大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFP064NPBF 编号：C9205

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,110A,8mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.85
10+
￥5.68
25+
￥4.12
100+
￥3.53
400+
￥3.18
800+
￥3

有货

立即购买

型号：IRF9640PBF 编号：C2628

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.48
50+
￥4.87
100+
￥4.26
500+
￥3.89
1000+
￥3.7

有货

立即购买

型号：TPH2R608NH,L1Q(M 编号：C5379811

封装：SOP-8-Advance(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 28 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 75 V)。增强模式：VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥7.35
10+
￥6.07
30+
￥5.37
100+
￥4.58
500+
￥4.22
1000+
￥4.07

有货

立即购买

型号：IRFB3077PBF 编号：C2641

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.66
10+
￥7.29
50+
￥5.85
100+
￥5
600+
￥4.62
900+
￥4.45

有货

立即购买

型号：WSD90P06DN56 编号：C719104

封装：DFN-8(5x6)

品牌：WINSOK(微硕)

WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥9.05
10+
￥7.72
30+
￥6.99
100+
￥6.16
500+
￥4.89
1000+
￥4.72

有货

立即购买

型号：IPB107N20N3G 编号：C444895

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，标准电平。出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥9.89
10+
￥8.18
30+
￥7.25
100+
￥6.18
500+
￥5.71
1000+
￥5.5

有货

立即购买

型号：S9015 编号：C727141

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

特性：与S9014互补。塑料表面贴装封装，3引脚。 SOT-23封装

数据手册

50+
￥0.0497
500+
￥0.0404
3000+
￥0.0313
6000+
￥0.0282
24000+
￥0.0255
51000+
￥0.024

有货

立即购买

型号：BC856B 编号：C5261078

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款三极管为PNP型，适用于精密信号放大。其电流为0.1A，电压高达65V，放大倍数介于200至450之间，频率响应可达100MHz。该元器件在无线通信、音频处理等领域表现出色，是实现复杂电子系统的理想选择。

数据手册

50+
￥0.051765 ￥0.0609
500+
￥0.04097 ￥0.0482
3000+
￥0.03451 ￥0.0406
6000+
￥0.03094 ￥0.0364
24000+
￥0.02788 ￥0.0328
51000+
￥0.02618 ￥0.0308

有货

立即购买

型号：MMBT5401S 编号：C22395787

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

特性：PNP高压

50+
￥0.0535
500+
￥0.0422
3000+
￥0.0359
6000+
￥0.0321
24000+
￥0.0288
51000+
￥0.027

有货

立即购买

型号：2N7002K 编号：C916397

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

50+
￥0.05697 ￥0.0633
500+
￥0.04482 ￥0.0498
3000+
￥0.03852 ￥0.0428
6000+
￥0.03447 ￥0.0383
24000+
￥0.03096 ￥0.0344
45000+
￥0.02898 ￥0.0322

有货

立即购买

型号：2N3906S-RTK/PS 编号：C5300004

封装：SOT-23

品牌：KEC

特性：低漏电流：ICEX = -50nA（最大值），IBL = -50nA（最大值），VCE = -30V，VEB = -3V。出色的直流电流增益线性度。低饱和电压：VCE(sat) = -0.4V（最大值），IC = -50mA，IBL = -5mA。低集电极输出电容：Cob = 4.5pF（最大值），VCB = -5V。与2N3904S互补。后缀U：符合AEC-Q101标准。应用：通用应用。开关应用

数据手册