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SIR182DP-T1-RE3-HXY
型号：SIR182DP-T1-RE3-HXY 编号：C53262849
封装：DFN-8L(5x6)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道MOSFET具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和125A的连续漏极电流（ID），导通状态下漏源导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4mΩ，显著降低导通损耗。器件支持高电流密度运行，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及大功率电子开关等场合，能够在高频操作中维持稳定的电气特性与较低的温升。

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：BSC030P03NS3G-HXY 编号：C22367086
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为P型，电流高达110A，可承载较大功率。电压30V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值仅3mR，能量损耗小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流控制。

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    N沟道增强型MOSFET
    型号：IXTY90N055T2-HXY 编号：C49420452
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID可达80A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至6.5mΩ。该器件适用于高效率、大功率的开关应用场合，如电源转换器、电机驱动电路、储能系统以及高性能计算设备中的功率管理模块。其低导通电阻与高电流承载能力可有效降低损耗，提升系统整体能效和稳定性。

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    CSD17505Q5A-HXY
    型号：CSD17505Q5A-HXY 编号：C51949291
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3mΩ，显著降低导通状态下的功率损耗。其低RDON与高电流承载能力相结合，有效提升系统能效并减少散热需求。适用于高密度电源转换装置，如大功率直流-直流变换器、高性能负载开关及电池管理系统中的开关元件。该器件适合用于对效率和热性能有严格要求的中高功率电子设备，可广泛应用于便携式大功率电源、通信设备电源模块及电机控制电路中的同步整流与功率开关场景。

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    N-SGT增强型MOSFET
    型号：IRFH5010TRPBF-HXY 编号：C49420408
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力，最大漏极电流（ID）达75A，漏源击穿电压（VDSS）为100V，导通电阻（RDON）低至6.4mΩ。该器件适用于高功率密度电源系统、高效能转换器、电池管理系统以及大功率负载的开关控制。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统整体效率，同时支持在较高频率下稳定工作，适合对性能和可靠性有较高要求的应用场景。

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:25A
    型号：RS25N50F 编号：C5371961
    封装：TO-220F
    品牌：REASUNOS(瑞森半导体)
    高压MOS，大功率PC电源，逆变器，户外屏电源，PFC控制

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    NVMFD5C668NLWFT1G-HXY
    型号：NVMFD5C668NLWFT1G-HXY 编号：C51949326
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和80A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为5.3mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体能效。低RDON与高电流承载能力使其适用于高频率开关电源设计，如同步整流、DC-DC电压转换模块及大功率负载驱动电路。器件在高电流密度和有限散热条件下仍可保持稳定性能，适合对空间布局和热管理有要求的高性能电子设备电源管理单元。

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:25A
    型号：RS25N50W 编号：C5371962
    封装：TO-247
    品牌：REASUNOS(瑞森半导体)
    高压MOS，大功率PC电源，逆变器，户外屏电源，PFC控制

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    NVMFS4C03NWFT1G-HXY
    型号：NVMFS4C03NWFT1G-HXY 编号：C51949306
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和150A的连续漏极电流（ID），适用于高电流开关应用。其导通电阻低至1.5mΩ，有效降低导通损耗，减少工作时的热量产生，提升系统能效。优异的电气性能使其适合用于大功率电源转换电路，如大电流同步整流、高效DC-DC变换器及高密度电池管理系统中的功率控制。器件具备良好的热稳定性和快速开关响应，支持高频运行，可满足高性能电子设备对低损耗、高可靠功率器件的需求。

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    DI100N10PQ-HXY
    型号：DI100N10PQ-HXY 编号：C51949344
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为3.6mΩ，显著降低导通损耗，提升系统整体能效。低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高功率密度设计。器件适用于各类高效开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及大功率转换模块，可有效改善热性能与效率表现，是高性能功率开关应用中的典型场效应管解决方案。

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    SIR170DP-T1-RE3-HXY
    型号：SIR170DP-T1-RE3-HXY 编号：C51949338
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为3.6mΩ。低RDON显著降低了导通损耗，有助于提高电源转换效率并减少散热需求。器件适用于高电流开关应用，如大功率电源模块、高效直流-直流变换电路、电池管理系统中的功率控制，以及对能效和热性能要求较高的设备。其电气特性支持稳定可靠的功率传输与管理。

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    N沟道 耐压:100V 电流:312A
    型号：IPT015N10NF2SATMA1-HXY 编号：C48996530
    封装：TOLL-8
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电学性能和良好的热稳定性，主要参数包括：最大漏极电流ID为350A，漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至1.4mΩ。器件采用先进封装与制造工艺，能够在高频率、大功率条件下实现高效导通与低损耗运行。适用于高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等应用场景，满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:270A
    型号：IRF3805S-VB 编号：C19190276
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
    型号：NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY 编号：C51949324
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ，具备优异的导通性能，有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。低电阻特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高密度电源转换模块、高效直流电机驱动及大功率开关电源电路。器件适合用于对电流承载能力和热稳定性要求较高的应用场景，可为高性能电子系统中的功率开关环节提供可靠的技术支持。

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    1个N沟道 耐压:60V
    型号：IRFS3006PBF-VB 编号：C7569026
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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      ￥9.937 ￥10.46

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    FDP047N10-HXY
    型号：FDP047N10-HXY 编号：C53262918
    封装：TO-220C
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其超低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统整体效率，适用于高电流密度和高效率要求的电源转换、电机驱动及大功率开关电路等应用场合。器件在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。

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      ￥19.07

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      ￥16.39

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      ￥14.79
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    SOT-23贴片塑封三极管 NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-25 编号：C17702543
    封装：SOT-23
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：与BC807配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和高可靠性

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      ￥0.0403
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:62A
    型号：TPN6R303NC-HXY 编号：C22366980
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流为62A，可适应较大功率需求。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值5mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制和功率调节。

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      ￥0.51462 ￥0.5718

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NTD4813NH-HXY 编号：C22367128
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流60A，可满足高功率应用需求。电压30V，能在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值7mR，减少了能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于大功率电子设备的电流控制。

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      ￥0.538278 ￥0.6901

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
    型号：TPCC8093-HXY 编号：C22366924
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流60A，可在较大功率需求下稳定工作。电压20V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值4mR，能有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备中。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NTD4809N-HXY 编号：C22367124
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流60A，能满足高功率需求。电压30V，可在多种常见电路环境稳定运行。内阻典型值7mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备进行电流控制。

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      ￥0.544362 ￥0.6979
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：STD35NF06-HXY 编号：C22366967
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流为50A，可满足较大功率的输出需求。电压达60V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值15mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电路控制。

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
    型号：DMN2005UFG-HXY 编号：C22366925
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流高达60A，可满足较大功率输出需求。电压为20V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值仅4mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：NTD4302-HXY 编号：C22367116
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流为50A，可满足较高功率需求。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值7.5mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流控制。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：DMN3016LK3-HXY 编号：C22367115
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流达50A，可承载较大功率。电压为30V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值7.5mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定中等功率电子设备的电流调控。

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      ￥0.707025 ￥0.9427

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NVTFS4C13N-HXY 编号：C22367281
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流60A，能承载较大功率。电压30V，确保在特定电路稳定工作。内阻典型值6mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的中大型电子设备中。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：DMTH3004LK3-HXY 编号：C22367130
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流达120A，具备强大的电流承载能力。电压为30V，可在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值3mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流控制。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：NTD4904N-HXY 编号：C22367133
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流达120A，具备强大的电流承载能力。电压为30V，能在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值仅3mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流调控。

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      ￥0.8724 ￥1.1632

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：BUK9214-30A-HXY 编号：C22367533
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流高达60A，可满足高功率需求。电压为30V，能在多种常见电路环境下稳定运行。内阻典型值7mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流控制。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：NTTFS4939N-HXY 编号：C22367295
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流100A，可满足较大功率需求。电压30V，能在特定电路稳定工作。内阻典型值4mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备中。

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