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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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先进的沟槽工艺技术,高密度单元设计,实现超低导通电阻,采用SOT-23-3L表面贴装封装。
数据手册
  • 10+

    ¥0.4471
  • 100+

    ¥0.3679
  • 300+

    ¥0.3283
  • 3000+

    ¥0.2205
  • 6000+

    ¥0.1967
  • 9000+

    ¥0.1848
  • 有货
  • 小电流MOSFET产品,N沟道,ESD防护,耐压:60V,电流:0.22A, Rdson:2000mR
    • 20+

      ¥0.1865
    • 200+

      ¥0.1444
    • 600+

      ¥0.121
    • 3000+

      ¥0.11
    • 9000+

      ¥0.0979
    • 21000+

      ¥0.0913
  • 有货
  • 这款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-323封装,额定电压为20V,最大连续电流可达2A,专为电子设备的高效电源管理和低功耗开关应用设计。其小巧尺寸与卓越性能相结合,提供出色的系统集成解决方案。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.18829 ¥0.1982
    • 200+

      ¥0.155135 ¥0.1633
    • 600+

      ¥0.13661 ¥0.1438
    • 3000+

      ¥0.098515 ¥0.1037
    • 9000+

      ¥0.08892 ¥0.0936
    • 21000+

      ¥0.08379 ¥0.0882
  • 有货
  • 特性:功率耗散
    数据手册
    • 20+

      ¥0.193
    • 200+

      ¥0.1525
    • 1000+

      ¥0.1157
    • 2000+

      ¥0.1022
    • 10000+

      ¥0.0905
    • 20000+

      ¥0.0842
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.2239
    • 200+

      ¥0.1759
    • 600+

      ¥0.1519
    • 3000+

      ¥0.1277
    • 9000+

      ¥0.1133
    • 21000+

      ¥0.106
  • 有货
  • PNP 电流:3A 耐压:30V (hFE):400@1A,2V
    • 10+

      ¥0.245055 ¥0.2883
    • 100+

      ¥0.196095 ¥0.2307
    • 300+

      ¥0.171615 ¥0.2019
    • 1000+

      ¥0.153255 ¥0.1803
    • 4000+

      ¥0.13855 ¥0.163
    • 10000+

      ¥0.131155 ¥0.1543
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,70mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2499
    • 100+

      ¥0.2019
    • 300+

      ¥0.1778
    • 3000+

      ¥0.1598
    • 6000+

      ¥0.1454
    • 9000+

      ¥0.1382
  • 有货
  • N沟道,60V,3A,92mΩ@4.5V
    • 10+

      ¥0.2507
    • 100+

      ¥0.1997
    • 300+

      ¥0.1742
    • 3000+

      ¥0.1551
    • 6000+

      ¥0.1398
    • 9000+

      ¥0.1321
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2507
    • 100+

      ¥0.1979
    • 300+

      ¥0.1715
    • 3000+

      ¥0.147
    • 6000+

      ¥0.1312
    • 9000+

      ¥0.1232
  • 有货
  • 特性:快速开关。超低导通电阻。表面贴装器件
    数据手册
    • 20+

      ¥0.260585 ¥0.2743
    • 200+

      ¥0.209855 ¥0.2209
    • 600+

      ¥0.18164 ¥0.1912
    • 3000+

      ¥0.145825 ¥0.1535
    • 9000+

      ¥0.131195 ¥0.1381
    • 21000+

      ¥0.12331 ¥0.1298
  • 有货
  • N沟道,30V,3.16A,47mΩ@10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2683
    • 200+

      ¥0.2159
    • 600+

      ¥0.1868
    • 3000+

      ¥0.156
    • 9000+

      ¥0.1409
    • 21000+

      ¥0.1327
  • 有货
  • 特性:高密度单元设计,实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.277
    • 100+

      ¥0.2222
    • 300+

      ¥0.1948
    • 3000+

      ¥0.1742
    • 6000+

      ¥0.1578
    • 9000+

      ¥0.1496
  • 有货
  • N沟道,20V,6.8A,16mΩ@4.5V
    • 10+

      ¥0.2856
    • 100+

      ¥0.2237
    • 300+

      ¥0.1928
    • 3000+

      ¥0.1696
    • 6000+

      ¥0.151
    • 9000+

      ¥0.1417
  • 有货
  • 特性:4.5V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 42mΩ(最大值)(VGS = 4.5V);RDS(ON) = 28mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用:电源管理开关应用。 高速开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3033
    • 100+

      ¥0.2371
    • 300+

      ¥0.2039
    • 3000+

      ¥0.179
    • 6000+

      ¥0.1592
    • 9000+

      ¥0.1492
  • 有货
  • 特性:高电流输出可达3A。 低饱和电压。 与2SD882SQ互补。应用:音频功率放大器。 低速开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3116 ¥0.328
    • 100+

      ¥0.245575 ¥0.2585
    • 300+

      ¥0.21261 ¥0.2238
    • 1000+

      ¥0.190665 ¥0.2007
    • 5000+

      ¥0.17081 ¥0.1798
    • 10000+

      ¥0.16093 ¥0.1694
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 超低导通电阻。 可提供卷带包装。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3121
    • 100+

      ¥0.2497
    • 300+

      ¥0.2185
    • 3000+

      ¥0.1846
    • 6000+

      ¥0.1659
    • 9000+

      ¥0.1565
  • 有货
  • N沟道,30V,100mA
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3239
    • 100+

      ¥0.2625
    • 300+

      ¥0.2318
    • 3000+

      ¥0.1837
    • 6000+

      ¥0.1653
    • 9000+

      ¥0.1561
  • 有货
  • 特性:低饱和电压
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3251
    • 100+

      ¥0.2665
    • 300+

      ¥0.2372
    • 3000+

      ¥0.2017
    • 6000+

      ¥0.1841
    • 9000+

      ¥0.1753
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3331
    • 100+

      ¥0.2644
    • 300+

      ¥0.2301
    • 3000+

      ¥0.1911
    • 6000+

      ¥0.1705
    • 9000+

      ¥0.1602
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3341
    • 100+

      ¥0.2688
    • 300+

      ¥0.2362
    • 3000+

      ¥0.1893
    • 6000+

      ¥0.1697
    • 9000+

      ¥0.1599
  • 有货
  • 功率 MOSFET,500 mA,60 V,N 沟道,SOT?23
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3591
    • 100+

      ¥0.2799
    • 300+

      ¥0.2403
    • 3000+

      ¥0.2106
    • 6000+

      ¥0.1868
    • 9000+

      ¥0.175
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS = 30V。 ID = 8.5A。 RDS(ON) < 20mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3613
    • 50+

      ¥0.3177
    • 150+

      ¥0.2959
    • 500+

      ¥0.2795
    • 3000+

      ¥0.2573
    • 6000+

      ¥0.2508
  • 有货
  • P管/-30V/-10A/15mΩ(典型值12mΩ)
    • 10+

      ¥0.4231
    • 100+

      ¥0.34
    • 300+

      ¥0.2985
    • 3000+

      ¥0.2622
    • 6000+

      ¥0.2373
    • 9000+

      ¥0.2248
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V,ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用:负载开关。 PWM应用
    • 10+

      ¥0.424935 ¥0.4473
    • 100+

      ¥0.333735 ¥0.3513
    • 300+

      ¥0.288135 ¥0.3033
    • 3000+

      ¥0.253935 ¥0.2673
    • 6000+

      ¥0.226575 ¥0.2385
    • 9000+

      ¥0.2128 ¥0.224
  • 有货
  • SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4414
    • 50+

      ¥0.3588
    • 150+

      ¥0.3176
    • 500+

      ¥0.2866
    • 2500+

      ¥0.2618
    • 4000+

      ¥0.2494
  • 有货
  • 采用SOT323塑料封装的NPN晶体管。互补PNP型晶体管:BC859W和BC860W。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4506
    • 100+

      ¥0.3574
    • 300+

      ¥0.3108
    • 3000+

      ¥0.267623 ¥0.2759
    • 6000+

      ¥0.24056 ¥0.248
    • 9000+

      ¥0.22698 ¥0.234
  • 有货
  • P沟道,-40V,-4.8A,47mΩ@-10v
    • 10+

      ¥0.4556
    • 100+

      ¥0.3643
    • 300+

      ¥0.3187
    • 3000+

      ¥0.270275 ¥0.2845
    • 6000+

      ¥0.244245 ¥0.2571
    • 9000+

      ¥0.23123 ¥0.2434
  • 有货
  • NPN 开关晶体管,采用超小型 DFN1006B-3 (SOT883B) 无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP 互补型号为 PMBT2907AMB。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4561
    • 100+

      ¥0.3616
    • 300+

      ¥0.3143
    • 1000+

      ¥0.270533 ¥0.2789
    • 5000+

      ¥0.242985 ¥0.2505
    • 10000+

      ¥0.229211 ¥0.2363
  • 有货
  • 50N03 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。50N03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%经过 EAS 测试,具备完整的功能可靠性认证。
    • 10+

      ¥0.4835
    • 100+

      ¥0.3875
    • 300+

      ¥0.3395
    • 2500+

      ¥0.2833
    • 5000+

      ¥0.2545
    • 10000+

      ¥0.24
  • 有货
  • 特性:高开关速度。低正向压降低。高效低功耗。大电流浪涌能力强。应用:电子镇流器。开关电源
    • 5+

      ¥0.4845 ¥0.51
    • 50+

      ¥0.38418 ¥0.4044
    • 150+

      ¥0.33402 ¥0.3516
    • 500+

      ¥0.2964 ¥0.312
    • 2500+

      ¥0.266285 ¥0.2803
    • 5000+

      ¥0.251275 ¥0.2645
  • 有货
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