大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：3401P-MS 编号：C19272814

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

3401P-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。3401P-MS P沟道增强型功率MOSFET

10+
￥0.37829 ￥0.3982
100+
￥0.29849 ￥0.3142
300+
￥0.25859 ￥0.2722
1000+
￥0.228665 ￥0.2407
5000+
￥0.204725 ￥0.2155
10000+
￥0.192755 ￥0.2029

有货

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型号：IRLML6401TR(UMW) 编号：C347501

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=-12V。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS =-4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) < 125mΩ (VGS =-1.8V)。超低导通电阻P沟道MOSFET。快速开关

数据手册

20+
￥0.2315
200+
￥0.1765
600+
￥0.1459
3000+
￥0.1241
9000+
￥0.1082
21000+
￥0.0996

有货

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型号：SI2305M-6AF 编号：C48587196

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-20V,-5.5A,29mΩ@-4.5V

10+
￥0.2355
100+
￥0.1845
300+
￥0.159
3000+
￥0.1399
6000+
￥0.1246
9000+
￥0.1169

有货

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型号：MMBTA44 编号：C2926184

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

放大倍数100-200 400V电压

数据手册

20+
￥0.2385
200+
￥0.1872
600+
￥0.1587
3000+
￥0.1293
9000+
￥0.1144
21000+
￥0.1065

有货

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型号：AO3415B 编号：C47283669

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A

20+
￥0.2396
200+
￥0.1883
600+
￥0.1598
3000+
￥0.1427
9000+
￥0.1279

有货

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型号：AO3400 编号：C841146

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

3400采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.2802
100+
￥0.2226
300+
￥0.1938
3000+
￥0.1578
6000+
￥0.1405
9000+
￥0.1319

有货

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型号：FMMT720 编号：C5766330

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOT-23封装的PNP三极管，具备40V高击穿电压VCEO和1.5A大电流承载能力，放大倍数高达300至480，尤其适用于需要高增益、大电流处理能力的电子电路中，提供卓越的信号放大功能。

10+
￥0.284952 ￥0.3064
100+
￥0.224688 ￥0.2416
300+
￥0.194556 ￥0.2092
3000+
￥0.160239 ￥0.1723
6000+
￥0.142197 ￥0.1529
9000+
￥0.133083 ￥0.1431

有货

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型号：BLM3401 编号：C90479

封装：SOT-23

品牌：BL(上海贝岭)

PMOS， -30V -4.2A ，RDS(ON)<72mΩ@VGS=-4.5V

数据手册

10+
￥0.3006
100+
￥0.2494
300+
￥0.2238
3000+
￥0.2046
6000+
￥0.1892
9000+
￥0.1815

有货

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型号：FMMT619 编号：C20416646

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：VCE = 50V。 IC = 2A。 fT = 100MHz @ VCE = 10V, IC = 50mA, f = 100MHz。低饱和电压

10+
￥0.3024
100+
￥0.24
300+
￥0.2088
3000+
￥0.1737
6000+
￥0.155
9000+
￥0.1456

有货

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型号：TPNTA4151PT1G 编号：C2858692

封装：SOT-523

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -20V, ID = -0.55A。RDS(ON) < 590mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 900mΩ @ VGS = -2.5V。ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.3223
100+
￥0.2589
300+
￥0.2273
3000+
￥0.1817
6000+
￥0.1627
9000+
￥0.1532

有货

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型号：NX3008NBK,215 编号：C179399

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

10+
￥0.3344
100+
￥0.2624
300+
￥0.2264
3000+
￥0.1994
6000+
￥0.1778
9000+
￥0.167

有货

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型号：SI2333CDS-HXY 编号：C18198389

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，具备高达7A的大电流承载能力。凭借其低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源转换等高效率电子设备中，实现稳定可靠的功率控制。

5+
￥0.343875 ￥0.4585
50+
￥0.2718 ￥0.3624
150+
￥0.2358 ￥0.3144
500+
￥0.2088 ￥0.2784
3000+
￥0.1872 ￥0.2496
6000+
￥0.1764 ￥0.2352

有货

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型号：LN2306LT1G 编号：C78724

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

N沟道

数据手册

20+
￥0.349
200+
￥0.2717
600+
￥0.2287
3000+
￥0.1832
9000+
￥0.1609

有货

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型号：AO3422 编号：C5122003

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：Load/Power Switching。Interfacing Switching。Battery Management for Ultra Small Portable。Logic Level Shift

数据手册

10+
￥0.3685
100+
￥0.2929
300+
￥0.2551
3000+
￥0.2199
6000+
￥0.1972
9000+
￥0.1859

有货

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型号：IRLML6402 编号：C518785

封装：SOT-23

品牌：HUASHUO(华朔)

IRLML6402是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。IRLML6402符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

10+
￥0.3717
100+
￥0.2997
300+
￥0.2637
3000+
￥0.2275
6000+
￥0.2059
9000+
￥0.195

有货

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型号：2SD1898(RANGE:180-390) 编号：C24228

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高击穿电压和电流。出色的直流电流增益线性度。与2SB1260互补。低集电极-发射极饱和电压

数据手册

10+
￥0.3889
100+
￥0.3143
300+
￥0.277
1000+
￥0.249
5000+
￥0.2266
10000+
￥0.2154

有货

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型号：AO4459 编号：C5125946

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，具有极低的导通电阻，适用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

10+
￥0.3963
100+
￥0.3115
300+
￥0.269
3000+
￥0.2186
6000+
￥0.1931
9000+
￥0.1804

有货

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型号：BC846BS,115 编号：C426779

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型 SOT363（SC-88）表面贴装器件（SMD）塑料封装的 NPN/NPN 通用晶体管对。

数据手册

10+
￥0.4145
100+
￥0.3338
300+
￥0.2935
3000+
￥0.255304 ￥0.2632
6000+
￥0.23183 ￥0.239
9000+
￥0.220093 ￥0.2269

有货

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型号：BSS123 编号：C513249

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.4245
100+
￥0.3398
300+
￥0.2975
3000+
￥0.2657
6000+
￥0.2403
9000+
￥0.2276

有货

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型号：APM2300CAC 编号：C5123958

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：便携式设备的负载开关。DC/DC转换器

数据手册

5+
￥0.4272
50+
￥0.3766
150+
￥0.3513
500+
￥0.3323
3000+
￥0.2759
6000+
￥0.2683

有货

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型号：AP6800 编号：C2849570

封装：SOT-23-6

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP6800采用先进的沟槽技术，可提供出色的Rps（导通）和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.4359
100+
￥0.3975
300+
￥0.3783
3000+
￥0.2513
6000+
￥0.2398
9000+
￥0.234

有货

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型号：BC847,215 编号：C130417

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

NPN通用晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

10+
￥0.4533
100+
￥0.3658
300+
￥0.322
3000+
￥0.277032 ￥0.2856
6000+
￥0.251521 ￥0.2593
9000+
￥0.238814 ￥0.2462

有货

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型号：SI2309DS 编号：C5182077

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS =-60V, ID =-1.6A。 RDS(ON) < 200mΩ @VGS =-10V。 RDS(ON) < 240mΩ @VGS =-4.5V。应用：Load/Power Switching。 Interfacing Switching

数据手册

5+
￥0.4618
50+
￥0.4112
150+
￥0.3859
500+
￥0.3669
3000+
￥0.3365
6000+
￥0.3289

有货

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型号：DOD20N06 编号：C36499181

封装：TO-252

品牌：DOINGTER(杜因特)

N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ)

10+
￥0.4669
100+
￥0.3752
300+
￥0.3293
2500+
￥0.2854
5000+
￥0.2579
10000+
￥0.2441

有货

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型号：DMP4065S-7 编号：C182476

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4749
100+
￥0.3798
300+
￥0.3323
3000+
￥0.2884
6000+
￥0.2599
9000+
￥0.2456

有货

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型号：DMN10H220L 编号：C5122013

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 100V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 130mΩ @ VGS = 10V (96mΩ Typ)。 RDS(ON) < 180mΩ @ VGS = 4.5V (140mΩ Typ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥0.4814
50+
￥0.4243
150+
￥0.3958
500+
￥0.3744
3000+
￥0.3109
6000+
￥0.3023

有货

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型号：AP4410 编号：C2837277

封装：SOP-8

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：30V，15A。 RDS(ON) < 8mΩ（VGS = 10V，典型值6.5mΩ）。 RDS(ON) < 13mΩ（VGS = 4.5V，典型值10.2mΩ）。先进的沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

5+
￥0.4853
50+
￥0.3797
150+
￥0.3269
500+
￥0.2873
2500+
￥0.2732
4000+
￥0.2574

有货

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型号：NTS2101PT1G 编号：C140583

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.4957
100+
￥0.4065
300+
￥0.3619
3000+
￥0.2819
6000+
￥0.2551
9000+
￥0.2417

有货

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型号：2N5401YBU 编号：C896648

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：集电极-发射极电压：VCEO = 150V。集电极耗散功率：PC(max) = 625mW。后缀 “-C” 表示反集电极

数据手册

5+
￥0.551
50+
￥0.4422
150+
￥0.3877
1000+
￥0.3469
2000+
￥0.2908
5000+
￥0.2745

有货

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型号：AO3413 编号：C86648

封装：SOT-23

品牌：AOS

P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.5628
50+
￥0.4464
150+
￥0.3881
500+
￥0.3445
3000+
￥0.2722
6000+
￥0.2547

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