大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF630NPBF 编号：C2567

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,9.3A,300mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.207
50+
￥1.5587
150+
￥1.3806
500+
￥1.1584
2000+
￥1.0594
5000+
￥1

有货

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型号：ZXTP2012ZTA 编号：C122574

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -4.3A，高连续电流。 RSAT = 32mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VREF(sat) < -65mV @ IC = -1A。 hFE 规定至 -10A，高电流增益保持。互补 NPN 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

5+
￥2.2296
50+
￥1.7484
150+
￥1.5422
1000+
￥1.1954
2000+
￥1.0808
5000+
￥1.012

有货

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型号：NCEP1520K 编号：C341717

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCEP1520K采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

数据手册

5+
￥2.34
50+
￥1.8
150+
￥1.57
500+
￥1.28
2500+
￥1.15
5000+
￥1.07

有货

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型号：PBSS5350Z,135 编号：C49692

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用中功率SOT223（SC - 73）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。互补NPN型：PBSS4350Z

数据手册

1+
￥2.38
10+
￥1.87
30+
￥1.66
100+
￥1.39
500+
￥1.26
1000+
￥1.19

有货

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型号：PMV65XPEAR 编号：C2889116

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.88
30+
￥1.65
100+
￥1.37
500+
￥1.25
1000+
￥1.14

有货

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型号：SI2319CDS-T1-GE3 编号：C146287

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-40V,-4.4A,0.077Ω@-10V

数据手册

5+
￥2.5115
50+
￥2.0323
150+
￥1.827
500+
￥1.4291
3000+
￥1.315
6000+
￥1.2466

有货

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型号：WSD4098DN56 编号：C719105

封装：DFN-8(5.2x5.5)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD4098DN56是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4098DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性认证，确保产品质量。

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.22
30+
￥2
100+
￥1.71
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C5197322

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.23
30+
￥1.97
100+
￥1.64
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：SI7115DN 编号：C22435138

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥3.1065 ￥3.27
10+
￥2.489 ￥2.62
30+
￥2.185 ￥2.3
100+
￥1.881 ￥1.98
500+
￥1.691 ￥1.78
1000+
￥1.596 ￥1.68

有货

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型号：DMP6110SSD-13 编号：C461097

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.37
10+
￥2.64
30+
￥2.33
100+
￥1.94
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

有货

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型号：WSD60N10GDN56 编号：C719101

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥3.474 ￥3.86
10+
￥2.826 ￥3.14
30+
￥2.547 ￥2.83
100+
￥2.196 ￥2.44
500+
￥1.638 ￥1.82
1000+
￥1.548 ￥1.72

有货

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型号：IRF2807PBF 编号：C2560

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,75A,13mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.79
10+
￥3.93
50+
￥3.22
100+
￥2.79
500+
￥2.54
1000+
￥2.4

有货

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型号：NTMFS5C612NLT1G 编号：C348543

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥4.48
30+
￥3.91
100+
￥3.34
500+
￥3
1500+
￥2.82

有货

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型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.9
10+
￥4.72
50+
￥4.13
100+
￥3.55
500+
￥3.2
1000+
￥3.01

有货

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型号：STP110N8F6 编号：C81146

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.02
10+
￥5.16
50+
￥4.48
100+
￥4.05
500+
￥3.8
1000+
￥3.66

有货

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型号：IRFP260MPBF 编号：C2679

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,50A,40mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.6
25+
￥4.24
100+
￥3.68
400+
￥3.35
800+
￥3.18

有货

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型号：BSC160N10NS3G 编号：C148261

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.61
10+
￥7.19
30+
￥6.4
100+
￥5.51
500+
￥4.53
1000+
￥4.35

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型号：SP60P03GHTO 编号：C42372352

封装：TOLL-8L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-140A,Rdson：3.1mR

1+
￥10
10+
￥8.41
30+
￥7.42
100+
￥6.41
500+
￥6.32
1000+
￥6.12

有货

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型号：TK100E08N1,S1X(S 编号：C396033

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥8.71
50+
￥7.96
100+
￥7.11
500+
￥6.74
1000+
￥6.57

有货

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型号：IKW40N65H5 编号：C454249

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥11.57
10+
￥9.8
30+
￥7.25
100+
￥6.15
500+
￥5.67
1000+
￥5.45

有货

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型号：NCEP016N85LL 编号：C2686653

封装：TOLL

品牌：NCE(无锡新洁能)

该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥14.14
10+
￥11.79
30+
￥10.31
100+
￥8.8
500+
￥8.12
1000+
￥7.82

有货

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型号：IKW40N120T2 编号：C111028

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于1200V应用的第二代TrenchStop，具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。

数据手册

1+
￥26.04
10+
￥22.8
30+
￥19.28
90+
￥17.34
480+
￥16.44
960+
￥16.03

有货

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型号：MMBT3904X 编号：C5156716

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

Type(NPN)/VCBO60(V)/VCEO40(V)/VEBO 6(V)/IC0.2(A)/hFE30~300/fT300(MHz)

数据手册

50+
￥0.0338
500+
￥0.0293
3000+
￥0.0256
6000+
￥0.0241
24000+
￥0.0228
51000+
￥0.0221

有货

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型号：2N7002K 编号：C5278865

封装：SOT-23

品牌：PAKER(派克微)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。5V逻辑电平控制。HMB ESD保护2KV。应用：电池保护和负载开关。电压调节器模块

50+
￥0.04614 ￥0.0769
500+
￥0.04008 ￥0.0668
3000+
￥0.03672 ￥0.0612
6000+
￥0.03468 ￥0.0578
24000+
￥0.03294 ￥0.0549
51000+
￥0.03198 ￥0.0533

有货

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型号：SS8550 编号：C2926168

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

放大倍数200-300 1.5A电流

数据手册

50+
￥0.05202 ￥0.0578
500+
￥0.04041 ￥0.0449
3000+
￥0.03528 ￥0.0392
6000+
￥0.03141 ￥0.0349
24000+
￥0.02799 ￥0.0311
51000+
￥0.02619 ￥0.0291

有货

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型号：LMBT3906LT1G 编号：C12091

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

数据手册

100+
￥0.0566
1000+
￥0.0438
3000+
￥0.0366
9000+
￥0.0324
51000+
￥0.0287

有货

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型号：BC847B-TD 编号：C49211315

封装：SOT-23

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

BC847是一种小信号 NPN 型双极性晶体管

50+
￥0.0567
500+
￥0.0445
3000+
￥0.0377
6000+
￥0.0336
24000+
￥0.0301

有货

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型号：2N7002KX 编号：C3038094

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

MOSFET，小信号，SOT-23

数据手册

20+
￥0.0619
200+
￥0.0533
600+
￥0.0486
3000+
￥0.0441
9000+
￥0.0417
21000+
￥0.0403

有货

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型号：SS8050 编号：C908250

封装：SOT-23

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：与SS8550互补

数据手册

50+
￥0.06608 ￥0.0826
500+
￥0.05184 ￥0.0648
3000+
￥0.04392 ￥0.0549
6000+
￥0.0392 ￥0.049
24000+
￥0.03504 ￥0.0438
51000+
￥0.03288 ￥0.0411

有货

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型号：MMBT5401T 编号：C2836079

封装：SOT-523

品牌：CBI(创基)

PNP 电流:500mA 电压:150V

数据手册

50+
￥0.075
500+
￥0.0653
3000+
￥0.0568
6000+
￥0.0535
24000+
￥0.0507
51000+
￥0.0492

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