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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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便携式设备,使用高电池密度,先进的沟槽技术,适合于低压应用以及低在线功率损耗
  • 5+

    ¥1.003 ¥1.18
  • 50+

    ¥0.88162 ¥1.0372
  • 150+

    ¥0.8296 ¥0.976
  • 500+

    ¥0.764745 ¥0.8997
  • 2500+

    ¥0.6936 ¥0.816
  • 5000+

    ¥0.67626 ¥0.7956
  • 有货
  • 特性:N沟道:VDD = 30V,ID = 5.8A,RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V(典型值 = 24mΩ),RDS(ON) < 58mΩ @ VGS = 2.5V(典型值 = 35mΩ)。 P沟道:VDD = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 68mΩ @ VGS = -4.5V(典型值 = 53mΩ),RDS(ON) < 96mΩ @ VGS = -2.5V(典型值 = 75mΩ)。 无铅产品。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用:接口开关。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4577
    • 50+

      ¥0.4174
    • 150+

      ¥0.3972
    • 500+

      ¥0.3821
    • 3000+

      ¥0.2518
    • 6000+

      ¥0.2457
  • 有货
  • 应用:负载/电源开关。接口开关。超小型便携式设备电池管理。逻辑电平转换
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4631
    • 100+

      ¥0.3733
    • 300+

      ¥0.3284
    • 3000+

      ¥0.2836
    • 6000+

      ¥0.2566
    • 9000+

      ¥0.2432
  • 有货
  • 特性:-20V, -3.3A, RDS(ON) = 30mΩ@VGS = -4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用:笔记本电脑。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4683
    • 50+

      ¥0.3723
    • 150+

      ¥0.3243
    • 500+

      ¥0.2883
    • 3000+

      ¥0.2485
    • 6000+

      ¥0.2341
  • 有货
  • 采用超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/PNP通用晶体管对。NPN/NPN互补型:BC846BS
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4722
    • 100+

      ¥0.3953
    • 300+

      ¥0.3568
    • 3000+

      ¥0.328
    • 6000+

      ¥0.3049
    • 9000+

      ¥0.2933
  • 有货
  • 特性:功率耗散
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4844
    • 100+

      ¥0.4034
    • 300+

      ¥0.3629
    • 1000+

      ¥0.2987
    • 5000+

      ¥0.2744
    • 10000+

      ¥0.2623
  • 有货
  • P管/-30V/-30A/15mΩ(典型12mΩ)
    • 5+

      ¥0.541
    • 50+

      ¥0.4364
    • 150+

      ¥0.3841
    • 500+

      ¥0.3448
    • 2500+

      ¥0.3134
    • 5000+

      ¥0.2977
  • 有货
  • 应用:DC-DC转换器。负载开关。电源管理
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5574
    • 50+

      ¥0.4914
    • 150+

      ¥0.4583
    • 500+

      ¥0.4336
    • 3000+

      ¥0.3598
    • 6000+

      ¥0.3499
  • 有货
  • 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.55845 ¥0.6205
    • 50+

      ¥0.44181 ¥0.4909
    • 150+

      ¥0.38349 ¥0.4261
    • 500+

      ¥0.33975 ¥0.3775
    • 3000+

      ¥0.30924 ¥0.3436
    • 6000+

      ¥0.29169 ¥0.3241
  • 有货
  • 电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.56168 ¥0.7021
    • 50+

      ¥0.43664 ¥0.5458
    • 150+

      ¥0.37416 ¥0.4677
    • 500+

      ¥0.3272 ¥0.409
    • 3000+

      ¥0.27208 ¥0.3401
    • 6000+

      ¥0.25336 ¥0.3167
  • 有货
  • 特性:VDS = 20V, b = 0.8A。RDS(ON) < 250mΩ @ VGS = 4.5V。RDS(ON) < 300mΩ @ VGS = 2.5V。ESD保护。应用:负载/电源开关。接口开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6385
    • 50+

      ¥0.5185
    • 150+

      ¥0.4585
    • 500+

      ¥0.4135
    • 3000+

      ¥0.3381
    • 6000+

      ¥0.32
  • 有货
  • 特性:结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = 100V。 ID = 4.2A。 RDS(ON) < 79mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 94mΩ (VGS = 4.5V)。应用:升压转换器。 同步整流器,用于消费、电信、工业电源和LED背光
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7439
    • 50+

      ¥0.6493
    • 150+

      ¥0.6088
    • 500+

      ¥0.5582
    • 3000+

      ¥0.5179
    • 6000+

      ¥0.5044
  • 有货
  • 应用:DC-DC转换器。负载开关。电源管理
    数据手册
    • 5+

      ¥0.761
    • 50+

      ¥0.6026
    • 150+

      ¥0.5234
    • 500+

      ¥0.464
    • 3000+

      ¥0.3769
    • 6000+

      ¥0.3531
  • 有货
  • P沟道,-8V,-5.8A,35mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7724
    • 50+

      ¥0.6211
    • 150+

      ¥0.5455
    • 500+

      ¥0.4888
    • 3000+

      ¥0.4292
    • 6000+

      ¥0.4065
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7742
    • 50+

      ¥0.6137
    • 150+

      ¥0.5335
    • 500+

      ¥0.4733
    • 3000+

      ¥0.3784
    • 6000+

      ¥0.3543
  • 有货
  • WST2339 是一款具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。WST2339 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,并通过了全面的功能可靠性认证。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.78
    • 50+

      ¥0.65
    • 150+

      ¥0.6
    • 500+

      ¥0.52
    • 3000+

      ¥0.51
    • 6000+

      ¥0.5
  • 有货
  • 这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7952
    • 50+

      ¥0.6509
    • 150+

      ¥0.5787
    • 500+

      ¥0.5246
    • 3000+

      ¥0.4218
    • 6000+

      ¥0.4002
  • 有货
  • N沟道,20V,6.5A,22mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8329
    • 50+

      ¥0.6841
    • 150+

      ¥0.6097
    • 500+

      ¥0.554
    • 3000+

      ¥0.4588
    • 6000+

      ¥0.4365
  • 有货
  • N沟道,55V,2.1A,160mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8393
    • 50+

      ¥0.6786
    • 150+

      ¥0.5982
    • 500+

      ¥0.5379
    • 3000+

      ¥0.4396
    • 6000+

      ¥0.4155
  • 有货
  • AP68N06系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,可广泛应用于各种电源领域。DFN5*G封装在所有采用红外回流焊技术的商业工业表面贴装应用中广受欢迎,并且由于其连接电阻低,适用于大电流应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8495
    • 50+

      ¥0.7487
    • 150+

      ¥0.7055
    • 500+

      ¥0.6516
    • 2500+

      ¥0.4825
    • 5000+

      ¥0.4681
  • 有货
  • 特性:适用于功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8666
    • 50+

      ¥0.71
    • 150+

      ¥0.6318
    • 500+

      ¥0.5731
    • 2500+

      ¥0.5
    • 5000+

      ¥0.4765
  • 有货
  • NPN/NPN通用双晶体管,采用SOT457 (SC-74)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8711
    • 50+

      ¥0.7016
    • 150+

      ¥0.6168
    • 500+

      ¥0.5532
    • 3000+

      ¥0.5024
    • 6000+

      ¥0.4769
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -60A。 RDS(ON) < 11mΩ @ VGS = 10V。应用:Load/Power Switching。 Interfacing
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8897
    • 50+

      ¥0.708
    • 150+

      ¥0.6171
    • 500+

      ¥0.5489
    • 3000+

      ¥0.4944
    • 6000+

      ¥0.4671
  • 有货
  • P沟道,-30V,-6.5A,46mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.935
    • 50+

      ¥0.77
    • 150+

      ¥0.6875
    • 500+

      ¥0.6256
    • 3000+

      ¥0.5159
    • 6000+

      ¥0.4912
  • 有货
  • 特性:无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。应用:便携式设备的负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9484
    • 50+

      ¥0.7676
    • 150+

      ¥0.6771
    • 500+

      ¥0.6093
    • 3000+

      ¥0.5061
    • 6000+

      ¥0.4789
  • 有货
  • 本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装,具有40V工作电压及高效能的25A电流承载力。专为低压、高效率开关应用设计,应用于各类消费电子产品中,以实现卓越的电源转换效能与系统稳定性,是优化电路的理想选择。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.971375 ¥1.0225
    • 50+

      ¥0.78603 ¥0.8274
    • 150+

      ¥0.706705 ¥0.7439
    • 500+

      ¥0.60762 ¥0.6396
    • 2500+

      ¥0.52668 ¥0.5544
    • 5000+

      ¥0.50027 ¥0.5266
  • 有货
  • 本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装,具有出色的功率密度。额定电压60V,连续电流高达40A,适用于小型化、高性能电源转换、负载开关及电池管理系统设计,实现空间节省与高效能的完美结合。
    • 5+

      ¥0.973258 ¥1.1726
    • 50+

      ¥0.88229 ¥1.063
    • 150+

      ¥0.84328 ¥1.016
    • 500+

      ¥0.794642 ¥0.9574
    • 2500+

      ¥0.61171 ¥0.737
    • 5000+

      ¥0.598762 ¥0.7214
  • 有货
  • 2个N沟道,30V,27.0A,11.5mΩ@10V,8.0A,1.5V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥0.988
    • 50+

      ¥0.7384
    • 150+

      ¥0.6136
    • 500+

      ¥0.52
  • 有货
  • P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0068
    • 50+

      ¥0.7869
    • 150+

      ¥0.6927
    • 500+

      ¥0.5752
    • 3000+

      ¥0.5229
    • 6000+

      ¥0.4915
  • 有货
  • 采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用SOT323(SC - 70)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.007
    • 50+

      ¥0.8046
    • 150+

      ¥0.7178
    • 500+

      ¥0.6096
    • 3000+

      ¥0.5614
    • 6000+

      ¥0.5325
  • 有货
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