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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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描述
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N沟道MOSFET
型号：IRLML6244TRPBF 编号：C5123965
封装：SOT-23
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
数据手册

  • 5+

    ￥0.4926

  • 50+

    ￥0.3914

  • 150+

    ￥0.3407

  • 500+

    ￥0.3027

  • 3000+

    ￥0.2632

  • 6000+

    ￥0.248
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
    型号：DMP3098L-7 编号：C150492
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道,-30V,-3.8A,70mΩ@-10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.499

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      ￥0.4031

    • 300+

      ￥0.3552

    • 3000+

      ￥0.2962

    • 6000+

      ￥0.2675

    • 9000+

      ￥0.2531
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    R档 180-390 PNP 电流:2A 电压:50V
    型号：2SA1797(RANGE:180-390) 编号：C148095
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低饱和电压。 出色的直流电流增益特性。 与2SC4672互补
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5001

    • 100+

      ￥0.4089

    • 300+

      ￥0.3633

    • 1000+

      ￥0.3101

    • 5000+

      ￥0.2828

    • 10000+

      ￥0.2691
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    耐压:30V 电流:3A
    型号：IRLML5203TRPBF 编号：C5182049
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5012

    • 100+

      ￥0.3937

    • 300+

      ￥0.3399

    • 3000+

      ￥0.2782

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      ￥0.246

    • 9000+

      ￥0.2298
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
    型号：DMP3056L-7 编号：C150724
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代MOSFET的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.320355

    • 1000+

      ￥0.30849

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      ￥0.296625

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      ￥0.272895

    • 10000+

      ￥0.265776
    我要订货
    N沟道MOSFET
    型号：BSS131 编号：C48995494
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    场效应管(MOSFET)

    • 5+

      ￥0.5709

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      ￥0.4548

    • 150+

      ￥0.3967

    • 500+

      ￥0.3531

    • 3000+

      ￥0.3183

    • 6000+

      ￥0.3009
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
    型号：TPM1012ER3 编号：C2830303
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 20V, b = 0.8A。RDS(ON) < 250mΩ @ VGS = 4.5V。RDS(ON) < 300mΩ @ VGS = 2.5V。ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5985

    • 50+

      ￥0.4785

    • 150+

      ￥0.4185

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      ￥0.3735

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      ￥0.2981

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      ￥0.28
  • 有货
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    耐压:40V 电流:3.9A
    型号：SI2318CDS 编号：C5122034
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6249

    • 50+

      ￥0.4929

    • 150+

      ￥0.4269

    • 500+

      ￥0.3774

    • 3000+

      ￥0.3279

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      ￥0.3081
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    PNP 电流:3A 电压:30V
    型号：PBSS5330X,115 编号：C282551
    封装：SOT-89
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP低饱和电压（VCEsat）晶体管，采用SOT89塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6353

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      ￥0.5303

    • 1000+

      ￥0.48888 ￥0.504

    • 2000+

      ￥0.46851 ￥0.483

    • 5000+

      ￥0.458325 ￥0.4725
  • 有货
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    耐压:40V 电流:3.9A
    型号：SI2356DS 编号：C5182104
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6361

    • 50+

      ￥0.5041

    • 150+

      ￥0.4381

    • 500+

      ￥0.3886

    • 3000+

      ￥0.3325

    • 6000+

      ￥0.3127
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：60N04D 编号：C7543822
    封装：PDFN-8-EP(3x3)
    品牌：HL(富海微)
    特性：绿色环保器件。 开关速度快。 100% EAS 保证。 先进的沟槽 MOS 技术。应用：高频开关和同步整流。 DC/DC 转换器

    • 5+

      ￥0.6488

    • 50+

      ￥0.5144

    • 150+

      ￥0.4472

    • 500+

      ￥0.3968

    • 2500+

      ￥0.3327

    • 5000+

      ￥0.3125
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V
    型号：TM15N10SI 编号：C7422819
    封装：SOT-89-3L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,100V,15A,80mΩ@10v

    • 5+

      ￥0.6649

    • 50+

      ￥0.5799

    • 150+

      ￥0.5435

    • 1000+

      ￥0.4731 ￥0.498

    • 2000+

      ￥0.45391 ￥0.4778

    • 5000+

      ￥0.44232 ￥0.4656
  • 有货
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    耐压:30V 电流:26A
    型号：AON7544 编号：C7202958
    封装：PDFN3x3-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@16A < 9mΩ。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@8A < 13mΩ。 高开关速度。 改善的dv/dt能力。 低栅极电荷。 低反向传输电容。应用：负载/电源开关。 接口开关

    • 5+

      ￥0.8117

    • 50+

      ￥0.6375

    • 150+

      ￥0.5504

    • 500+

      ￥0.485

    • 2500+

      ￥0.4328

    • 5000+

      ￥0.4066
  • 有货
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    N沟道+P沟道 60V 80A
    型号：JSM80N06D 编号：C22447119
    封装：TO-252
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    高密度电池设计，可实现极低的RDS。

    • 5+

      ￥0.81776 ￥1.0222

    • 50+

      ￥0.63632 ￥0.7954

    • 150+

      ￥0.55856 ￥0.6982

    • 500+

      ￥0.4616 ￥0.577

    • 2500+

      ￥0.4472 ￥0.559

    • 5000+

      ￥0.4212 ￥0.5265
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：NTGS5120PT1G 编号：C2959860
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：60V/-3A，RDS(ON) = 95mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 130mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC-DC转换器。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8287

    • 50+

      ￥0.7237

    • 150+

      ￥0.6787

    • 500+

      ￥0.6226

    • 3000+

      ￥0.5976

    • 6000+

      ￥0.5826
  • 有货
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    N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：AP68N06G 编号：C2828590
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP68N06系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。DFN5*G封装在所有采用红外回流焊技术的商业工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由于其连接电阻低，适用于大电流应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8495

    • 50+

      ￥0.7487

    • 150+

      ￥0.7055

    • 500+

      ￥0.6516

    • 2500+

      ￥0.4825

    • 5000+

      ￥0.4681
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
    型号：FDC6506P-TP 编号：C41348166
    封装：SOT-23-6L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥0.891765 ￥0.9387

    • 50+

      ￥0.700245 ￥0.7371

    • 150+

      ￥0.618165 ￥0.6507

    • 500+

      ￥0.515755 ￥0.5429

    • 3000+

      ￥0.470155 ￥0.4949

    • 6000+

      ￥0.4427 ￥0.466
  • 有货
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:25A
    型号：AGM210MAP 编号：C7431169
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM210MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥0.892216 ￥0.9698

    • 50+

      ￥0.706744 ￥0.7682

    • 150+

      ￥0.627256 ￥0.6818

    • 500+

      ￥0.52808 ￥0.574

    • 2500+

      ￥0.48392 ￥0.526

    • 5000+

      ￥0.457424 ￥0.4972
  • 有货
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    FDC5614P丝印564 1个P沟道 耐压:60V 电流:3.3A
    型号：FDC5614P 编号：C3029022
    封装：SOT-23-6
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    FDC5614P丝印564
    数据手册

    • 5+

      ￥0.934405 ￥1.0993

    • 50+

      ￥0.75446 ￥0.8876

    • 150+

      ￥0.67728 ￥0.7968

    • 500+

      ￥0.58106 ￥0.6836

    • 3000+

      ￥0.458915 ￥0.5399

    • 6000+

      ￥0.43316 ￥0.5096
  • 有货
    • 立即购买
    100V 1A
    型号：ZXMP10A13FTA 编号：C5122068
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9687

    • 50+

      ￥0.7671

    • 150+

      ￥0.6807

    • 500+

      ￥0.5729

    • 3000+

      ￥0.5104

    • 6000+

      ￥0.4815
  • 有货
    • 立即购买
    30V, 8A, N沟道 MOSFET
    型号：AO4800 编号：C5456627
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

    • 5+

      ￥0.99952 ￥1.2494

    • 50+

      ￥0.77776 ￥0.9722

    • 150+

      ￥0.68272 ￥0.8534

    • 500+

      ￥0.56416 ￥0.7052

    • 3000+

      ￥0.54656 ￥0.6832

    • 6000+

      ￥0.5148 ￥0.6435
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：NCE6005AR 编号：C189606
    封装：SOT-223-3L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道,60V,5A,35mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0052

    • 50+

      ￥0.7772

    • 150+

      ￥0.6632

    • 500+

      ￥0.5777

    • 2500+

      ￥0.5093

    • 5000+

      ￥0.475
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:14.7A
    型号：15N10 编号：C5350893
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1061

    • 50+

      ￥0.8574

    • 150+

      ￥0.7508

    • 500+

      ￥0.6178

    • 2500+

      ￥0.5586

    • 5000+

      ￥0.5231
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：AOD4184-HXY 编号：C5337192
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N型场效应管具备60A的电流承载能力，能在40V电压下稳定工作。其内阻典型值为7.7mΩ，VGS为20V。适用于要求高电流、低内阻的应用场景，如电源管理、负载开关等，确保系统高效稳定运行。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.14631 ￥1.3486

    • 50+

      ￥0.93619 ￥1.1014

    • 150+

      ￥0.84609 ￥0.9954

    • 500+

      ￥0.73372 ￥0.8632

    • 2500+

      ￥0.63563 ￥0.7478

    • 5000+

      ￥0.605625 ￥0.7125
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    耐压:60V 电流:350mA
    型号：NDC7001C 编号：C7603325
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：替换数字晶体管。电平转换器。电源转换器电路。电池供电系统

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      ￥1.1508

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    1个N沟道 耐压:250V 电流:0.1A
    型号：BSS139H6327 编号：C2998039
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道耗尽模式。 dv/dt额定。 卷轴上带有VGS(th)指示器。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 根据AEC Q101认证
    数据手册

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    耐压:30V 电流:42A
    型号：RU3030M2-TP 编号：C41348100
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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    NPN 电流:1.5A 电压:80V
    型号：BD139 编号：C27866
    封装：TO-126
    品牌：ST(意法半导体)
    NPN硅晶体管
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:150V 电流:4A
    型号：CJT04N15 编号：C81507
    封装：SOT-223
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    这款CJT04N15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
    型号：AON7264E-HXY 编号：C6285769
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压60V，连续电流高达40A，适用于小型化、高性能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，实现空间节省与高效能的完美结合。

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      ￥1.271892 ￥1.5324

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