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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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1个N沟道 耐压:20V 电流:3.2A
型号：NTR4501NT1G 编号：C85416
封装：SOT-23
品牌：onsemi(安森美)
N沟道,20V,3.2A,80mΩ@4.5V
数据手册

  • 5+

    ￥0.7183

  • 50+

    ￥0.5714

  • 150+

    ￥0.4979

  • 500+

    ￥0.4428

  • 3000+

    ￥0.3987

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    ￥0.3766
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    N沟道MOSFET
    型号：HD304N090S 编号：C49423984
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 40V。ID = 40A。RDS(on)@VGS = 10V < 8.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 12mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。负载开关

    • 5+

      ￥0.7785

    • 50+

      ￥0.6201

    • 150+

      ￥0.5409

    • 500+

      ￥0.4815

    • 2500+

      ￥0.434

    • 5000+

      ￥0.4102
  • 有货
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    耐压:30V 电流:26A
    型号：AON7544 编号：C7202958
    封装：PDFN3x3-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@16A < 9mΩ。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@8A < 13mΩ。 高开关速度。 改善的dv/dt能力。 低栅极电荷。 低反向传输电容。应用：负载/电源开关。 接口开关

    • 5+

      ￥0.8117

    • 50+

      ￥0.6375

    • 150+

      ￥0.5504

    • 500+

      ￥0.485

    • 2500+

      ￥0.4328

    • 5000+

      ￥0.4066
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：40N06 编号：C668202
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）为 60V。 漏极电流（ID）为 40A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 14mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 16mΩ（VGS = 4.5V）。 无铅产品
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8264

    • 50+

      ￥0.6418

    • 150+

      ￥0.5495

    • 500+

      ￥0.4803

    • 2500+

      ￥0.3977

    • 5000+

      ￥0.37
  • 有货
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    耐压:20V 电流:4.5A
    型号：TPM20NB5D6 编号：C22358695
    封装：DFN2X2-6L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥0.86355 ￥0.909

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      ￥0.67203 ￥0.7074

    • 150+

      ￥0.58995 ￥0.621

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      ￥0.48754 ￥0.5132

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      ￥0.44194 ￥0.4652

    • 6000+

      ￥0.41458 ￥0.4364
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.3A
    型号：NDS331N 编号：C192741
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0253

    • 50+

      ￥0.8007

    • 150+

      ￥0.7045

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      ￥0.531

    • 6000+

      ￥0.499
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:9A
    型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1265

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      ￥0.8745

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      ￥0.7665

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      ￥0.5718

    • 6000+

      ￥0.5358
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
    型号：AGM18N10AP 编号：C7509649
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.163

    • 50+

      ￥0.9364

    • 150+

      ￥0.8393

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      ￥0.7181

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      ￥0.6394

    • 5000+

      ￥0.607
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:200V 电流:12A
    型号：AGM500P20D 编号：C17701063
    封装：TO-252
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM500P20D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.1978

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      ￥1.0509

    • 150+

      ￥0.9879

    • 500+

      ￥0.9093

    • 2500+

      ￥0.7976

    • 5000+

      ￥0.7766
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
    型号：2N7002BKW,115 编号：C455035
    封装：SC-70
    品牌：Nexperia(安世)
    N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT323 (SC- 70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2297

    • 50+

      ￥1.0608

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      ￥0.9764

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      ￥0.8311

    • 6000+

      ￥0.8058
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：TMG60N04NF 编号：C7422899
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,40V,60A,6.7mΩ@10v

    • 5+

      ￥1.26407 ￥1.3306

    • 50+

      ￥1.011845 ￥1.0651

    • 150+

      ￥0.903735 ￥0.9513

    • 500+

      ￥0.768835 ￥0.8093

    • 2500+

      ￥0.65873 ￥0.6934

    • 5000+

      ￥0.622725 ￥0.6555
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：AONR21357-ES 编号：C22379638
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-50A，5.8mΩ@-10.0V,-20A，-2.5V@-250μA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥1.2762

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      ￥0.9814

    • 150+

      ￥0.855

    • 500+

      ￥0.6974

    • 2500+

      ￥0.6272

    • 5000+

      ￥0.585
  • 有货
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    HD503N080SG
    型号：HD503N080SG 编号：C52766421
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥1.3093

    • 50+

      ￥1.0371

    • 150+

      ￥0.9205

    • 500+

      ￥0.7749

    • 2500+

      ￥0.7101
  • 有货
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    2个P沟道 耐压:30V 电流:8.9A
    型号：WSP4807 编号：C148417
    封装：SOP-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    特性：30V/-8.9A。 RDS(ON) = 21mΩ (max.) @ VGS = -10V。 RDS(ON) = 32mΩ (max.) @ VGS = -4.5V。 可靠耐用。 提供无铅和环保设备（符合 RoHS 标准）。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3615

    • 50+

      ￥1.0843

    • 150+

      ￥0.9655

    • 500+

      ￥0.8173

    • 3000+

      ￥0.6869

    • 6000+

      ￥0.6472
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：WSE3099 编号：C148359
    封装：SOT-89
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSP3099是一款高性能沟槽型P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.394

    • 50+

      ￥1.1017

    • 150+

      ￥0.9764

    • 1000+

      ￥0.8051

    • 2000+

      ￥0.7355

    • 5000+

      ￥0.6937
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道MOSFET
    型号：HP803P300S 编号：C49256765
    封装：SOP-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30V。 ID = -9.1A。 RDS(on)@VGS = -10V < 24mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 35mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：便携式设备的负载开关。 电池开关

    • 5+

      ￥1.5032

    • 50+

      ￥1.1908

    • 150+

      ￥1.0568

    • 500+

      ￥0.8897

    • 2500+

      ￥0.8153

    • 4000+

      ￥0.7707
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:40V 电流:53A
    型号：AOD4184A 编号：C5370959
    封装：TO-252-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：Vds = 60V。 ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ，Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ，Vgs = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5353

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      ￥1.1875

    • 150+

      ￥1.0385

    • 500+

      ￥0.8525

    • 2500+

      ￥0.7697

    • 5000+

      ￥0.72
  • 有货
    • 立即购买
    3V@10nA
    型号：MMBFJ175LT1G 编号：C133304
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5487

    • 50+

      ￥1.2355

    • 150+

      ￥1.1012

    • 500+

      ￥0.9337

    • 3000+

      ￥0.7713

    • 6000+

      ￥0.7266
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:4.5A
    型号：BSP318S 编号：C7472941
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：60V, 4A, RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。 高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。 坚固可靠。 获得无铅产品认证。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。 接口

    • 5+

      ￥1.612

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      ￥1.2592

    • 150+

      ￥1.108

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      ￥0.9194

    • 2500+

      ￥0.8354

    • 5000+

      ￥0.785
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:2A 电压:20V
    型号：BC868,115 编号：C130419
    封装：SOT-89
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN 中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6279

    • 50+

      ￥1.2886

    • 150+

      ￥1.1432

    • 1000+

      ￥0.9371

    • 2000+

      ￥0.8563

    • 5000+

      ￥0.8078
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
    型号：BSS138PW,115 编号：C193366
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,320mA
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6431

    • 50+

      ￥1.3038

    • 150+

      ￥1.1583

    • 500+

      ￥0.9769

    • 3000+

      ￥0.8705

    • 6000+

      ￥0.822
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA
    型号：BSS84,215 编号：C493579
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    P- 通道增强模式垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）晶体管，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7032

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      ￥1.3202

    • 150+

      ￥1.1561

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      ￥0.9513

    • 3000+

      ￥0.8602

    • 6000+

      ￥0.8054
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：IRF540NPBF-JSM 编号：C18187910
    封装：TO-220
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

    • 5+

      ￥1.7344 ￥2.168

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      ￥1.342 ￥1.6775

    • 150+

      ￥1.19512 ￥1.4939

    • 500+

      ￥1.01184 ￥1.2648

    • 2500+

      ￥0.93024 ￥1.1628

    • 5000+

      ￥0.88128 ￥1.1016
  • 有货
    • 立即购买
    60V 12A
    型号：HB06N750S 编号：C49423980
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 60 V。 ID = 12 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 75 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 90 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电源开关应用。 负载开关

    • 5+

      ￥1.736

    • 50+

      ￥1.3751

    • 150+

      ￥1.2205

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      ￥1.0275

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      ￥0.9416

    • 5000+

      ￥0.89
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：SI2300DS-T1-GE3 编号：C72271
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V
    数据手册

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      ￥1.7487

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    • 6000+

      ￥0.8625
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    30V 12A
    型号：HP803P140S 编号：C49423982
    封装：SOP-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30 V。 ID = -12 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 12 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 15 mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：便携式设备的负载开关。 电源开关应用

    • 5+

      ￥1.8184

    • 50+

      ￥1.4404

    • 150+

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      ￥0.9323
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    P沟道MOSFET
    型号：HB04P950S 编号：C49256763
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -40V。 I0 = -10A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 85mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 126mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用：DC-DC转换器。 负载开关

    • 5+

      ￥1.8184

    • 50+

      ￥1.4404

    • 150+

      ￥1.2784

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      ￥1.0763

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      ￥0.9863

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    NPN 电流:3A 电压:50V
    型号：PBSS4350X,115 编号：C135818
    封装：SOT-89
    品牌：Nexperia(安世)
    采用SOT89塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5350X。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8662

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    • 5000+

      ￥0.9617
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    耐压:60V 电流:20A
    型号：NTD5867NLT4G 编号：C5350885
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 60V, ID = 20A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.9013

    • 50+

      ￥1.485

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    • 5000+

      ￥0.9253
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002BKS,115 编号：C68181
    封装：SOT-363(SC-88)
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,300mA,1.6Ω@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥1.9126 ￥2.62

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      ￥1.3041 ￥2.07

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