大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RS25N50F 编号：C5371961

封装：TO-220F

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

高压MOS，大功率PC电源，逆变器，户外屏电源，PFC控制

1+
￥4.104 ￥4.32
10+
￥3.3915 ￥3.57
50+
￥3.04 ￥3.2
100+
￥2.6885 ￥2.83
500+
￥2.4795 ￥2.61
1000+
￥2.375 ￥2.5

有货

立即购买

型号：8205LA 编号：C7420387

封装：TSSOP-8

品牌：FM(富满)

特性：专有的先进平面技术。高密度超低电阻设计。大功率、大电流应用。理想的锂电池应用。封装形式：TSSOP-8

5+
￥0.2177
50+
￥0.1697
150+
￥0.1457
1250+
￥0.1277
2500+
￥0.1133
5000+
￥0.106

订货

我要订货

型号：RS45N50W 编号：C22364762

封装：TO-247-3

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

高压MOS，大功率PC电源，逆变器，户外屏电源，PFC控制

1+
￥13.13
10+
￥11.11
30+
￥9.84

有货

立即购买

型号：MJ21193G 编号：C606029

封装：TO-204

品牌：onsemi(安森美)

MJ21193 和 MJ21194 使用穿孔射极技术，针对大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用而设计。

数据手册

1+
￥43.72 ￥87.44
10+
￥33.432 ￥83.58
30+
￥23.07 ￥76.9
100+
￥21.321 ￥71.07

有货

立即购买

型号：.8205S/P 编号：C2887492

封装：SOT-23-6

品牌：FM(富满)

特性：专有的先进平面技术。高密度超低电阻设计。大功率、大电流应用。理想的锂电池应用。封装形式：SOT23-6

数据手册

5+
￥0.2419
50+
￥0.1891
150+
￥0.1626
1500+
￥0.1428
3000+
￥0.127
4500+
￥0.1191

订货

我要订货

型号：MMBT2907A 编号：C22472413

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与MMBT2222A配对。最大功率耗散250mW。高稳定性和高可靠性

50+
￥0.089
500+
￥0.0693
3000+
￥0.0584

有货

立即购买

型号：BRCS035N08SHRA 编号：C22449014

封装：TO-220

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

TO-220 塑封封装 N 沟道场效应管低电阻,开关速度快 BMS 设备，大功率逆变器系统，电力设备 80V 195A

1+
￥4.7
10+
￥3.79
30+
￥3.33

有货

立即购买

型号：MMBT3904 编号：C22472394

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与MMBT3906配对。最大功率耗散200mW。高稳定性和可靠性

50+
￥0.054
500+
￥0.0421
3000+
￥0.0355

有货

立即购买

型号：S8550 编号：C22471287

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与S8050配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和可靠性。封装：SOT-23封装。环氧树脂UL易燃等级：94V-0。安装位置：任意

50+
￥0.0636
500+
￥0.0495
3000+
￥0.0417

有货

立即购买

型号：MMBT5551 编号：C22472410

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与MMBT5401配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和高可靠性

50+
￥0.0794
500+
￥0.0619
3000+
￥0.0521

有货

立即购买

型号：S9018 编号：C22472419

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：AM/FM放大器，FM/VHF调谐器的本地振荡器。最大功率耗散200mW。高稳定性和高可靠性

50+
￥0.089
500+
￥0.0693
3000+
￥0.0584

有货

立即购买

型号：BCX55-16 编号：C22472407

封装：SOT-89-3L

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与BCX51、BCX52、BCX53配对。最大功率耗散500mW。高稳定性和高可靠性

10+
￥0.2532
100+
￥0.2002
300+
￥0.1736

有货

立即购买

型号：NTD4809N-HXY 编号：C22367124

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流60A，能满足高功率需求。电压30V，可在多种常见电路环境稳定运行。内阻典型值7mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备进行电流控制。

5+
￥1.4056
50+
￥1.1037
150+
￥0.9743
500+
￥0.8129
2500+
￥0.741
5000+
￥0.6979

订货

我要订货

型号：NTTFS4824N-HXY 编号：C22367288

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流高达100A，能适应较大功率场景。电压为30V，可在特定电路中稳定运行。内阻典型值4mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。

5+
￥0.7086
50+
￥0.692
150+
￥0.681
500+
￥0.6699

订货

我要订货

型号：MJE3055 编号：C78884

封装：TO-220-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

NPN 10A/60V 75W 大功率音频功放管。

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.21
50+
￥1.96
100+
￥1.66
500+
￥1.52
1000+
￥1.44

订货

我要订货

型号：2SA1290 编号：C480210

封装：TO-220C

品牌：SPTECH(深圳质超)

电气设备的各种电感灯驱动器。·逆变器、转换器（闪光开关、闪光灯、荧光灯照明电路）。·功率放大器（大功率车载立体声音响、电机控制器）。·高速开关（开关调节器、驱动器）。

数据手册

1+
￥5.5
10+
￥4.42
50+
￥3.73
100+
￥3.19
500+
￥2.87
1000+
￥2.7

订货

我要订货

型号：AUIRF3805STRR-VB 编号：C20755201

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥6.3585
100+
￥6.123
200+
￥5.652
1000+
￥5.4165
2000+
￥5.2752

我要订货

型号：VBL1602 编号：C7541197

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥6.3585
100+
￥6.123
200+
￥5.652
1000+
￥5.4165
2000+
￥5.2752

我要订货

型号：IRLS3036-VB 编号：C20755413

封装：TO-263

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥6.3585
100+
￥6.123
200+
￥5.652
1000+
￥5.4165
2000+
￥5.2752

我要订货

型号：MMBT3906 编号：C22472395

封装：SOT-23

品牌：SINEDEVICE(宇宏微)

特性：与MMBT3904配对。最大功率耗散200mW。高稳定性和高可靠性。封装：SOT-23封装。环氧树脂UL易燃等级：94V-0。安装位置：任意

50+
￥0.054
500+
￥0.0421
3000+
￥0.0355
6000+
￥0.0315
24000+
￥0.0281
51000+
￥0.0262

订货

我要订货

型号：MJ21194G 编号：C223616

封装：TO-3

品牌：onsemi(安森美)

MJ21193 和 MJ21194 使用穿孔射极技术，针对大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用而设计。

数据手册

单价：
￥30.76284 / 个

我要订货

型号：CRGMF75T120FSC 编号：C2904801

封装：螺栓安装

品牌：CRMICRO(华润微)

特性：采用高速沟槽栅/场终止IGBT。低开关损耗。标准封装。应用：大功率变流器。电机传动

数据手册

1+
￥84.38
10+
￥81.65

订货

我要订货

型号：.8205A 编号：C841290

封装：SOT-23-6

品牌：FM(富满)

特性：专有的先进平面技术。高密度超低电阻设计。大功率、大电流应用。理想的锂电池应用。封装形式：SOT23-6

数据手册

10+
￥0.3272
100+
￥0.2624
300+
￥0.23
3000+
￥0.199
6000+
￥0.1796
9000+
￥0.1698

订货

我要订货

型号：SS8050 编号：C7420370

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:200-350，丝印:Y1

50+
￥0.0662
500+
￥0.0532
3000+
￥0.0474
6000+
￥0.043
24000+
￥0.0413
51000+
￥0.0401

有货

立即购买

型号：S8050 编号：C20069125

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:200-350，丝印:J3Y

50+
￥0.0585
500+
￥0.0457
3000+
￥0.0347
6000+
￥0.0304
24000+
￥0.0287
51000+
￥0.0276

有货

立即购买

型号：MMBT5551 编号：C7420357

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:100-300，丝印:G1

50+
￥0.0718
500+
￥0.0608
3000+
￥0.0442
6000+
￥0.0405
24000+
￥0.039
51000+
￥0.038

有货

立即购买

型号：AO3401A 编号：C347476

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。该器件适合用作负载开关或其他通用应用。

数据手册

20+
￥0.1956
200+
￥0.1443
600+
￥0.1214
3000+
￥0.1042
9000+
￥0.0973
21000+
￥0.0928

有货

立即购买

型号：AO3400A 编号：C347475

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。可在低至2.5V的栅极电压下工作。漏源电压（VDS）：30V。漏极电流（ID）：5.8A（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）：< 27mΩ（VGS = 10V）；< 31mΩ（VGS = 4.5V）；< 48mΩ（VGS = 2.5V）

数据手册