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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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CSD18534Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册
  • 1+

    ¥3.71
  • 10+

    ¥2.96
  • 30+

    ¥2.64
  • 100+

    ¥2.24
  • 500+

    ¥1.8
  • 1000+

    ¥1.69
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥1.0439
    • 50+

      ¥0.8138
    • 150+

      ¥0.7152
    • 500+

      ¥0.5921
    • 3000+

      ¥0.5373
    • 6000+

      ¥0.5044
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和超低的栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 RDS(ON) < 0.028Ω (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 0.03Ω (VGS = 4.5V)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0499
    • 50+

      ¥0.8249
    • 150+

      ¥0.7285
    • 500+

      ¥0.6082
    • 3000+

      ¥0.5321
    • 6000+

      ¥0.5
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装出色的热阻,该器件非常适合大电流应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1373
    • 50+

      ¥0.8898
    • 150+

      ¥0.7838
    • 500+

      ¥0.6515
    • 2500+

      ¥0.5354
    • 5000+

      ¥0.5
  • 有货
  • AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    • 5+

      ¥1.163
    • 50+

      ¥0.9364
    • 150+

      ¥0.8393
    • 500+

      ¥0.7181
    • 2500+

      ¥0.6394
    • 5000+

      ¥0.607
  • 有货
  • N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1883
    • 50+

      ¥1.0253
    • 150+

      ¥0.9437
    • 500+

      ¥0.8826
    • 3000+

      ¥0.7245
    • 6000+

      ¥0.7
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    • 5+

      ¥1.2058
    • 50+

      ¥0.9538
    • 150+

      ¥0.8458
    • 500+

      ¥0.7111
    • 2500+

      ¥0.6511
    • 5000+

      ¥0.615
  • 有货
  • 特性:VDS =-30V, ID =-12A。 RD(S(ON))(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(S(ON))(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用:PWM应用。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2731
    • 50+

      ¥1.1113
    • 150+

      ¥1.042
    • 500+

      ¥0.9554
    • 3000+

      ¥0.9169
    • 6000+

      ¥0.8938
  • 有货
  • 特性:VDS =-30V, ID =-12A。 RD(SON)(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(SON)(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用:PWM应用。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3047
    • 50+

      ¥1.0171
    • 150+

      ¥0.8939
    • 500+

      ¥0.7103
    • 3000+

      ¥0.6418
    • 6000+

      ¥0.6007
  • 有货
  • N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3975
    • 50+

      ¥1.1345
    • 150+

      ¥1.0218
    • 500+

      ¥0.8811
    • 3000+

      ¥0.7047
    • 6000+

      ¥0.6671
  • 有货
  • N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5337
    • 50+

      ¥1.1774
    • 150+

      ¥1.0034
    • 500+

      ¥0.8483
    • 2000+

      ¥0.8056
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 30mΩ (VGS = 4.5V)。 采用先进的沟槽技术。 具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 是无铅产品
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5401
    • 50+

      ¥1.184
    • 150+

      ¥1.0314
    • 500+

      ¥0.841
    • 2500+

      ¥0.7174
    • 5000+

      ¥0.6665
  • 有货
  • NPN中功率晶体管,采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6366
    • 50+

      ¥1.3105
    • 150+

      ¥1.1513
    • 1000+

      ¥1.0093
    • 2000+

      ¥0.9703
    • 5000+

      ¥0.9469
  • 订货
  • N沟道,55V,17A,65mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.645
    • 50+

      ¥1.2978
    • 150+

      ¥1.149
    • 500+

      ¥0.9633
    • 2000+

      ¥0.8897
    • 4000+

      ¥0.84
  • 有货
  • N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7487
    • 50+

      ¥1.3707
    • 150+

      ¥1.2087
    • 500+

      ¥1.0065
    • 3000+

      ¥0.9165
    • 6000+

      ¥0.8625
  • 有货
    • 5+

      ¥1.7649
    • 50+

      ¥1.4418
    • 150+

      ¥1.3034
    • 500+

      ¥1.1306
    • 2500+

      ¥0.9555
    • 5000+

      ¥0.9094
  • 有货
  • N沟道,200V,5A,600mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.775
    • 50+

      ¥1.4261
    • 150+

      ¥1.2766
    • 500+

      ¥0.9529
    • 2000+

      ¥0.8699
    • 4000+

      ¥0.82
  • 有货
  • P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8372
    • 50+

      ¥1.4588
    • 150+

      ¥1.2966
    • 500+

      ¥1.0942
    • 2000+

      ¥1.0041
    • 5000+

      ¥0.95
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V, ID = -14A。 RDS(ON) 88mΩ @ VGS = -10V (Typ)。 RDS(ON) 120mΩ @ VGS = -4.5V (Typ)。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8985
    • 50+

      ¥1.5105
    • 150+

      ¥1.3441
    • 500+

      ¥1.1366
    • 2500+

      ¥0.998
    • 5000+

      ¥0.9426
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V, ID = 20A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9013
    • 50+

      ¥1.485
    • 150+

      ¥1.3065
    • 500+

      ¥1.0839
    • 2500+

      ¥0.9848
    • 5000+

      ¥0.9253
  • 有货
  • AGM12N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    • 5+

      ¥1.950065 ¥2.0527
    • 50+

      ¥1.52874 ¥1.6092
    • 150+

      ¥1.348145 ¥1.4191
    • 500+

      ¥1.1229 ¥1.182
    • 2500+

      ¥0.96311 ¥1.0138
    • 5000+

      ¥0.90288 ¥0.9504
  • 有货
  • P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0725
    • 50+

      ¥1.5937
    • 150+

      ¥1.3885
    • 500+

      ¥1.1325
    • 2500+

      ¥1.0185
    • 5000+

      ¥0.95
  • 有货
  • 特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能
    • 1+

      ¥2.403 ¥2.67
    • 10+

      ¥1.908 ¥2.12
    • 30+

      ¥1.692 ¥1.88
    • 100+

      ¥1.422 ¥1.58
    • 500+

      ¥1.305 ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.233 ¥1.37
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    • 1+

      ¥2.5125 ¥3.35
    • 10+

      ¥2.0175 ¥2.69
    • 30+

      ¥1.8 ¥2.4
    • 100+

      ¥1.5375 ¥2.05
    • 500+

      ¥1.4175 ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.35 ¥1.8
  • 有货
  • P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.79
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.89
    • 100+

      ¥1.56
    • 500+

      ¥1.41
    • 1000+

      ¥1.32
  • 有货
  • NTD2955T4G Pin to PIN 标准参数Vth:3.0
    数据手册
    • 1+

      ¥3.12
    • 10+

      ¥2.46
    • 30+

      ¥2.17
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.48
  • 有货
  • CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥3.48
    • 10+

      ¥2.79
    • 30+

      ¥2.49
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.96
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • PNP 中功率晶体管系列,采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.31
    • 500+

      ¥2.09
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • CJAC80SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计,在实现低栅极电荷的同时,提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.12
    • 30+

      ¥2.79
    • 100+

      ¥2.47
    • 500+

      ¥2.18
    • 1000+

      ¥2.09
  • 有货
  • N沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。该先进技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.26
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.12
    • 100+

      ¥2.74
    • 500+

      ¥2.51
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
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