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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
型号：SI2309 编号：C431496
封装：SOT-23-3L
品牌：BORN(伯恩半导体)
先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。
数据手册

  • 10+

    ￥0.4471

  • 100+

    ￥0.3679

  • 300+

    ￥0.3283

  • 3000+

    ￥0.2205

  • 6000+

    ￥0.1967

  • 9000+

    ￥0.1848
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 600mA 160V
    型号：MMBT5551T 编号：C49190731
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：与TPMMBT5401T互补。 适用于中功率放大和开关。 SOT-523封装

    • 20+

      ￥0.1454

    • 200+

      ￥0.1128

    • 600+

      ￥0.0946

    • 3000+

      ￥0.0837

    • 9000+

      ￥0.0743
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9013W 编号：C2919788
    封装：SOT-323
    品牌：CBI(创基)
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1661

    • 200+

      ￥0.1294

    • 600+

      ￥0.109

    • 3000+

      ￥0.0911

    • 9000+

      ￥0.0804

    • 21000+

      ￥0.0747
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.2A 电压:45V
    型号：BC857BS 编号：C5380688
    封装：SOT-363
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：一个封装内有两个晶体管。 减少组件数量和电路板空间。 晶体管之间无相互干扰
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1674 ￥0.186

    • 100+

      ￥0.13338 ￥0.1482

    • 300+

      ￥0.11448 ￥0.1272

    • 3000+

      ￥0.09369 ￥0.1041

    • 6000+

      ￥0.08379 ￥0.0931

    • 9000+

      ￥0.07848 ￥0.0872
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906-7-F 编号：C82762
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备PPAP能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1694

    • 200+

      ￥0.136

    • 600+

      ￥0.1175

    • 3000+

      ￥0.1063

    • 9000+

      ￥0.0967

    • 21000+

      ￥0.0915
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：AO3401 编号：C6575062
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：笔记本电脑电源管理。 开关应用

    • 20+

      ￥0.1694

    • 200+

      ￥0.1332

    • 600+

      ￥0.1131

    • 3000+

      ￥0.096

    • 9000+

      ￥0.0856

    • 21000+

      ￥0.0799
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.7A
    型号：FDN335N(UMW) 编号：C347512
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    这款额定电压为 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大程度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1717

    • 200+

      ￥0.1312

    • 600+

      ￥0.1087

    • 3000+

      ￥0.0881

    • 9000+

      ￥0.0764

    • 21000+

      ￥0.0701
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:750mA
    型号：CJ3134K KF 编号：C62503
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,20V,0.75A,380mΩ@4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1765

    • 200+

      ￥0.1415

    • 600+

      ￥0.1221

    • 2000+

      ￥0.1104

    • 8000+

      ￥0.1003

    • 16000+

      ￥0.0949
  • 有货
    • 立即购买
    hFE：Q档 NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC4617TLQ 编号：C308648
    封装：SOT-416
    品牌：ROHM(罗姆)
    通用小信号放大器 (50V, 150mA)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1926

    • 200+

      ￥0.1507

    • 600+

      ￥0.1274

    • 3000+

      ￥0.1134

    • 9000+

      ￥0.1013

    • 21000+

      ￥0.0948
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
    型号：FSS2305 编号：C2926136
    封装：SOT-23-3L
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2058

    • 200+

      ￥0.16

    • 600+

      ￥0.1346

    • 3000+

      ￥0.1193

    • 9000+

      ￥0.1061

    • 21000+

      ￥0.099
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：AO3401 编号：C2985640
    封装：SOT-23
    品牌：KUU
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2167

    • 100+

      ￥0.1681

    • 300+

      ￥0.1411

    • 3000+

      ￥0.121

    • 6000+

      ￥0.107

    • 9000+

      ￥0.0994
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:1.25A
    型号：SI2309 编号：C51912420
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    适用于电源开关和信号控制

    • 20+

      ￥0.224105 ￥0.2359

    • 200+

      ￥0.178505 ￥0.1879

    • 600+

      ￥0.155705 ￥0.1639

    • 3000+

      ￥0.138605 ￥0.1459

    • 9000+

      ￥0.124925 ￥0.1315

    • 30000+

      ￥0.118085 ￥0.1243
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A
    型号：SI2308 编号：C5337194
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，提供高达3A的连续电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.22654 ￥0.241

    • 200+

      ￥0.183112 ￥0.1948

    • 600+

      ￥0.159048 ￥0.1692

    • 3000+

      ￥0.13113 ￥0.1395

    • 9000+

      ￥0.118628 ￥0.1262

    • 21000+

      ￥0.11186 ￥0.119
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：2N2222A 编号：C118536
    封装：TO-92
    品牌：ST(先科)
    应用：开关。音频放大器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2306

    • 200+

      ￥0.1773

    • 1000+

      ￥0.1747

    • 2000+

      ￥0.1569

    • 10000+

      ￥0.1415

    • 20000+

      ￥0.1333
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.32A
    型号：TPM7002DFN3 编号：C521982
    封装：DFN1006-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS 60V。ID 340mA。RDS(ON) (at VGS=10V) <2.5ohm。RDS(ON) (at VGS=4.5V) <3.0ohm。应用：负载/电源开关。接口开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.231

    • 200+

      ￥0.1851

    • 600+

      ￥0.1596

    • 2000+

      ￥0.1443

    • 10000+

      ￥0.1177

    • 20000+

      ￥0.1105
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA
    型号：BSS84-7-F 编号：C85202
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2339

    • 200+

      ￥0.1834

    • 600+

      ￥0.1553

    • 3000+

      ￥0.1385

    • 9000+

      ￥0.1239

    • 21000+

      ￥0.1161
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:100V
    型号：FMMT493 编号：C5178957
    封装：SOT-23
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：互补型
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2427

    • 200+

      ￥0.1914

    • 600+

      ￥0.1629

    • 3000+

      ￥0.1377

    • 9000+

      ￥0.1229

    • 21000+

      ￥0.1149
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C700954
    封装：SOT-23
    品牌：HUASHUO(华朔)
    AO3401A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AO3401A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2516

    • 200+

      ￥0.1997

    • 600+

      ￥0.1738

    • 3000+

      ￥0.1354

    • 9000+

      ￥0.1198

    • 21000+

      ￥0.112
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:0.9A
    型号：WNM2021 编号：C2940608
    封装：SOT-323
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 20V。RDS(ON) = 300mΩ (typ.) @ VGS = 2.5V。RDS(ON) = 250mΩ (typ.) @ VGS = 4.5V。ESD Protected up to 2KV。应用：负载/电源开关。接口开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2631

    • 100+

      ￥0.2345

    • 300+

      ￥0.2202

    • 3000+

      ￥0.179

    • 6000+

      ￥0.1704

    • 9000+

      ￥0.1661
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C5122001
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = -30V，ID = -4.2A。RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = -2.5V。RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = -10V。应用：负载/电源开关。接口开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2649

    • 200+

      ￥0.2034

    • 600+

      ￥0.1692

    • 3000+

      ￥0.1444

    • 9000+

      ￥0.1266

    • 21000+

      ￥0.117
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:0.23A
    型号：2N7002DW-7-F 编号：C83571
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2877

    • 100+

      ￥0.2303

    • 300+

      ￥0.2016

    • 3000+

      ￥0.1801

    • 6000+

      ￥0.1629

    • 9000+

      ￥0.1543
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
    型号：AP5N10S 编号：C2849571
    封装：SOT-23-3L
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP5N10S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2973

    • 100+

      ￥0.2349

    • 300+

      ￥0.2037

    • 3000+

      ￥0.1803

    • 6000+

      ￥0.1615

    • 9000+

      ￥0.1522
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.5A
    型号：MMBF170LT1G 编号：C28871
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3591

    • 100+

      ￥0.2799

    • 300+

      ￥0.2403

    • 3000+

      ￥0.2106

    • 6000+

      ￥0.1868

    • 9000+

      ￥0.175
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
    型号：RC60P04Y 编号：C5137085
    封装：SOT-23L
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    特性：60V。4.0A。RDS(ON) = 90mΩ @VGS = -10V。RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V。高密单元设计，极低的RDS(ON)。坚固可靠
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3782

    • 100+

      ￥0.2984

    • 300+

      ￥0.2586

    • 3000+

      ￥0.2187

    • 6000+

      ￥0.1948

    • 9000+

      ￥0.1828
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：DOZ30N03 编号：C36499164
    封装：DFN3x3-8
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ)

    • 10+

      ￥0.3865

    • 100+

      ￥0.3078

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      ￥0.2684

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      ￥0.2389

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      ￥0.2153

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      ￥0.2035
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
    型号：AP9926 编号：C353066
    封装：SOP-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    SOP-8塑封封装N沟道PowerTrenchMOS双场效应管。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3948

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      ￥0.2974

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      ￥0.2121

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      ￥0.1829

    • 8000+

      ￥0.1682
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    PNP 电流:100mA 电压:30V
    型号：BC859C,215 编号：C454952
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用SOT23塑料封装的PNP晶体管。互补NPN晶体管型号为BC849和BC850。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3952

    • 100+

      ￥0.315

    • 300+

      ￥0.2749

    • 3000+

      ￥0.240002 ￥0.2449

    • 6000+

      ￥0.216384 ￥0.2208

    • 9000+

      ￥0.204624 ￥0.2088
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    N沟道,电流:20A,耐压:30V
    型号：20N03 编号：C19271469
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    阈值电压VGS:±20

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      ￥0.4053

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      ￥0.3196

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      ￥0.2768

    • 2500+

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      ￥0.1999

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      ￥0.1871
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    耐压:30V 电流:3A
    型号：SI2306BDS 编号：C19829417
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 30V，ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.424935 ￥0.4473

    • 100+

      ￥0.333735 ￥0.3513

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      ￥0.253935 ￥0.2673

    • 6000+

      ￥0.226575 ￥0.2385

    • 9000+

      ￥0.2128 ￥0.224
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.2A
    型号：AP4606C 编号：C2833151
    封装：SOP-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4311

    • 100+

      ￥0.3494

    • 300+

      ￥0.3086

    • 1000+

      ￥0.278

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      ￥0.2112

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