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描述

价格(含税)

库存

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：S-LMBT3904LT1G 编号：C383299

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

50+
￥0.0808
500+
￥0.0658
3000+
￥0.0525
6000+
￥0.0475
24000+
￥0.0431

有货

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NPN 电流:500mA 电压:30V

型号：KTC9013S-H-RTK/P 编号：C125310

封装：SOT-23

特性：出色的hFE线性度。与KTC9012S互补。应用：通用应用。开关应用

数据手册

5+
￥0.0881
50+
￥0.0703
150+
￥0.0604
500+
￥0.0545
3000+
￥0.0435
6000+
￥0.0407

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT4401 编号：C916376

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为中等电压、中等电流环境下的线性和开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。

数据手册

50+
￥0.089165 ￥0.1049
500+
￥0.070805 ￥0.0833
3000+
￥0.060605 ￥0.0713
6000+
￥0.054485 ￥0.0641
24000+
￥0.04913 ￥0.0578
45000+
￥0.04624 ￥0.0544

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:300mA

型号：BSS138 编号：C347484

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 50V。 ID = 300mA (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 2.5Ω (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 3.5Ω (VGS = 2.5V)。低导通电阻。 ESD等级：1.5KV HBM

数据手册

50+
￥0.0963
500+
￥0.0731
3000+
￥0.058
6000+
￥0.0503
24000+
￥0.0436
51000+
￥0.04

有货

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hFE:160-300 NPN 电流:1.5A 电压:25V

型号：SS8050 编号：C2931495

封装：TO-92

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于开关电源、音频放大器。

数据手册

50+
￥0.0989
500+
￥0.0773
2000+
￥0.0685
5000+
￥0.0613
25000+
￥0.055
50000+
￥0.0516

有货

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PNP 600mA 150V

型号：2N5401 编号：C18195370

封装：SOT-23

品牌：LJ(朗捷)

特性：PNP晶体管，与MMBT5551互补，适用于中功率放大和开关应用

50+
￥0.0993
500+
￥0.0777
3000+
￥0.0657
6000+
￥0.0585
24000+
￥0.0522
51000+
￥0.0488

有货

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2TY(2TY表示丝印) PNP 电流:0.5A 电压:25V

型号：S8550 编号：C2836082

封装：SOT-523

品牌：CBI(创基)

PNP 电流:0.5A 电压:25V

数据手册

20+
￥0.1001
200+
￥0.0785
600+
￥0.0665
3000+
￥0.058
9000+
￥0.0517
21000+
￥0.0484

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:0.22A

型号：BSS138 编号：C5190146

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小型表面贴装封装

数据手册

50+
￥0.103265 ￥0.1087
500+
￥0.08018 ￥0.0844
3000+
￥0.071535 ￥0.0753
6000+
￥0.06384 ￥0.0672
24000+
￥0.05719 ￥0.0602
51000+
￥0.05358 ￥0.0564

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904M 编号：C19630729

封装：SOT-723

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。与MMBT3906M（PNP）互补。功率耗散为200mW。高稳定性和高可靠性。符合RoHS标准。应用：放大信号。电子开关

50+
￥0.1055
500+
￥0.0812
1500+
￥0.0677
8000+
￥0.0596
24000+
￥0.0526
48000+
￥0.0488

有货

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PNP 电流:800mA 电压:25V

型号：S8550-6AF 编号：C48587105

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 500mA,集射极击穿电压 25V,耗散功率(Pd): 300mW

50+
￥0.1069
500+
￥0.0824
3000+
￥0.0689
6000+
￥0.0607
24000+
￥0.0537
51000+
￥0.0498

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5A

型号：DO3400D 编号：C41384542

封装：SOT-23

品牌：DOINGTER(杜因特)

N管/30V/5A/30mΩ/(典型25mΩ)

50+
￥0.1085
500+
￥0.0853
3000+
￥0.0724
6000+
￥0.0647
24000+
￥0.058
51000+
￥0.0543

有货

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耐压:60V 电流:0.3A

型号：2N7002NXAKR 编号：C19268174

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

20+
￥0.12445 ￥0.131
200+
￥0.096235 ￥0.1013
600+
￥0.08056 ￥0.0848
3000+
￥0.071155 ￥0.0749
9000+
￥0.062985 ￥0.0663
21000+
￥0.05852 ￥0.0616

有货

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PNP 电流:1500mA 电压:50V

型号：LH8550QLT1G 编号：C97290

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：小封装大电流容量：Ic = -1.5A。外延平面型。提供无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力

数据手册

50+
￥0.1288
500+
￥0.1023
3000+
￥0.0834
6000+
￥0.0746
24000+
￥0.0669
51000+
￥0.0628

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3A

型号：SI2302S 编号：C431493

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻（RDS(ON)），在VGS = 4.5V-3.3V逻辑电平控制下。 N沟道SOT23封装。无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.1298
200+
￥0.1136
600+
￥0.1046
3000+
￥0.085
9000+
￥0.0803
21000+
￥0.0778

有货

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P沟道耐压:30V 电流:4.2A

型号：AO3401-TD 编号：C42421810

封装：SOT-23

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。

20+
￥0.136
200+
￥0.1071
600+
￥0.091
3000+
￥0.0814
9000+
￥0.073
21000+
￥0.0685

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100mA

型号：2SK3018 编号：C475593

封装：SOT-23

品牌：SHIKUES(时科)

低导通电阻。快速开关速度。硅N沟道MOSFET。驱动电路可以很简单

数据手册

20+
￥0.1368 ￥0.144
200+
￥0.10773 ￥0.1134
600+
￥0.091675 ￥0.0965
3000+
￥0.076475 ￥0.0805
9000+
￥0.06802 ￥0.0716
21000+
￥0.063555 ￥0.0669

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:360mA

型号：BSS138W-7-F-ES 编号：C5224279

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.1385
100+
￥0.1061
300+
￥0.0881
3000+
￥0.0857
6000+
￥0.0763
9000+
￥0.0713

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：2N7002KW 编号：C5224237

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1526
200+
￥0.1162
600+
￥0.0959
3000+
￥0.0838
9000+
￥0.0732
21000+
￥0.0675

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:3.16A

型号：SI2306 编号：C727154

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.16A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：47mΩ@10V,3.5A

数据手册

20+
￥0.153045 ￥0.1611
200+
￥0.13281 ￥0.1398
600+
￥0.121505 ￥0.1279
3000+
￥0.11476 ￥0.1208
9000+
￥0.10887 ￥0.1146
21000+
￥0.105735 ￥0.1113

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906-7-F 编号：C82762

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

数据手册

20+
￥0.1583
200+
￥0.1249
600+
￥0.1064
3000+
￥0.0952
9000+
￥0.0856
21000+
￥0.0804

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC2412KT146R 编号：C111699

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：ROHM(罗姆)

通用小信号放大器（50V，150mA）

数据手册

20+
￥0.1673
200+
￥0.1319
600+
￥0.1121
3000+
￥0.0868
9000+
￥0.0765
21000+
￥0.071

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:115mA

型号：L2N7002DW1T1G 编号：C383161

封装：SC-88

品牌：LRC(乐山无线电)

N沟道,60V,115mA

数据手册

20+
￥0.168
200+
￥0.1293
600+
￥0.1079
3000+
￥0.095
9000+
￥0.0839
21000+
￥0.0779

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：IRLML6344TRPBF-HXY 编号：C6285738

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中，实现精准、稳定的功率控制和转换需求。

20+
￥0.170765 ￥0.2009
200+
￥0.13124 ￥0.1544
600+
￥0.10931 ￥0.1286
3000+
￥0.095115 ￥0.1119
9000+
￥0.08364 ￥0.0984
21000+
￥0.07752 ￥0.0912

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904T-7-F 编号：C239187

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小型表面贴装封装。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.1741
200+
￥0.1388
600+
￥0.1191
3000+
￥0.1043
9000+
￥0.094
21000+
￥0.0885

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AP3400 编号：C353070

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

SOT23 塑封封装 N 道 MOS 场效应管。

数据手册

20+
￥0.1797
200+
￥0.1392
600+
￥0.1167
3000+
￥0.1149
9000+
￥0.1032
21000+
￥0.0969

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT2222AT 编号：C190608

封装：SOT-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与MMBT2907AT互补。小封装

数据手册

20+
￥0.1937
200+
￥0.158
600+
￥0.1382
3000+
￥0.1197
9000+
￥0.1094
21000+
￥0.1038

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.7A

型号：SI2303 编号：C545575

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=-30V ，Ip =-1.7A。 RDS(ON)=100mΩ（VGS =-10V），RDS(ON)<330mΩ（VGS =-4.5V）。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.207
200+
￥0.1646
600+
￥0.141
3000+
￥0.1069
9000+
￥0.0946
21000+
￥0.088

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：AO3401 编号：C2985640

封装：SOT-23

特性：TrenchFET功率MOSFET。出色的导通电阻和最大直流电流能力。高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

10+
￥0.2167
100+
￥0.1681
300+
￥0.1411
3000+
￥0.121
6000+
￥0.107
9000+
￥0.0994

有货

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hFE：Q档 NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC4617TLQ 编号：C308648

封装：SOT-416

品牌：ROHM(罗姆)

通用小信号放大器 (50V, 150mA)

数据手册

20+
￥0.2189
200+
￥0.1733
600+
￥0.1479
3000+
￥0.1327
9000+
￥0.1195
21000+
￥0.1125

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:2.6A

型号：AO3403A 编号：C545577

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS(V) = -30V。 ID = -2.6A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 103mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 139mΩ (VGS = -4.5V)

数据手册

20+
￥0.2193
200+
￥0.1716
600+
￥0.145
3000+
￥0.1212
9000+
￥0.1074
21000+
￥0.1

有货

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