大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RUM002N02T2L 编号：C250130

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：小封装 (SOT723)。超低电压驱动 (1.2V驱动)。无铅镀铅，符合RoHS标准。无卤。应用：开关

数据手册

20+
￥0.2275
200+
￥0.1816
600+
￥0.1561
2000+
￥0.1408
8000+
￥0.1109
16000+
￥0.1037

有货

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型号：AO3407M-6AF 编号：C48587192

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-30V,-4.1A,53mΩ@-4.5V

10+
￥0.2221
100+
￥0.174
300+
￥0.1499
3000+
￥0.1319
6000+
￥0.1175
9000+
￥0.1102

有货

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型号：TPDMN26D0UFB4 编号：C970037

封装：DFN1006-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：表面贴装封装。 N沟道低导通电阻开关。低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

20+
￥0.2227
200+
￥0.1795
600+
￥0.1555
2000+
￥0.1411
10000+
￥0.1148
20000+
￥0.108

有货

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型号：MDD3407 编号：C427386

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

10+
￥0.223872 ￥0.2332
100+
￥0.18144 ￥0.189
300+
￥0.157824 ￥0.1644
3000+
￥0.138432 ￥0.1442
6000+
￥0.126144 ￥0.1314
9000+
￥0.11952 ￥0.1245

有货

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型号：AO3401 编号：C22459284

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V

20+
￥0.2239
200+
￥0.1759
600+
￥0.1519
3000+
￥0.1277
9000+
￥0.1133
21000+
￥0.106

有货

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型号：2N7000 编号：C9114

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,60V,0.2A,6Ω@4.5V

数据手册

20+
￥0.2344
200+
￥0.1858
1000+
￥0.1544
2000+
￥0.1382
10000+
￥0.1241

有货

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型号：SI2305 编号：C727153

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A

数据手册

10+
￥0.23607 ￥0.2623
100+
￥0.19287 ￥0.2143
300+
￥0.17127 ￥0.1903
3000+
￥0.13644 ￥0.1516
6000+
￥0.12348 ￥0.1372
9000+
￥0.117 ￥0.13

有货

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型号：AO3415B 编号：C47283669

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A

20+
￥0.2396
200+
￥0.1883
600+
￥0.1598
3000+
￥0.1427
9000+
￥0.1279

有货

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型号：NTR4503NT1G(UMW) 编号：C5236683

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：V(BR)DSS = 30V。 ID < 2.5A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 105mΩ (VGS = 4.5V)。应用：DC-DC Conversion。 Load Power Switch for Portables

20+
￥0.2504
200+
￥0.1931
600+
￥0.1613
3000+
￥0.1254
9000+
￥0.1089
21000+
￥0.1

有货

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型号：SI2310M-6AF 编号：C48587193

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,60V,3A,92mΩ@4.5V

10+
￥0.2507
100+
￥0.1997
300+
￥0.1742
3000+
￥0.1551
6000+
￥0.1398
9000+
￥0.1321

有货

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型号：2SK3541T2L 编号：C74740

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

N沟道,30V,0.1A,8Ω@10V

数据手册

10+
￥0.2573
100+
￥0.2072
300+
￥0.1822
1000+
￥0.1634
5000+
￥0.1484
8000+
￥0.1409

有货

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型号：BSS123LT1G 编号：C78755

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23

数据手册

20+
￥0.2612
200+
￥0.2048
600+
￥0.1798
3000+
￥0.1486
9000+
￥0.1411
21000+
￥0.136

有货

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型号：MMBT3906,215 编号：C75549

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP开关晶体管。

数据手册

10+
￥0.2871
100+
￥0.2295
300+
￥0.2007
3000+
￥0.1791
6000+
￥0.1618
9000+
￥0.1532

有货

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型号：SI2343CDS-TP 编号：C41348107

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

10+
￥0.305
100+
￥0.2426
300+
￥0.2114
3000+
￥0.188
6000+
￥0.1693
9000+
￥0.1599

有货

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型号：BC860C,215 编号：C454976

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23塑料封装的PNP晶体管。互补NPN晶体管型号为BC849和BC850。

数据手册

10+
￥0.3057
100+
￥0.2496
300+
￥0.2215
3000+
￥0.1968
6000+
￥0.18
9000+
￥0.1716

有货

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型号：KIRLML5203TRPBF 编号：C2891688

封装：SOT-23

品牌：KUU

特性：TrenchFET功率MOSFET。超低导通电阻。可提供卷带包装。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

10+
￥0.3094
100+
￥0.247
300+
￥0.2158
3000+
￥0.1819
6000+
￥0.1632
9000+
￥0.1538

有货

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型号：FDN337N 编号：C2984752

封装：SOT-23

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

10+
￥0.31014 ￥0.3446
100+
￥0.25398 ￥0.2822
300+
￥0.2259 ￥0.251
3000+
￥0.17145 ￥0.1905
6000+
￥0.15462 ￥0.1718
9000+
￥0.14625 ￥0.1625

有货

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型号：MMBT2222A-7-F 编号：C94515

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 150mA。互补PNP型。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册