大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJD44H11T4G 编号：C41421810

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于大功率开关电路与中等放大需求，是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。

5+
￥1.5691
50+
￥1.2163
150+
￥1.0651

有货

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型号：BSC0702LS-MS 编号：C51908845

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款BSC0702LS-MS高性能N沟道消费级MOSFET，采用DFN5X6-8L紧凑型封装，在节省空间的同时保障散热效率，专为高电压、大电流应用场景设计；60V额定电压搭配 125A 连续电流能力，可稳定承载大功率需求，尤其适配电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合。器件凭借卓越导通性能，成为现代高效电子设备的核心功率组件，为系统高效运行提供可靠支撑。

1+
￥3.9
10+
￥3.16
30+
￥2.79
100+
￥2.43
500+
￥2.21

有货

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型号：IRFS4310ZTRLPBF-HXY 编号：C20606279

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款N沟道消费级MOSFET采用TO-263封装，专为处理高电流、大功率应用设计。具备100V的额定电压和惊人的260A连续工作电流能力，尤其适用于电机驱动、电源转换器及高功率开关电路，提供卓越的导通性能与散热效能，是大型工业级电子设备及高端消费电子产品不可或缺的核心组件。

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￥7.4545 ￥8.77
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￥6.188 ￥7.28
30+
￥5.491 ￥6.46
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￥4.709 ￥5.54
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￥4.199 ￥4.94
800+
￥4.0375 ￥4.75

有货

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型号：9926A 编号：C49012225

封装：TSSOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

特性：芯片采用8英寸晶圆形式。 20V，6A，N沟道。探针抽样测试。专有的先进平面技术。高密度超低电阻设计。大功率、大电流应用。应用：便携式设备。电池供电系统

10+
￥0.2881
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￥0.2257
300+
￥0.1945
3000+
￥0.1711
6000+
￥0.1524

有货

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型号：NSH079N15C 编号：C46352558

封装：TO-220C

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

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￥7.03
10+
￥5.85
50+
￥5.2
100+
￥4.47
500+
￥4.15

有货

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型号：MJ15022G-JSM 编号：C20606852

封装：TO-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。

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￥7.983 ￥8.87
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￥6.687 ￥7.43
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￥5.364 ￥5.96
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￥4.554 ￥5.06
500+
￥4.194 ￥4.66
1000+
￥4.032 ￥4.48

有货

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型号：MJ15024G-JSM 编号：C19673771

封装：TO-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。

1+
￥9.9655 ￥10.49
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￥8.5405 ￥8.99
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￥6.84 ￥7.2
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￥5.9185 ￥6.23
500+
￥5.5005 ￥5.79
1000+
￥5.32 ￥5.6

有货

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型号：MJ15025G-JSM 编号：C19673772

封装：TO-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。

1+
￥10.1175 ￥10.65
10+
￥8.683 ￥9.14
50+
￥6.9825 ￥7.35
100+
￥6.061 ￥6.38
500+
￥5.6525 ￥5.95
1000+
￥5.472 ￥5.76

有货

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型号：AON7534-HXY 编号：C6285770

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级N沟道MOSFET采用极紧凑DFN3X3-8L封装，具备强大功率处理能力。额定电压30V，连续电流高达100A，专为高效能、小体积电源转换、负载开关以及电池管理系统设计，实现卓越的电流承载与空间利用率。

5+
￥0.96714 ￥1.0746
50+
￥0.75942 ￥0.8438
150+
￥0.67041 ￥0.7449
500+
￥0.55926 ￥0.6214
2500+
￥0.46863 ￥0.5207
5000+
￥0.43893 ￥0.4877

有货

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型号：TIP42C-HXY 编号：C7469126

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款TO-220封装PNP型三极管，具备100V高耐压VCEO及6A大电流集电极能力，放大倍数在15至75范围内，适用于大功率开关电路与中等放大需求，是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。

5+
￥1.339014 ￥1.4398
50+
￥0.991008 ￥1.0656
150+
￥0.874851 ￥0.9407
500+
￥0.729864 ￥0.7848
2500+
￥0.665322 ￥0.7154
5000+
￥0.626634 ￥0.6738

有货

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型号：DMTH43M8LPSQ-13-HXY 编号：C48972185

封装：DFN5X6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的漏极电流ID和40V的漏源击穿电压VDSS，导通电阻RDON仅为2.8mΩ，表现出优异的导电性能与较低的功率损耗。该器件适用于高效率、大电流的开关应用，如电源转换模块、电池充放电管理、高性能计算设备供电系统以及各类便携式大功率电子装置中的电力控制环节。其低导通电阻特性有助于提升能效并改善热管理表现。

1+
￥3.3345 ￥3.51
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￥2.641 ￥2.78
30+
￥2.3465 ￥2.47
100+
￥1.976 ￥2.08
500+
￥1.8145 ￥1.91
1000+
￥1.71 ￥1.8

有货

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型号：MJ15025-JSM 编号：C7436407

封装：TO-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为大功率音频、磁盘头定位器及其他线性应用而设计。

1+
￥10.1555 ￥10.69
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￥8.531 ￥8.98
50+
￥6.8685 ￥7.23
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￥5.8615 ￥6.17
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￥5.415 ￥5.7
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￥5.2155 ￥5.49

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型号：MMBT5401 编号：C7529048

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

特性：与MMBT5551配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和高可靠性

50+
￥0.08132 ￥0.0856
500+
￥0.063365 ￥0.0667
3000+
￥0.05339 ￥0.0562
6000+
￥0.047405 ￥0.0499
24000+
￥0.04218 ￥0.0444
51000+
￥0.039425 ￥0.0415

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型号：MMBTA42 编号：C5279928

封装：SOT-23

品牌：JUXING(钜兴)

特性：与MMBTA92配对。最大功率耗散350mW。高稳定性和可靠性

数据手册

20+
￥0.128725 ￥0.1355
200+
￥0.09994 ￥0.1052
600+
￥0.083885 ￥0.0883
3000+
￥0.075905 ￥0.0799
9000+
￥0.06764 ￥0.0712
21000+
￥0.063175 ￥0.0665

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型号：MMBTA92 编号：C5279926

封装：SOT-23

品牌：JUXING(钜兴)

特性：SOT-23封装。与MMBTA42配对。最大功率耗散300mW。高稳定性和可靠性

数据手册

20+
￥0.13015 ￥0.137
200+
￥0.101365 ￥0.1067
600+
￥0.085405 ￥0.0899
3000+
￥0.07581 ￥0.0798
9000+
￥0.067545 ￥0.0711
21000+
￥0.06308 ￥0.0664

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型号：TIP41C-HXY 编号：C7469127

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款TO-220封装的NPN型三极管，具备100V的高VCEO耐压值和6A的强大集电极电流能力，其放大倍数在15至75之间可调，适用于各类大功率、高电流开关及放大电路设计，是电子工程师的理想选择。

5+
￥1.3261
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￥0.9698
150+
￥0.8561
500+
￥0.7142
2500+
￥0.6511
5000+
￥0.6132

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型号：NVTFWS008N04C-HXY 编号：C22366985

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N型，电流60A，可满足较大功率需求。电压40V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值6.9mR，有助于降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制与稳定运行。

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￥1.3575 ￥1.81
10+
￥1.3275 ￥1.77
30+
￥1.305 ￥1.74
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￥1.2825 ￥1.71

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型号：SI7114DN-T1-E3-HXY 编号：C22366743

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI7114DN-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高功率密度和高效能应用设计。器件具备30V的漏源电压(VDSS)，在低至6mR的导通电阻(RD(on))条件下，可承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景，凭借其卓越的电流处理能力和能效表现，成为您优化系统性能和节能的重要半导体元件。

1+
￥2.2125 ￥2.95
10+
￥2.16 ￥2.88
30+
￥2.13 ￥2.84
100+
￥2.0925 ￥2.79

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型号：NSH110N15D 编号：C46352555

封装：TO-263

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

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￥5.46
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￥4.37
30+
￥3.82
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￥3.28
500+
￥2.96

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型号：NSH079N15P5 编号：C46352554

封装：PDFN5x6-8

品牌：NH(纽航)

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

1+
￥6.77
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￥5.62
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￥4.99
100+
￥4.28

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型号：MMBTA55 编号：C33546023

封装：SOT-23

品牌：JUXING(钜兴)

特性：最大功率耗散：225mW。高稳定性和可靠性

20+
￥0.089965 ￥0.0947
200+
￥0.087875 ￥0.0925
600+
￥0.086545 ￥0.0911
3000+
￥0.083125 ￥0.0875

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型号：MMBT4403 编号：C7529047

封装：SOT-23

品牌：AM(安美)

特性：最大功率耗散：300mW。高稳定性和可靠性

50+
￥0.09291 ￥0.0978
500+
￥0.07239 ￥0.0762
3000+
￥0.06099 ￥0.0642
6000+
￥0.05415 ￥0.057
24000+
￥0.048165 ￥0.0507
51000+
￥0.04503 ￥0.0474

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型号：8205A-TD 编号：C42421789

封装：SOT-23-6

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

特性：Die in 8” Wafer Form。 20V, 6A*, N-channel。 Sampling Tested at Probe。专有的先进平面技术。高密度超低电阻设计。大功率、大电流应用。应用：便携式设备。电池供电系统

10+
￥0.2725
100+
￥0.2171
300+
￥0.1894
3000+
￥0.1686

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型号：DMP3010LK3-HXY 编号：C22366831

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为P型，电流高达80A，可满足较大功率需求。电压为30V，适应常见电路环境。内阻典型值6.5mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。

5+
￥0.91443 ￥1.0758
50+
￥0.89301 ￥1.0506
150+
￥0.878815 ￥1.0339
500+
￥0.864535 ￥1.0171

有货

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型号：NVMFD5875NL-HXY 编号：C22366991

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管为N+N型，电流为50A，可承载较大功率。电压60V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值11mR，能有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。

1+
￥2.3144 ￥2.63
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￥1.8128 ￥2.06
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￥1.6016 ￥1.82
100+
￥1.3376 ￥1.52
500+
￥1.2144 ￥1.38
1000+
￥1.144 ￥1.3

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型号：NVMFD5875NL-MS 编号：C51927963

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款NVMFD5875NL-MS是一款场效应管为N+N型，电流为50A，可承载较大功率。电压60V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值11mR，能有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。(NVMFD5875NLT1G)

1+
￥2.67
10+
￥2.12
30+
￥1.88
100+
￥1.58

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型号：IRFR7546TRPBF-HXY 编号：C20606269

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，具备高达80A的连续电流承载能力，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率开关电路，提供低导通电阻与高效能表现，是现代电子设备实现卓越功率控制的理想之选。

1+
￥2.8967 ￥3.49
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￥2.324 ￥2.8
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￥2.0418 ￥2.46
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￥1.7596 ￥2.12
500+
￥1.5189 ￥1.83
1000+
￥1.4276 ￥1.72

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型号：NVTFS5C658NLWFTAG-HXY 编号：C51949318

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道场效应管，具有60V漏源耐压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4mΩ。低RDON参数有助于减小导通损耗，提高电源转换效率，适用于高负载功率开关场景。器件具备良好的热稳定性和电流承载能力，适合用于高效DC-DC变换器、大功率电源模块、电池供电设备的功率控制电路，以及对能效和空间布局有较高要求的电子系统中，作为关键开关元件实现快速响应与稳定工作。