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NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY
型号：NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY 编号：C51949324
封装：DFN-8L(5x6)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.7mΩ，具备优异的导通性能，有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。低电阻特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高密度电源转换模块、高效直流电机驱动及大功率开关电源电路。器件适合用于对电流承载能力和热稳定性要求较高的应用场景，可为高性能电子系统中的功率开关环节提供可靠的技术支持。

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    NTMFS4D2N10MDT1G-HXY
    型号：NTMFS4D2N10MDT1G-HXY 编号：C51949336
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，适用于高电流开关场景。其导通电阻低至3.6mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。采用先进工艺技术，具备优良的热稳定性和开关特性，适合用于高性能电源转换、大功率DC-DC变换器及电池管理系统中的功率控制。器件结构优化，支持高密度布局，有助于提升整体电路的功率密度与运行可靠性。

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    SIR170DP-T1-RE3-HXY
    型号：SIR170DP-T1-RE3-HXY 编号：C51949338
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为3.6mΩ。低RDON显著降低了导通损耗，有助于提高电源转换效率并减少散热需求。器件适用于高电流开关应用，如大功率电源模块、高效直流-直流变换电路、电池管理系统中的功率控制，以及对能效和热性能要求较高的设备。其电气特性支持稳定可靠的功率传输与管理。

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    1个N沟道 耐压:60V
    型号：IRFS3006PBF-VB 编号：C7569026
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    PNP 电流:16A 电压:250V
    型号：MJ15025-JSM 编号：C7436407
    封装：TO-3
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。

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    RS1L180GNTB-HXY
    型号：RS1L180GNTB-HXY 编号：C53262861
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3.7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体效率，适用于高电流开关应用，如直流-直流转换器、电机控制电路及大功率电源模块等。器件在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能，适合对功率密度和可靠性有较高要求的电子设备。

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:30A
    型号：RS30N50W 编号：C5371963
    封装：TO-247
    品牌：REASUNOS(瑞森半导体)
    高压MOS，大功率PC电源，逆变器，户外屏电源，PFC控制
    数据手册

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    FDP047N10-HXY
    型号：FDP047N10-HXY 编号：C53262918
    封装：TO-220C
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其超低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统整体效率，适用于高电流密度和高效率要求的电源转换、电机驱动及大功率开关电路等应用场合。器件在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:62A
    型号：TPN6R303NC-HXY 编号：C22366980
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流为62A，可适应较大功率需求。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值5mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制和功率调节。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NTD4813NH-HXY 编号：C22367128
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流60A，可满足高功率应用需求。电压30V，能在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值7mR，减少了能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于大功率电子设备的电流控制。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
    型号：NTTFS4821N-HXY 编号：C22367306
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流高达100A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值4mR，有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流控制。

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
    型号：TPCC8093-HXY 编号：C22366924
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流60A，可在较大功率需求下稳定工作。电压20V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值4mR，能有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备中。

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：STD35NF06-HXY 编号：C22366967
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流为50A，可满足较大功率的输出需求。电压达60V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值15mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电路控制。

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
    型号：DMN2005UFG-HXY 编号：C22366925
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流高达60A，可满足较大功率输出需求。电压为20V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值仅4mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：NTD4302-HXY 编号：C22367116
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流为50A，可满足较高功率需求。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值7.5mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流控制。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
    型号：IRF7455TRPBF-HXY 编号：C20606228
    封装：SOP-8
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装，专为处理高电流应用而设计。额定电压30V，可承载高达80A连续电流，特别适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具有出色的导通性能和散热效率，是现代电子系统中不可或缺的高性能半导体元件。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：DMN3016LK3-HXY 编号：C22367115
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流达50A，可承载较大功率。电压为30V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值7.5mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定中等功率电子设备的电流调控。

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    SIRA18DDP-T1-UE3-HXY
    型号：SIRA18DDP-T1-UE3-HXY 编号：C53263165
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）、60A的连续漏极电流（ID），以及仅5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适合在大电流工作条件下维持较高的能效。常用于高效率开关电源、大功率便携设备、电动工具驱动电路及需要频繁开关操作的电子系统中，能够支持高密度布局并提升整体热稳定性。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NVTFS4C13N-HXY 编号：C22367281
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流60A，能承载较大功率。电压30V，确保在特定电路稳定工作。内阻典型值6mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的中大型电子设备中。

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    AOD518
    型号：AOD518 编号：C53263342
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为3.8毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低了导通状态下的功率损耗，适合用于高电流、高效率要求的电源管理场景。典型应用包括服务器电源、高性能计算设备中的多相VRM模块、电池管理系统以及大功率负载开关等场合。器件在高频开关条件下仍能保持良好的热性能和稳定性，有助于提升整体系统能效与可靠性。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：DMTH3004LK3-HXY 编号：C22367130
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流达120A，具备强大的电流承载能力。电压为30V，可在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值3mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流控制。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NTMFS4939N-HXY 编号：C22367001
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流为80A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值4.3mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制与稳定运行。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：BUK9214-30A-HXY 编号：C22367533
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流高达60A，可满足高功率需求。电压为30V，能在多种常见电路环境下稳定运行。内阻典型值7mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流控制。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：NTTFS4939N-HXY 编号：C22367295
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流100A，可满足较大功率需求。电压30V，能在特定电路稳定工作。内阻典型值4mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备中。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:160A
    型号：DMN3009SK3-HXY 编号：C22367137
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流为150A，可承载较大功率。电压30V，能在多种常见电路环境下稳定工作。内阻典型值2mR，能量损耗低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流调控。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：NTTFS4929N-HXY 编号：C22367230
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此场效应管为N型，电流为50A，可应对较大功率场景。电压30V，能在特定电路环境下稳定工作。内阻典型值7.5mR，能量损耗相对适中。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备中。

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    DMT35M1LFVW-7-HXY
    型号：DMT35M1LFVW-7-HXY 编号：C53263183
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），以及低至3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。该器件适用于高电流、高效率要求的电源管理场合，如多相降压转换器、大功率负载开关及便携式设备中的电源路径控制等应用，在高频开关条件下仍能保持良好的电气性能与稳定性。

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    FDMS0349-HXY
    型号：FDMS0349-HXY 编号：C53263137
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道MOSFET具备50A的连续漏极电流能力，最大漏源电压（VDSS）为30V，在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）低至6.5mΩ。其极低的导通电阻显著降低导通损耗，适合高电流、高效率要求的开关应用。典型用途包括大功率电源转换、电池管理系统以及高密度电力电子模块，能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NVTFS4C25N-HXY 编号：C22367282
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管为N型，电流高达60A，可满足较大功率需求。电压为30V，能在特定电路环境下稳定运行。内阻典型值6mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，适用于对电流和电压有特定要求的中型电子设备。

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    N沟道 耐压:30V 电流:70A
    型号：IRFH7914TRPBF-HXY 编号：C20606224
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为30V电压下高电流应用设计。提供高达70A连续电流承载能力，适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备出色的导通性能与高效散热技术，是现代紧凑型系统中理想的高性能半导体组件。

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