需求。

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￥2.3465 ￥2.47

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型号：NVMFS5C450NAFT1G-HXY 编号：C53262880

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。如此低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适合在高电流、高效率要求的电源转换和开关应用中使用。其电气特性支持快速开关操作，适用于对热性能和能效有较高要求的电子系统，如大功率电源模块、电池管理系统及高效电机控制等场景。

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￥4.788 ￥5.04
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￥2.584 ￥2.72

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型号：DMTH10H005SCT-HXY 编号：C51949345

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为4.1mΩ，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗，减少发热。其低RDON与高电流承载能力使其适用于对效率和热性能要求较高的开关电源系统。广泛用于大功率DC-DC转换器、高性能电源模块、电池管理系统及电机驱动电路，有助于提升系统能效与功率密度，是实现高效电能转换与控制的关键功率器件。

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型号：IRG7PH46UD-EP-HXY 编号：C49003327

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高耐压、大功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时降低了导通损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该模块设计紧凑，效率高，适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。