大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF2807PBF 编号：C2560

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,75A,13mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.03
10+
￥3.13
50+
￥2.48
100+
￥2
500+
￥1.78
1000+
￥1.65

有货

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型号：WSD30L40DN33 编号：C148390

封装：DFN-8(3x3)

品牌：WINSOK(微硕)

WsD30L40DN33是高性能沟槽式P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD30L40DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过全功能可靠性认证，保证每颗产品均合格。

数据手册

1+
￥1.51038 ￥1.6782
10+
￥1.19736 ￥1.3304
30+
￥1.06326 ￥1.1814
100+
￥0.89586 ￥0.9954
500+
￥0.82134 ￥0.9126
1000+
￥0.74232 ￥0.8248

有货

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型号：HYG015N03LS1C2 编号：C18222234

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

MOSFET

5+
￥1.6734
50+
￥1.2903
150+
￥1.1261
500+
￥0.9213
2500+
￥0.8605
5000+
￥0.8057

有货

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型号：SQ2308CES-T1_GE3 编号：C142560

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,60V,2.3A,0.15Ω@10V

数据手册

5+
￥1.8224
50+
￥1.4744
150+
￥1.2332
500+
￥0.994745 ￥1.0471
3000+
￥0.91599 ￥0.9642
6000+
￥0.868775 ￥0.9145

有货

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型号：NCE603S 编号：C216791

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE603S采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，还适用于众多其他应用。

数据手册

1+
￥1.8325
10+
￥1.4092
30+
￥1.2277
100+
￥1.0013
500+
￥0.9005
1000+
￥0.84

有货

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型号：NCE40P40K 编号：C130100

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，40V，40A.

数据手册

5+
￥1.9089
50+
￥1.4679
150+
￥1.2789
500+
￥1.0431
2500+
￥0.9381
5000+
￥0.875

有货

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型号：ZXTP2012ZTA 编号：C122574

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -4.3A，高连续电流。 RSAT = 32mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VREF(sat) < -65mV @ IC = -1A。 hFE 规定至 -10A，高电流增益保持。互补 NPN 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

5+
￥1.9702
50+
￥1.5846
150+
￥1.4194
1000+
￥1.1414
2000+
￥1.0496
5000+
￥0.9945

有货

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型号：ESN4485 编号：C5224302

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-40V，-34A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥1.9852
50+
￥1.5266
150+
￥1.33
500+
￥1.0848
2500+
￥0.9756
5000+
￥0.91

有货

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型号：TPH1R403NL-HXY 编号：C7543027

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，峰值电流高达150A，特别适用于空间受限且需要高效能开关控制的电路设计，如电源转换、负载开关及电池管理系统等应用。

5+
￥2.239924 ￥2.4347
50+
￥1.843496 ￥2.0038
150+
￥1.673572 ￥1.8191
500+
￥1.231604 ￥1.3387
2500+
￥1.137212 ￥1.2361
5000+
￥1.08054 ￥1.1745

有货

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型号：CMB18N20A 编号：C5203925

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMB18N20A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种不同的领域。

数据手册

1+
￥2.36
10+
￥1.82
30+
￥1.59
100+
￥1.3
500+
￥1.21
800+
￥1.13

有货

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型号：IRFR5305-JSM 编号：C2874618

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

数据手册

1+
￥2.4 ￥3
10+
￥1.872 ￥2.34
30+
￥1.648 ￥2.06
100+
￥1.376 ￥1.72
500+
￥1.2 ￥1.5
1000+
￥1.128 ￥1.41

有货

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型号：AON7524 编号：C431195

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

N-CH

数据手册

1+
￥2.5
10+
￥1.98
30+
￥1.75
100+
￥1.47
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

有货

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型号：HYG090ND06LS1C2 编号：C2999758

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：HUAYI(华羿微)

特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 DC/DC 电源管理

数据手册

5+
￥2.5182
50+
￥2.026
150+
￥1.815
500+
￥1.3206
2500+
￥1.2034
5000+
￥1.1331

有货

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型号：TIP42C 编号：C410524

封装：ITO-220AB-3

品牌：ST(意法半导体)

互补硅功率晶体管

数据手册

1+
￥2.55
10+
￥1.97
50+
￥1.72
100+
￥1.41
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

有货

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型号：HSBB6115 编号：C845604

封装：PRPAK3x3-8L

品牌：HUASHUO(华朔)

HSBB6115 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

5+
￥2.56
50+
￥2.02
150+
￥1.78
500+
￥1.37
3000+
￥1.24
6000+
￥1.16

有货

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型号：AO4480 编号：C454185

封装：SOIC-8

品牌：AOS

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.2
30+
￥1.96
100+
￥1.67
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C5197322

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.23
30+
￥1.97
100+
￥1.64
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：SI4401DDY-T1-GE3 编号：C72317

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-40V,-16.1A,0.015Ω@-10V

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.25
30+
￥2
100+
￥1.68
500+
￥1.53
1000+
￥1.45

有货

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型号：SI7615ADN-T1-GE3 编号：C553966

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：适配器开关。电池开关

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.28
30+
￥2.02
100+
￥1.7
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

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型号：NCE40P70K 编号：C130101

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，40V，70A.

数据手册

1+
￥3.15
10+
￥2.42
30+
￥2.11
100+
￥1.72
500+
￥1.55
1000+
￥1.44

有货

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型号：WSD60N10GDN56 编号：C719101

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥3.474 ￥3.86
10+
￥2.826 ￥3.14
30+
￥2.547 ￥2.83
100+
￥2.196 ￥2.44
500+
￥1.638 ￥1.82
1000+
￥1.548 ￥1.72

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C41811

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.92
30+
￥2.61
100+
￥2.1185 ￥2.23
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

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型号：NCEP0178AK 编号：C216784

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道，100V，78A，7.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.06
30+
￥2.66
100+
￥2.17
500+
￥1.96
1000+
￥1.82

有货

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型号：PBSS4250X,115 编号：C477953

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT89（SC - 62）扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。互补PNP型：PBSS5250X

数据手册

1+
￥4.08
10+
￥3.38
30+
￥3.02
100+
￥2.5728 ￥2.68
500+
￥2.3712 ￥2.47
1000+
￥2.2656 ￥2.36

有货

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型号：IRF7351TRPBF 编号：C68403

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.58
10+
￥3.76
30+
￥3.35
100+
￥2.94
500+
￥2.25
1000+
￥2.13

有货

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型号：CSD25404Q3 编号：C2865523

封装：VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD25404Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥4.63
10+
￥3.98
30+
￥3.52
100+
￥3.14
500+
￥3.02
1000+
￥2.94

有货

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型号：IRFR9220TRPBF 编号：C3020

封装：TO-252(DPAK)

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-200V,-3.6A,1.5Ω@-10V

数据手册

1+
￥4.79
10+
￥3.89
30+
￥3.44
100+
￥2.99
500+
￥2.45
1000+
￥2.31

有货

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型号：SI7322DN-T1-GE3 编号：C141551

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：有无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行UIS测试。应用：初级开关。隔离式DC/DC转换器

数据手册

1+
￥5.07
10+
￥4.1
30+
￥3.62
100+
￥3.1086 ￥3.14
500+
￥2.8215 ￥2.85
1000+
￥2.6829 ￥2.71

有货

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型号：SIR876ADP-T1-GE3 编号：C114889

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC初级侧开关。电信/服务器48V，全/半桥DC/DC

数据手册

1+
￥6.37
10+
￥5.16
30+
￥4.55
100+
￥3.95
500+
￥3.21
1000+
￥3.03

有货

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型号：MLG30T65FDL-F 编号：C47967306

封装：TO-220F

品牌：minos(迈诺斯)

MLG30T65FDL-F IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A

1+
￥6.46
10+
￥5.38
50+
￥4.79
100+
￥4.12
500+
￥3.82
1000+
￥3.68

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