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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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BSC097N06NS-MS
型号：BSC097N06NS-MS 编号：C51927946
封装：DFN-8L(5x6)
品牌：MSKSEMI(美森科)
此款BSC097N06NS-MS为N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，能承载高达65A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备低导通电阻与高效散热性能，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。

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    耐压:60V 电流:80A
    型号：HDMNH6008SPSQ13 编号：C42401295
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的连续漏极电流（ID）处理能力，能够在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）低至5.3毫欧，确保了高效率的能量转换。该MOSFET支持最大±25V的栅源电压（VGS），适用于大功率应用，例如高性能计算设备中的电源管理系统、可再生能源技术中的逆变器电路以及需要快速切换频率的PWM控制器等场合，提供可靠的电流调节和保护功能。

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    IAUC100N10S5L040-HXY
    型号：IAUC100N10S5L040-HXY 编号：C51949347
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道MOSFET具备100V漏源耐压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至3.6mΩ，可有效降低大电流工作下的功率损耗。其低导通电阻与高电流承载能力使其适用于高效率电源转换场景，如大功率同步整流、DC-DC变换器及电机驱动电路。器件在高负载条件下仍能保持良好热稳定性，适合对能效和功率密度有较高要求的设备，广泛用于各类高性能开关电源、储能系统及电力传输控制等应用场合。

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    音频功率放大器
    型号：WGA1941 编号：C22376114
    封装：TO-3P
    品牌：Wild Goose(威谷)
    WGA1941是一款适用于功放类的大功率三极管

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    音频功率放大器
    型号：WGA1943 编号：C22376111
    封装：TO-3PL
    品牌：Wild Goose(威谷)
    WGA1943是一款适用于功放类的大功率三极管

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    N沟道增强型屏蔽栅沟槽功率MOSFET
    型号：NSH079N15P5 编号：C46352554
    封装：PDFN5x6-8
    品牌：NH(纽航)
    低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

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    PNP 电流:16A 电压:200V
    型号：MJ15023G-JSM 编号：C20606853
    封装：TO-3
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。

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    PNP 电流:16A 电压:250V
    型号：MJ15025G-JSM 编号：C19673772
    封装：TO-3
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
    型号：FDD306P-HXY 编号：C18198385
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该消费级N沟道MOSFET封装为TO-252-2L，具备20V电压额定值及高达60A的连续电流处理能力，专为高电流应用场景设计，如电源转换、大功率负载控制，实现高效能、低损耗开关操作。

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
    型号：DMG7401SFG-HXY 编号：C22366845
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为P型，电流达32A，可满足较大功率需求。电压为30V，适应多种常见电路环境。内阻典型值10mR，能减少能量损耗。VGS为25V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：NTD4804N-HXY 编号：C22367132
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流为120A，能承载较大功率。电压30V，可在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值3mR，减少了能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，适用于特定高功率电子设备的电流控制。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NTTFS4C25N-HXY 编号：C22367280
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流达60A，可应对较大功率场景。电压30V，能在特定电路环境稳定运行。内阻典型值6mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：NTD4904N-HXY 编号：C22367133
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流达120A，具备强大的电流承载能力。电压为30V，能在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值仅3mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流调控。

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
    型号：DMP3010LK3-HXY 编号：C22366831
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为P型，电流高达80A，可满足较大功率需求。电压为30V，适应常见电路环境。内阻典型值6.5mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。

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      ￥1.74131 ￥2.0486

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    NTMFS4939N-MS
    型号：NTMFS4939N-MS 编号：C51927972
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款NTMFS4939N-MS是一款N沟道场效应管，电流为80A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值4.3mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制与稳定运行。(NTMFS4939NT1G)

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：NVTFWS015N04C-HXY 编号：C22367313
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流为60A，可在较大功率场景下发挥作用。电压40V，能确保在特定电路稳定运行。内阻典型值6.9mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，适用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备。

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      ￥2.119 ￥3.26

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    2个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：NVMFD5875NL-HXY 编号：C22366991
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N+N型，电流为50A，可承载较大功率。电压60V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值11mR，能有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
    型号：NTMFS4C05N-HXY 编号：C22367227
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流高达150A，能适应大功率场景。电压30V，可在特定电路中稳定运行。内阻典型值仅2mR，能量损耗很低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有极高要求的大型电子设备进行电流调控。

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：NVTFS015N04C-HXY 编号：C22367312
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流高达60A，可满足较大功率需求。电压为40V，能在特定电路中稳定工作。内阻典型值6.9mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。

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      ￥1.3376 ￥1.52
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    N沟道 耐压:60V 电流:80A
    型号：IRFR7546TRPBF-HXY 编号：C20606269
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，具备高达80A的连续电流承载能力，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率开关电路，提供低导通电阻与高效能表现，是现代电子设备实现卓越功率控制的理想之选。

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    SIR182DP-T1-RE3-HXY
    型号：SIR182DP-T1-RE3-HXY 编号：C53262849
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道MOSFET具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和125A的连续漏极电流（ID），导通状态下漏源导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4mΩ，显著降低导通损耗。器件支持高电流密度运行，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及大功率电子开关等场合，能够在高频操作中维持稳定的电气特性与较低的温升。

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:25A
    型号：RS25N50W 编号：C5371962
    封装：TO-247
    品牌：REASUNOS(瑞森半导体)
    高压MOS，大功率PC电源，逆变器，户外屏电源，PFC控制

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    CSD18531Q5AT-HXY
    型号：CSD18531Q5AT-HXY 编号：C53262851
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7mΩ。其极低的导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高电流、高频率的开关电路，如电源转换系统、电机驱动模块及大功率电子负载等场景，在持续大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。

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    N沟道增强型MOSFET
    型号：IXTY90N055T2-HXY 编号：C49420452
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID可达80A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至6.5mΩ。该器件适用于高效率、大功率的开关应用场合，如电源转换器、电机驱动电路、储能系统以及高性能计算设备中的功率管理模块。其低导通电阻与高电流承载能力可有效降低损耗，提升系统整体能效和稳定性。

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:28A
    型号：RS28N50W 编号：C7465274
    封装：TO-247-3
    品牌：REASUNOS(瑞森半导体)
    高压MOS，大功率PC电源，逆变器，户外屏电源，PFC控制

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    NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
    型号：NVTFS5C658NLWFTAG-HXY 编号：C51949318
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品为N沟道场效应管，具有60V漏源耐压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4mΩ。低RDON参数有助于减小导通损耗，提高电源转换效率，适用于高负载功率开关场景。器件具备良好的热稳定性和电流承载能力，适合用于高效DC-DC变换器、大功率电源模块、电池供电设备的功率控制电路，以及对能效和空间布局有较高要求的电子系统中，作为关键开关元件实现快速响应与稳定工作。

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      ￥7.3625 ￥7.75

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    N沟道增强型MOSFET
    型号：NVTFS4C05NWFTAG-HXY 编号：C51949305
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID），适用于大电流开关场景。其导通电阻低至2.9mΩ，显著降低导通损耗，有助于提升整体能效并减少热积累。优异的电流承载能力与低RDS(on)特性使其适合用于高功率密度电源系统，如同步整流、大电流DC-DC变换器及电池供电设备中的功率控制模块。器件响应速度快，支持高频开关操作，可满足高性能数字电源和便携式大功率设备对稳定性和效率的严苛要求。

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    NVMFS4C03NWFT3G-HXY
    型号：NVMFS4C03NWFT3G-HXY 编号：C53263251
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道MOSFET支持150A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为1.4毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。凭借极低的导通电阻，器件在高电流工作时能有效抑制功耗与温升，适用于大功率电源转换、高效电机驱动及同步整流等对能效和热性能要求严苛的场合。其结构设计有利于实现快速开关响应，有助于提升整体电路效率与动态性能。

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    NVMFS4C03NWFT1G-HXY
    型号：NVMFS4C03NWFT1G-HXY 编号：C51949306
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和150A的连续漏极电流（ID），适用于高电流开关应用。其导通电阻低至1.5mΩ，有效降低导通损耗，减少工作时的热量产生，提升系统能效。优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路，如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。器件具备良好的热稳定性和快速开关响应，支持高频运行，可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。

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    DI100N10PQ-HXY
    型号：DI100N10PQ-HXY 编号：C51949344
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为3.6mΩ，显著降低导通损耗，提升系统整体能效。低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高功率密度设计。器件适用于各类高效开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及大功率转换模块，可有效改善热性能与效率表现，是高性能功率开关应用中的典型场效应管解决方案。

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