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SI7114DN-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高功率密度和高效能应用设计。器件具备30V的漏源电压(VDSS)，在低至6mR的导通电阻(RD(on))条件下，可承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景，凭借其卓越的电流处理能力和能效表现，成为您优化系统性能和节能的重要半导体元件。

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￥3.96 ￥5.28
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￥3.18 ￥4.24
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型号：SI7114DN-T1-E3-MS 编号：C51908853

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款SI7114DN-T1-E3-MS场效应管采用1个N沟道设计，采用 DFN3X3-8L紧凑型封装，精准适配高功率密度与高效能应用设计需求；30V漏源电压VDSS为基础，搭配低至6mΩ的导通电阻RDS与高达60A的漏极电流ID承载能力，实现 “低损耗 + 高电流” 的性能协同，有效降低功耗的同时保障强功率输出。器件广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景，凭借卓越的电流处理能力与能效表现，成为优化系统性能、提升节能效果的重要半导体元件。

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￥4.47
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型号：NSH079N15D 编号：C46352553

封装：TO-263

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

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￥6.47
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型号：BSC0702LS-MS 编号：C51908845

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC0702LS-MS高性能N沟道消费级MOSFET，采用DFN5X6-8L紧凑型封装，在节省空间的同时保障散热效率，专为高电压、大电流应用场景设计；60V额定电压搭配 125A 连续电流能力，可稳定承载大功率需求，尤其适配电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合。器件凭借卓越导通性能，成为现代高效电子设备的核心功率组件，为系统高效运行提供可靠支撑。

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￥3.9
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￥2.43
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￥2.1

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型号：TIP42C-HXY 编号：C7469126

封装：TO-220

此款TO-220封装PNP型三极管，具备100V高耐压VCEO及6A大电流集电极能力，放大倍数在15至75范围内，适用于大功率开关电路与中等放大需求，是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。

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￥1.411275 ￥1.5175
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￥1.062339 ￥1.1423
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￥0.945903 ￥1.0171
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￥0.800544 ￥0.8608
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￥0.735816 ￥0.7912
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￥0.696942 ￥0.7494

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型号：DMTH43M8LPSQ-13-HXY 编号：C48972185

封装：DFN5X6-8L

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的漏极电流ID和40V的漏源击穿电压VDSS，导通电阻RDON仅为2.8mΩ，表现出优异的导电性能与较低的功率损耗。该器件适用于高效率、大电流的开关应用，如电源转换模块、电池充放电管理、高性能计算设备供电系统以及各类便携式大功率电子装置中的电力控制环节。其低导通电阻特性有助于提升能效并改善热管理表现。

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￥3.3345 ￥3.51
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￥2.641 ￥2.78
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￥2.3465 ￥2.47
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￥1.71 ￥1.8

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型号：NSH110N15C 编号：C46352559

封装：TO-220C

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

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￥3.81
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￥3.37
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￥2.93
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型号：NSH079N15C 编号：C46352558

封装：TO-220C

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

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￥5.26
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￥4.77
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￥4.5
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型号：IRFS4310ZTRLPBF-HXY 编号：C20606279

封装：TO-263

此款N沟道消费级MOSFET采用TO-263封装，专为处理高电流、大功率应用设计。具备100V的额定电压和惊人的260A连续工作电流能力，尤其适用于电机驱动、电源转换器及高功率开关电路，提供卓越的导通性能与散热效能，是大型工业级电子设备及高端消费电子产品不可或缺的核心组件。

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￥7.4715 ￥8.79
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￥6.205 ￥7.3
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￥5.508 ￥6.48
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￥4.0545 ￥4.77

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型号：MMBT4403 编号：C7529047

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

特性：最大功率耗散：300mW。高稳定性和可靠性

50+
￥0.09291 ￥0.0978
500+
￥0.07239 ￥0.0762
3000+
￥0.06099 ￥0.0642
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型号：MMBTA42 1D 编号：C5365526

封装：SOT-23

特性：与MMBTA92配对。最大功率耗散350mW。高稳定性和可靠性

数据手册

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￥0.13566 ￥0.1428
200+
￥0.10526 ￥0.1108
600+
￥0.08835 ￥0.093
3000+
￥0.07942 ￥0.0836
9000+
￥0.070585 ￥0.0743
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￥0.06593 ￥0.0694

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型号：AON7534-HXY 编号：C6285770

封装：DFN3x3-8L

本款消费级N沟道MOSFET采用极紧凑DFN3X3-8L封装，具备强大功率处理能力。额定电压30V，连续电流高达100A，专为高效能、小体积电源转换、负载开关以及电池管理系统设计，实现卓越的电流承载与空间利用率。

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￥0.96714 ￥1.0746
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￥0.75942 ￥0.8438
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￥0.67041 ￥0.7449
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￥0.55926 ￥0.6214
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￥0.46863 ￥0.5207
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￥0.43893 ￥0.4877

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型号：TIP41C-HXY 编号：C7469127

封装：TO-220

此款TO-220封装的NPN型三极管，具备100V的高VCEO耐压值和6A的强大集电极电流能力，其放大倍数在15至75之间可调，适用于各类大功率、高电流开关及放大电路设计，是电子工程师的理想选择。

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￥1.4991
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￥1.1155
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￥0.9931
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￥0.8404
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￥0.7724
5000+
￥0.7315

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型号：NVTFWS008N04C-HXY 编号：C22366985

封装：DFN3x3-8L

这款场效应管为N型，电流60A，可满足较大功率需求。电压40V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值6.9mR，有助于降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制与稳定运行。

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￥2.58 ￥3.44
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￥2.025 ￥2.7
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￥1.785 ￥2.38
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￥1.4925 ￥1.99
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￥1.3575 ￥1.81
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￥1.2825 ￥1.71

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型号：MMBT5401 编号：C7529048

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

特性：与MMBT5551配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和高可靠性

50+
￥0.08132 ￥0.0856
500+
￥0.063365 ￥0.0667
3000+
￥0.05339 ￥0.0562
6000+
￥0.047405 ￥0.0499
24000+
￥0.04218 ￥0.0444
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￥0.039425 ￥0.0415

有货

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型号：MMBTA42 编号：C5279928

封装：SOT-23

特性：与MMBTA92配对。最大功率耗散350mW。高稳定性和可靠性

数据手册

20+
￥0.134615 ￥0.1417
200+
￥0.1045 ￥0.11
600+
￥0.08778 ￥0.0924
3000+
￥0.07866 ￥0.0828
9000+
￥0.070015 ￥0.0737
21000+
￥0.065265 ￥0.0687

有货

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型号：MMBTA92 编号：C5279926

封装：SOT-23

特性：SOT-23封装。与MMBTA42配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和可靠性

数据手册

20+
￥0.136515 ￥0.1437
200+
￥0.1064 ￥0.112
600+
￥0.089585 ￥0.0943
3000+
￥0.079515 ￥0.0837
9000+
￥0.07087 ￥0.0746
21000+
￥0.06612 ￥0.0696

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型号：8205A-TD 编号：C42421789

封装：SOT-23-6

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

特性：Die in 8” Wafer Form。 20V, 6A*, N-channel。 Sampling Tested at Probe。专有的先进平面技术。高密度超低电阻设计。大功率、大电流应用。应用：便携式设备。电池供电系统

20+
￥0.1576
200+
￥0.1227
600+
￥0.1032

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型号：MMBTA55 编号：C33546023

封装：SOT-23

特性：最大功率耗散：225mW。高稳定性和可靠性

20+
￥0.1824 ￥0.192
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￥0.142595 ￥0.1501
600+
￥0.12046 ￥0.1268
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￥0.104975 ￥0.1105
9000+
￥0.09348 ￥0.0984
21000+
￥0.087305 ￥0.0919

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型号：HXY60N02D 编号：C3033437

封装：TO-252-2L

该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有20V额定电压及高达60A连续电流承载能力，专为高电流应用设计，如电源转换、大功率电机驱动等场合，提供高效能、低阻抗的开关控制解决方案。

数据手册

5+
￥0.6403
50+
￥0.5111
150+
￥0.4465
500+
￥0.398
2500+
￥0.3304
5000+
￥0.311

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型号：HCSD19531Q5A 编号：C42401349

封装：DFN-8L(5x6)

这款N沟道场效应管(MOSFET)具有出色的电气特性，适用于多种电子电路设计。其最大漏极电流ID为75A，能够处理较大功率负载；耐压VDSS达到100V，确保了在较高电压环境下的稳定工作；导通电阻RDON仅为7.3毫欧姆，有效降低了功耗并提高了效率；栅源电压VGS支持高达20V，提供了灵活的驱动电压范围。凭借这些优异参数，该MOSFET非常适合于需要高性能开关或放大功能的应用场景中使用。

1+
￥3.8967 ￥4.19
10+
￥3.8037 ￥4.09
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￥3.7386 ￥4.02
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￥3.6828 ￥3.96

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型号：NSH110N15D 编号：C46352555

封装：TO-263

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

1+
￥5.46
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￥4.37
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￥3.82
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￥3.28
500+
￥2.96

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型号：WGTTC5200 编号：C22376113

封装：TO-3PL

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款是一款适用于功放类的大功率三极管

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￥7.3185 ￥8.61
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￥6.0945 ￥7.17
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￥5.423 ￥6.38
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￥4.6665 ￥5.49
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￥4.3265 ￥5.09
1125+
￥4.1735 ￥4.91

有货

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型号：MJ15022G-JSM 编号：C20606852

封装：TO-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。

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￥9.333 ￥10.37
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￥7.974 ￥8.86
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￥6.615 ￥7.35
100+
￥5.742 ￥6.38
500+
￥5.355 ￥5.95
1000+
￥5.184 ￥5.76

有货

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型号：NVMFS5A140PLZT1G-HXY 编号：C52174746

封装：DFN-8L(5x6)