大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WGTTC5200 编号：C22376113

封装：TO-3PL

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款是一款适用于功放类的大功率三极管

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￥7.072 ￥8.32
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￥5.848 ￥6.88
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￥5.1765 ￥6.09
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￥4.42 ￥5.2
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￥4.08 ￥4.8
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￥3.927 ￥4.62

有货

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型号：NVMFS5A140PLZT1G-HXY 编号：C52174746

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该P沟道场效应管（MOSFET）具有40V漏源耐压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.1mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。P沟道结构适用于高边开关配置，简化驱动电路设计。其高电流承载能力和低功耗特性，使其适合用于大功率直流电源转换、电池管理系统及多相电压调节模块中。可广泛应用于高性能计算设备、通信电源单元、储能装置以及便携式高功率电子设备的功率控制电路，支持紧凑化与高能效设计需求。

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￥12.141 ￥12.78
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￥11.8655 ￥12.49
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￥11.685 ￥12.3
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￥11.495 ￥12.1

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型号：HXY60N02D 编号：C3033437

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有20V额定电压及高达60A连续电流承载能力，专为高电流应用设计，如电源转换、大功率电机驱动等场合，提供高效能、低阻抗的开关控制解决方案。

数据手册

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￥0.6403
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￥0.5111
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￥0.4465
500+
￥0.398
2500+
￥0.3304
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￥0.311

有货

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型号：DMN2005UFG-MS 编号：C51908775

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款DMN2005UFG-MS场效应管为N沟道：60A大电流满足较大功率输出需求，20V 电压适配多类常见电路环境，4mΩ 典型内阻有效降低能量损耗，VGS 20V，可用于消费电子领域对电流、电压有特定要求的设备可兼容DMN2005UFG-13

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￥0.7206
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￥0.7048
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￥0.6942
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￥0.6837

有货

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型号：DMG7401SFG-HXY 编号：C22366845

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为P型，电流达32A，可满足较大功率需求。电压为30V，适应多种常见电路环境。内阻典型值10mR，能减少能量损耗。VGS为25V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

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￥1.1996 ￥1.4995
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￥0.94192 ￥1.1774
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￥0.83152 ￥1.0394
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￥0.69376 ￥0.8672
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￥0.6324 ￥0.7905
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￥0.5956 ￥0.7445

有货

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型号：BSC097N06NS-MS 编号：C51927946

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC097N06NS-MS为N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，能承载高达65A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备低导通电阻与高效散热性能，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。

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￥1.58
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￥1.54
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￥1.52
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￥1.5

有货

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型号：DMN3009SK3-HXY 编号：C22367137

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流为150A，可承载较大功率。电压30V，能在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值2mR，能量损耗低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流调控。

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￥1.7899
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￥1.4119
150+
￥1.2499

有货

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型号：BFP405H6327XTSA1 编号：C3200369

封装：SOT-343-3D

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低电流应用。适用于高达12GHz的振荡器。最小噪声系数NFmin = 1.25dB（1.8GHz时）。出色的最大功率增益Gms = 23dB（1.8GHz时）。无铅（符合RoHS标准）和无卤封装，引脚可见。可提供根据AEC-Q101的认证报告

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￥2.68
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￥2.13
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￥1.89
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￥1.59
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￥1.46

有货

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型号：HDMNH6008SPSQ13 编号：C42401295

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的连续漏极电流（ID）处理能力，能够在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）低至5.3毫欧，确保了高效率的能量转换。该MOSFET支持最大±25V的栅源电压（VGS），适用于大功率应用，例如高性能计算设备中的电源管理系统、可再生能源技术中的逆变器电路以及需要快速切换频率的PWM控制器等场合，提供可靠的电流调节和保护功能。

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￥4.312 ￥4.9
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￥3.5024 ￥3.98
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￥3.0976 ￥3.52
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￥2.6928 ￥3.06
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￥2.4464 ￥2.78
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￥2.3232 ￥2.64

有货

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型号：NVTFS4C05NWFTAG-HXY 编号：C51949305

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID），适用于大电流开关场景。其导通电阻低至2.9mΩ，显著降低导通损耗，有助于提升整体能效并减少热积累。优异的电流承载能力与低RDS(on)特性使其适合用于高功率密度电源系统，如同步整流、大电流DC-DC变换器及电池供电设备中的功率控制模块。器件响应速度快，支持高频开关操作，可满足高性能数字电源和便携式大功率设备对稳定性和效率的严苛要求。

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￥4.7975 ￥5.05
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￥4.693 ￥4.94
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￥4.617 ￥4.86
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￥4.5505 ￥4.79

有货

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型号：WGA1941 编号：C22376114

封装：TO-3P

品牌：Wild Goose(威谷)

WGA1941是一款适用于功放类的大功率三极管

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￥5.46 ￥7.28
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￥4.515 ￥6.02
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￥3.9975 ￥5.33
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￥3.4125 ￥4.55
450+
￥3.15 ￥4.2
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￥3.0375 ￥4.05

有货

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型号：MJ15023G-JSM 编号：C20606853

封装：TO-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。

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￥7.983 ￥8.87
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￥6.687 ￥7.43
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￥5.364 ￥5.96
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￥4.554 ￥5.06
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￥4.194 ￥4.66
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￥4.032 ￥4.48

有货

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型号：SIR668DP-T1-RE3-HXY 编号：C51949342

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为3.6mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体能效。其低电阻特性在高电流工作条件下可减少发热，改善热管理。适用于大功率电源转换、高效率直流-直流变换器、电池管理系统及高电流开关电路。器件性能满足对功率密度和稳定性要求较高的应用需求，适合用于需要可靠控制和高效能量传输的电子系统中。

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￥9.6425 ￥10.15
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￥5.8045 ￥6.11

有货

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型号：NTMFS4D2N10MDT1G-HXY 编号：C51949336

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至3.6mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。采用先进工艺技术，具备优良的热稳定性和开关特性，适合用于高性能电源转换、大功率DC-DC变换器及电池管理系统中的功率控制。器件结构优化，支持高密度布局，有助于提升整体电路的功率密度与运行可靠性。

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￥9.6425 ￥10.15
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￥8.208 ￥8.64
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￥5.8045 ￥6.11

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型号：RS30N50W 编号：C5371963

封装：TO-247

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

高压MOS，大功率PC电源，逆变器，户外屏电源，PFC控制

数据手册

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￥13.281 ￥13.98
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￥11.495 ￥12.1
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￥10.374 ￥10.92
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￥9.2245 ￥9.71
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￥8.702 ￥9.16
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￥8.474 ￥8.92

有货

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型号：TIP41C255 编号：C51026342

封装：TO-220-3

品牌：GMIC(绿微)

NPN型三极管，具备100V的高VCEO耐压值和6A的强大集电极电流能力，其放大倍数在15至75之间可调，适用于各类大功率、高电流开关及放大电路设计。

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￥0.5084
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￥0.4972
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￥0.4898
500+
￥0.4823

有货

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型号：FDD306P-HXY 编号：C18198385

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该消费级N沟道MOSFET封装为TO-252-2L，具备20V电压额定值及高达60A的连续电流处理能力，专为高电流应用场景设计，如电源转换、大功率负载控制，实现高效能、低损耗开关操作。

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￥0.63096 ￥0.717
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￥0.617936 ￥0.7022
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￥0.609224 ￥0.6923
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￥0.600512 ￥0.6824

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型号：NTTFS4C25N-HXY 编号：C22367280

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流达60A，可应对较大功率场景。电压30V，能在特定电路环境稳定运行。内阻典型值6mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。

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￥0.67032 ￥0.8379
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￥0.65472 ￥0.8184
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￥0.64424 ￥0.8053
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￥0.63376 ￥0.7922

有货

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型号：IRF7455TRPBF-HXY 编号：C20606228

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装，专为处理高电流应用而设计。额定电压30V，可承载高达80A连续电流，特别适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具有出色的导通性能和散热效率，是现代电子系统中不可或缺的高性能半导体元件。

5+
￥0.726831 ￥0.8757
50+
￥0.71131 ￥0.857
150+
￥0.700935 ￥0.8445
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￥0.69056 ￥0.832

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型号：NTMFS4939N-HXY 编号：C22367001

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流为80A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值4.3mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制与稳定运行。

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￥0.86415 ￥1.1522
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￥0.8439 ￥1.1252
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￥0.830475 ￥1.1073
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￥0.816975 ￥1.0893

有货

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型号：NTMFS4939N-MS 编号：C51927972

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款NTMFS4939N-MS是一款N沟道场效应管，电流为80A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值4.3mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制与稳定运行。(NTMFS4939NT1G)

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￥1.0613
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￥1.038
150+
￥1.0224
500+
￥1.0069

有货

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型号：NTTFS4821N-HXY 编号：C22367306

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流高达100A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值4mR，有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流控制。

5+
￥1.07319 ￥1.293
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￥0.842699 ￥1.0153
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￥0.743929 ￥0.8963
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￥0.620674 ￥0.7478
2500+
￥0.565728 ￥0.6816
5000+
￥0.53286 ￥0.642

有货

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型号：IRFR1018EPBF-HXY 编号：C22366669

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型。电流达80A，可承载较大电流负荷。电压为60V，适应多种电压环境。内阻典型值6.5mR，较低内阻能提升效率。VGS为20V。适用于各类电子产品，在大功率电源管理和信号处理等方面发挥可靠作用。

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￥1.1232 ￥1.44
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￥1.092 ￥1.4
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￥1.0764 ￥1.38
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￥1.0608 ￥1.36

有货

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型号：DMT2004UFV-13-HXY 编号：C51949180

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID），适用于高电流开关应用。其导通电阻（RDS(on)）低至3.5mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统整体效率。该器件适用于大功率电源转换电路、便携式高能设备的电源管理模块、电动工具驱动单元以及电池供电系统的主开关电路。凭借其优异的电流承载能力和热稳定性，适合用于对空间紧凑性和能效要求较高的电子设备设计中。

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￥1.157575 ￥1.2185
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￥1.132115 ￥1.1917
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￥1.115205 ￥1.1739
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￥1.0982 ￥1.156

有货

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型号：RS1G120MNTB-HXY 编号：C51949311

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具备40V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为11mΩ。较低的RDSON有助于减少高负载条件下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于中等电压直流开关应用，如大功率电源管理模块、电池供电设备中的能量切换、高效DC-DC转换电路以及对热性能和空间布局有要求的紧凑型电子产品，可满足对稳定性和导通效率有一定需求的功率控制场景。

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￥1.182465 ￥1.2447
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￥1.15653 ￥1.2174
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￥1.139145 ￥1.1991
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￥1.121855 ￥1.1809

有货

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型号：NTD4804N-HXY 编号：C22367132

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流为120A，能承载较大功率。电压30V，可在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值3mR，减少了能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，适用于特定高功率电子设备的电流控制。

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￥1.210088 ￥1.3751
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￥0.950224 ￥1.0798
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￥0.838816 ￥0.9532
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￥0.699864 ￥0.7953
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￥0.637912 ￥0.7249
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￥0.600776 ￥0.6827

有货

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型号：NVTFS015N04C-HXY 编号：C22367312

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此场效应管为N型，电流高达60A，可满足较大功率需求。电压为40V，能在特定电路中稳定工作。内阻典型值6.9mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的中型电子设备中。

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￥1.4168 ￥1.61
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￥1.3816 ￥1.57
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￥1.3552 ￥1.54
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￥1.3376 ￥1.52

有货

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型号：DMT2004UFG-13-HXY 编号：C51949179

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具备30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流负载下的开关操作。其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为3.5mΩ，可有效降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件适用于大功率电源管理单元、高性能计算模块的电压调节、电动设备驱动电路以及电池供电系统中的主控开关，满足对电流承载能力和热性能要求较高的设计需求，适合集成于紧凑型高密度电路中。

1+
￥1.6245 ￥1.71
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￥1.5865 ￥1.67
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￥1.5675 ￥1.65
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￥1.539 ￥1.62

有货

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型号：NVTFWS015N04C-HXY 编号：C22367313

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流为60A，可在较大功率场景下发挥作用。电压40V，能确保在特定电路稳定运行。内阻典型值6.9mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，适用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备。

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￥2.0475 ￥3.15
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￥1.612 ￥2.48
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￥1.4235 ￥2.19
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￥1.183 ￥1.82
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￥1.079 ￥1.66
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￥1.0205 ￥1.57

有货

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型号：NVMFS5C468NL-HXY 编号：C22366807

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管，电流达70A，可应对较大功率需求。电压为40V，适应多种电路环境。内阻典型值6.5mR，低内阻减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子领域，可在电子设备中稳定电流、控制电压，确保设备正常运行。

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￥2.226 ￥3.18
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