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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥6.87
  • 10+

    ¥5.66
  • 30+

    ¥5.05
  • 100+

    ¥4.2275 ¥4.45
  • 500+

    ¥3.496 ¥3.68
  • 1000+

    ¥3.325 ¥3.5
  • 有货
  • Vce=600V,Ic=20A,Vce(sat)=1.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.37
    • 10+

      ¥7.69
    • 30+

      ¥5.75
    • 90+

      ¥5.0635 ¥5.33
    • 510+

      ¥4.8925 ¥5.15
    • 990+

      ¥4.807 ¥5.06
  • 有货
  • 特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥10.22
    • 10+

      ¥8.7
    • 30+

      ¥7.74
    • 100+

      ¥6.6346 ¥6.77
    • 500+

      ¥6.1936 ¥6.32
    • 1000+

      ¥6.0074 ¥6.13
  • 有货
  • 特性:100V/380A,导通电阻(RDS(ON))典型值为 1.2mΩ(VGS = 10V 时)。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件(符合 RoHS 标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理
    数据手册
    • 1+

      ¥11.74
    • 10+

      ¥9.99
    • 30+

      ¥8.9
    • 100+

      ¥7.48
    • 500+

      ¥6.97
    • 1000+

      ¥6.76
  • 有货
  • 该系列器件采用超级沟槽 II 技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.98
    • 10+

      ¥10.82
    • 30+

      ¥9.47
    • 100+

      ¥8.08
    • 500+

      ¥7.46
    • 1000+

      ¥7.18
  • 有货
  • 电压VDSS 100V,导通电阻Rds1.1毫欧,电荷量Qg131nC,电流ID 399A
    • 1+

      ¥13.94
    • 10+

      ¥11.95
    • 30+

      ¥10.71
    • 100+

      ¥8.22
    • 500+

      ¥7.65
    • 1000+

      ¥7.4
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥42.85
    • 10+

      ¥36.31
    • 30+

      ¥32.43
    • 90+

      ¥28.5
    • 480+

      ¥26.68
    • 960+

      ¥25.87
  • 有货
  • FMMT415/417 是 NPN 硅平面双极晶体管,专为雪崩模式下的操作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合,可产生具有快速沿的大电流脉冲。
    数据手册
    • 1+

      ¥52.29
    • 10+

      ¥46.02
    • 30+

      ¥39.93
    • 100+

      ¥36.73
  • 有货
  • hFE:120-200
    • 100+

      ¥0.036
    • 1000+

      ¥0.028
    • 3000+

      ¥0.0235
    • 9000+

      ¥0.0209
    • 51000+

      ¥0.0185
    • 99000+

      ¥0.0173
  • 有货
  • 防静电,应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05427 ¥0.0603
    • 500+

      ¥0.04212 ¥0.0468
    • 3000+

      ¥0.03582 ¥0.0398
    • 6000+

      ¥0.03177 ¥0.0353
    • 24000+

      ¥0.02826 ¥0.0314
    • 45000+

      ¥0.02637 ¥0.0293
  • 有货
    • 50+

      ¥0.056525 ¥0.0595
    • 500+

      ¥0.043605 ¥0.0459
    • 3000+

      ¥0.038285 ¥0.0403
    • 6000+

      ¥0.033915 ¥0.0357
    • 24000+

      ¥0.03021 ¥0.0318
    • 51000+

      ¥0.028215 ¥0.0297
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA适用于电源开关和信号控制
    • 50+

      ¥0.05864 ¥0.0733
    • 500+

      ¥0.04568 ¥0.0571
    • 3000+

      ¥0.0356 ¥0.0445
    • 6000+

      ¥0.03128 ¥0.0391
    • 30000+

      ¥0.02752 ¥0.0344
    • 45000+

      ¥0.02544 ¥0.0318
  • 有货
  • 特性:高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。 适用于便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0621 ¥0.069
    • 500+

      ¥0.05481 ¥0.0609
    • 3000+

      ¥0.04644 ¥0.0516
    • 6000+

      ¥0.04401 ¥0.0489
    • 24000+

      ¥0.04185 ¥0.0465
    • 51000+

      ¥0.04077 ¥0.0453
  • 有货
  • 特性:低漏电流:ICEX = -50nA(最大值),IBL = -50nA(最大值),VCE = -30V,VEB = -3V。 出色的直流电流增益线性度。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.4V(最大值),IC = -50mA,IBL = -5mA。 低集电极输出电容:Cob = 4.5pF(最大值),VCB = -5V。 与2N3904S互补。 后缀U:符合AEC-Q101标准。应用:通用应用。 开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.0652
    • 100+

      ¥0.0516
    • 300+

      ¥0.0441
    • 3000+

      ¥0.03686 ¥0.038
    • 6000+

      ¥0.033077 ¥0.0341
    • 9000+

      ¥0.03104 ¥0.032
  • 有货
  • 特性:与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0703 ¥0.074
    • 500+

      ¥0.055955 ¥0.0589
    • 3000+

      ¥0.04712 ¥0.0496
    • 6000+

      ¥0.04237 ¥0.0446
    • 24000+

      ¥0.03819 ¥0.0402
    • 51000+

      ¥0.03591 ¥0.0378
  • 有货
  • 特性:产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0801
    • 500+

      ¥0.0623
    • 3000+

      ¥0.0525
    • 6000+

      ¥0.0465
    • 24000+

      ¥0.0414
  • 有货
  • 作为互补类型,推荐使用NPN晶体管MMST3904。外延平面管芯结构。SOT-323塑料封装
    • 50+

      ¥0.0848
    • 500+

      ¥0.0643
    • 3000+

      ¥0.0582
    • 6000+

      ¥0.0514
    • 24000+

      ¥0.0454
    • 51000+

      ¥0.0422
  • 有货
  • NPN 电流:600mA 电压:160V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0865
    • 500+

      ¥0.0666
    • 3000+

      ¥0.0567
    • 6000+

      ¥0.0501
    • 24000+

      ¥0.0444
    • 51000+

      ¥0.0413
  • 有货
  • MOSFET,小信号,SOT-23
    数据手册
    • 20+

      ¥0.0898
    • 200+

      ¥0.0693
    • 600+

      ¥0.0579
    • 3000+

      ¥0.0495
    • 9000+

      ¥0.0435
    • 21000+

      ¥0.0403
  • 有货
  • NPN 电流:500mA 电压:30V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.091
    • 500+

      ¥0.0705
    • 3000+

      ¥0.0586
    • 6000+

      ¥0.0517
    • 24000+

      ¥0.0458
    • 51000+

      ¥0.0426
  • 有货
  • 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):125mW
    数据手册
    • 50+

      ¥0.09225 ¥0.1025
    • 500+

      ¥0.0738 ¥0.082
    • 3000+

      ¥0.05805 ¥0.0645
    • 6000+

      ¥0.05193 ¥0.0577
    • 24000+

      ¥0.04653 ¥0.0517
    • 51000+

      ¥0.04374 ¥0.0486
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0931 ¥0.098
    • 500+

      ¥0.07258 ¥0.0764
    • 3000+

      ¥0.06118 ¥0.0644
    • 6000+

      ¥0.05434 ¥0.0572
    • 24000+

      ¥0.04845 ¥0.051
    • 51000+

      ¥0.04522 ¥0.0476
  • 有货
  • N沟道,60V,0.38A, 2.3Ω@10V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1039
    • 500+

      ¥0.0801
    • 3000+

      ¥0.0669
    • 6000+

      ¥0.059
    • 24000+

      ¥0.0521
  • 有货
  • 类型 N VDSS(V) 50 ID@TC=70?C(A) 0.22 PD@TC=70?C(W) 0.225 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.50V 6000
    数据手册
    • 50+

      ¥0.10469 ¥0.1102
    • 500+

      ¥0.08132 ¥0.0856
    • 3000+

      ¥0.06574 ¥0.0692
    • 6000+

      ¥0.05795 ¥0.061
    • 24000+

      ¥0.051205 ¥0.0539
    • 51000+

      ¥0.047595 ¥0.0501
  • 有货
  • 特性:20V,-3A,RDS(ON) < 75mΩ @VGS = -10V,典型值:58mΩ;RDS(ON) < 95mΩ @VGS = -4.5V,典型值:74mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。应用:接口。 开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1216
    • 200+

      ¥0.0924
    • 600+

      ¥0.0762
    • 9000+

      ¥0.0678
    • 21000+

      ¥0.0632
  • 有货
  • 场效应管(MOS)
    • 20+

      ¥0.1328
    • 200+

      ¥0.1031
    • 600+

      ¥0.0866
    • 3000+

      ¥0.0767
    • 12000+

      ¥0.0657
    • 18000+

      ¥0.0611
  • 有货
  • 特性:与TPMMBT5401T互补。 适用于中功率放大和开关。 SOT-523封装
    • 20+

      ¥0.1454
    • 200+

      ¥0.1128
    • 600+

      ¥0.0946
    • 3000+

      ¥0.0837
    • 9000+

      ¥0.0743
  • 有货
  • 特性:VDS 30 V。 RDS(ON) (VGS=10V) ≤22mΩ (Typ)。 RDS(ON) (VGS=4.5V) ≤27mΩ (Typ)。应用:接口开关。 负载开关
    • 20+

      ¥0.1652
    • 200+

      ¥0.1296
    • 600+

      ¥0.1098
    • 3000+

      ¥0.0979
    • 9000+

      ¥0.0876
    • 21000+

      ¥0.0821
  • 有货
  • 适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
    • 20+

      ¥0.17656 ¥0.2207
    • 200+

      ¥0.13816 ¥0.1727
    • 600+

      ¥0.11896 ¥0.1487
    • 3000+

      ¥0.11096 ¥0.1387
    • 9000+

      ¥0.09944 ¥0.1243
    • 21000+

      ¥0.0936 ¥0.117
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A适用于电源开关和信号控制
    数据手册
    • 20+

      ¥0.179265 ¥0.2109
    • 200+

      ¥0.142545 ¥0.1677
    • 600+

      ¥0.122145 ¥0.1437
    • 3000+

      ¥0.103785 ¥0.1221
    • 9000+

      ¥0.09316 ¥0.1096
    • 30000+

      ¥0.087465 ¥0.1029
  • 有货
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