大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMV250EPEAR 编号：C477997

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.26
30+
￥2.01
100+
￥1.71
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

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型号：NCE40P70K 编号：C130101

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，40V，70A.

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.19
30+
￥1.9
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￥1.55
500+
￥1.4
1000+
￥1.3

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型号：IRF7103TRPBF 编号：C27080

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,50V,3A,130mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.37
30+
￥2.12
100+
￥1.8
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

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型号：BSH105,215 编号：C478010

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道、增强型、逻辑电平场效应功率晶体管。该器件的阈值电压极低，开关速度极快，非常适合电池供电应用和高速数字接口。BSH105采用SOT23超小型表面贴装封装

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￥2.9982
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￥2.5447
150+
￥2.3503
500+
￥2.1077
3000+
￥1.9997
6000+
￥1.9349

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型号：IRF4905STRLPBF-JSM 编号：C28642375

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

1+
￥3.2555 ￥3.83
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￥2.669 ￥3.14
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￥2.38 ￥2.8
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￥2.0825 ￥2.45
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￥1.9125 ￥2.25
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￥1.819 ￥2.14

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型号：IRF9540NS 编号：C19272230

封装：TO-263

品牌：minos(迈诺斯)

IRF9540NS采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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￥3.57
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￥2.92
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￥2.28
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型号：FQT1N60CTF-WS 编号：C258152

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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￥3.89
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￥2.74
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￥2.14
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￥2.02

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型号：WSD40120DN56G 编号：C507088

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

使用先进的SOCT MOSFET技术，提供低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。本器件经过专门设计，具有更好的耐用性。

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￥4.25
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￥3.57
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￥3.35
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￥2.72
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￥2.65

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C41811

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V

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￥4.28
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型号：NCEP60T12AK 编号：C216779

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCEP60T12AK采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

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￥4.32
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￥3.42
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￥2.96
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￥2.51
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￥2.24
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￥2.1

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型号：TK5A90E,S4X(S 编号：C5360505

封装：TO-220SIS-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

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￥4.56
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￥3.72
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￥3.3
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￥2.88
500+
￥2.63
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￥2.5

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型号：IRFB5615PBF 编号：C79992

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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￥4.85
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￥4.07
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￥3.36
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￥2.74
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￥2.62

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型号：IRF740PBF 编号：C2570

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,400V,10A,550mΩ@10V

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￥5.02
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￥4.13
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￥2.95
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￥2.69
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￥2.55

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型号：IRF840PBF 编号：C537842

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

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1+
￥5.15
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￥4.26
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￥3.56
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￥2.72

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型号：BSC098N10NS5 编号：C534398

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥5.59
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￥2.84
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￥2.69

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型号：IRF9540NSTRLPBF 编号：C33903

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

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1+
￥5.59
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￥4.65
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￥4.19
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￥3.45
800+
￥3.3

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型号：MLG30T65FDL-F 编号：C47967306

封装：TO-220F

品牌：minos(迈诺斯)

MLG30T65FDL-F IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A

1+
￥6.46
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￥4.79
100+
￥4.12
500+
￥3.82
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￥3.68

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型号：IRFBG30PBF 编号：C2637

封装：TO-220

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,1000V,3.1A,5Ω@10V

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1+
￥7.28
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￥6.16
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￥5.34
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￥4.65
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￥4.34
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￥4.2

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型号：BSC014N06NS 编号：C113391

封装：TDSON-8-FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

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1+
￥7.92
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￥6.55
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￥5.8
100+
￥4.95
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￥4.57
1000+
￥4.4

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型号：PMV45EN2R 编号：C426872

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

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1+
￥8.21
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￥7.14
30+
￥6.61
100+
￥6.08
500+
￥5.76
1000+
￥5.6

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型号：TK100E10N1,S1X(S 编号：C396029

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V，ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

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￥9.31
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￥7.96
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￥6.83
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￥5.99
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￥5.62
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￥5.45

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型号：AGM015N10LL 编号：C5297508

封装：TOLL-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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1+
￥10.62 ￥11.8
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￥9.018 ￥10.02
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￥8.019 ￥8.91
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￥6.561 ￥7.29
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￥6.102 ￥6.78
1000+
￥5.895 ￥6.55

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型号：HYG015N10NS1TA 编号：C2979263

封装：TOLL-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：100V/380A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为 1.2mΩ（VGS = 10V 时）。 100% 雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理

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1+
￥12.68
10+
￥10.88
30+
￥9.75
100+
￥8.11
500+
￥7.59
1000+
￥7.36

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型号：WSD86P10DN56 编号：C5185333

封装：DFN5X6-8L

品牌：WINSOK(微硕)

WSD86P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD86P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。

数据手册

1+
￥13.7
10+
￥11.95
30+
￥10.86
100+
￥7.51
500+
￥7
1000+
￥6.78

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型号：IPT017N12NM6ATMA1 编号：C20191620

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。针对高频开关进行优化。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。根据J-STD-020标准进行MSL 1分类