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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V
数据手册
  • 10+

    ¥0.4148
  • 100+

    ¥0.3341
  • 300+

    ¥0.2937
  • 3000+

    ¥0.2568
  • 6000+

    ¥0.2325
  • 9000+

    ¥0.2204
  • 有货
  • MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用,采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中,此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2219
    • 200+

      ¥0.1763
    • 600+

      ¥0.1509
    • 3000+

      ¥0.1303
    • 9000+

      ¥0.1172
    • 21000+

      ¥0.11
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    • 20+

      ¥0.2247
    • 200+

      ¥0.1788
    • 600+

      ¥0.1533
    • 3000+

      ¥0.121
    • 9000+

      ¥0.1077
    • 21000+

      ¥0.1006
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2255
    • 200+

      ¥0.1769
    • 600+

      ¥0.1499
    • 3000+

      ¥0.118
    • 9000+

      ¥0.1039
    • 21000+

      ¥0.0963
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2343
    • 200+

      ¥0.1838
    • 600+

      ¥0.1557
    • 2000+

      ¥0.1389
  • 有货
  • 应用:开关。音频放大器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2431
    • 200+

      ¥0.1895
    • 1000+

      ¥0.1869
    • 2000+

      ¥0.1691
    • 10000+

      ¥0.1536
    • 20000+

      ¥0.1453
  • 有货
  • P沟道,-30V,-2.7A,88mΩ@-10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2631
    • 100+

      ¥0.2123
    • 300+

      ¥0.187
    • 3000+

      ¥0.1571
    • 6000+

      ¥0.1418
    • 9000+

      ¥0.1342
  • 有货
  • 集基耐压:40V 特性:适合大电流高功率信号放大
    • 20+

      ¥0.2713
    • 200+

      ¥0.2065
    • 1000+

      ¥0.1705
    • 2000+

      ¥0.1489
    • 10000+

      ¥0.1301
    • 20000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 特性:VDS=20V,ID=6.3A,RDS(ON)≤21mΩ@VGS=4.5V。 快速开关。 超低导通电阻。 表面贴装器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.28367 ¥0.2986
    • 100+

      ¥0.2242 ¥0.236
    • 300+

      ¥0.194465 ¥0.2047
    • 3000+

      ¥0.172235 ¥0.1813
    • 6000+

      ¥0.154375 ¥0.1625
    • 9000+

      ¥0.145445 ¥0.1531
  • 有货
  • 特性:与2SB1132互补。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
    • 10+

      ¥0.2905
    • 100+

      ¥0.2287
    • 300+

      ¥0.1979
    • 1000+

      ¥0.1747
    • 5000+

      ¥0.1562
    • 10000+

      ¥0.1469
  • 有货
  • N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2966
    • 100+

      ¥0.239
    • 300+

      ¥0.2102
    • 3000+

      ¥0.1772
    • 6000+

      ¥0.1599
    • 9000+

      ¥0.1512
  • 有货
  • 30V,100mA NPN型通用晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.3045
    • 200+

      ¥0.2593
    • 600+

      ¥0.2343
    • 3000+

      ¥0.2192
    • 9000+

      ¥0.2061
    • 21000+

      ¥0.1991
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS = 30V。 ID = 8.5A。 RDS(ON) < 20mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3346
    • 50+

      ¥0.2937
    • 150+

      ¥0.2733
    • 500+

      ¥0.258
    • 3000+

      ¥0.2372
    • 6000+

      ¥0.2311
  • 有货
  • 功率 MOSFET,500 mA,60 V,N 沟道,SOT?23
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3638
    • 100+

      ¥0.2839
    • 300+

      ¥0.244
    • 3000+

      ¥0.2141
    • 6000+

      ¥0.1901
    • 9000+

      ¥0.1781
  • 有货
  • NPN通用晶体管,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    • 10+

      ¥0.3649
    • 100+

      ¥0.2912
    • 300+

      ¥0.2544
    • 3000+

      ¥0.2175
    • 6000+

      ¥0.1954
    • 9000+

      ¥0.1843
  • 有货
  • P沟道,60V,170mA,8Ω@10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3852
    • 100+

      ¥0.3123
    • 300+

      ¥0.2759
    • 3000+

      ¥0.2013
    • 6000+

      ¥0.1795
    • 9000+

      ¥0.1685
  • 有货
  • 丝印MY
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3865
    • 100+

      ¥0.3097
    • 300+

      ¥0.2713
    • 1000+

      ¥0.2361
    • 5000+

      ¥0.2131
    • 10000+

      ¥0.2016
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3986
    • 100+

      ¥0.317
    • 300+

      ¥0.2762
    • 3000+

      ¥0.2204
    • 6000+

      ¥0.1959
    • 9000+

      ¥0.1836
  • 有货
  • hFE:120-240,丝印:NY
    • 10+

      ¥0.4002
    • 100+

      ¥0.3222
    • 300+

      ¥0.2832
    • 1000+

      ¥0.2308
    • 5000+

      ¥0.2074
    • 10000+

      ¥0.1956
  • 有货
  • N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ)
    • 10+

      ¥0.405
    • 100+

      ¥0.3263
    • 300+

      ¥0.2869
    • 1000+

      ¥0.2574
    • 5000+

      ¥0.2338
    • 10000+

      ¥0.222
  • 有货
  • 特性:与2SC2873互补。 小型扁平封装。 适用于功率放大器和开关应用。 低饱和电压。 高速开关时间
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4251
    • 100+

      ¥0.3449
    • 300+

      ¥0.3048
    • 1000+

      ¥0.2502
    • 5000+

      ¥0.2261
    • 10000+

      ¥0.2141
  • 有货
  • 应用:负载/电源开关。接口开关。超小型便携式设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4254
    • 50+

      ¥0.3425
    • 150+

      ¥0.301
    • 500+

      ¥0.2699
    • 3000+

      ¥0.2168
    • 6000+

      ¥0.2044
  • 有货
  • P沟道,-60V,-185mA,6Ω@-10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4353
    • 100+

      ¥0.3451
    • 300+

      ¥0.3
    • 3000+

      ¥0.2662
    • 6000+

      ¥0.2391
    • 9000+

      ¥0.2256
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V,ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用:负载开关。 PWM应用
    • 10+

      ¥0.438425 ¥0.4615
    • 100+

      ¥0.347225 ¥0.3655
    • 300+

      ¥0.301625 ¥0.3175
    • 3000+

      ¥0.267425 ¥0.2815
    • 6000+

      ¥0.240065 ¥0.2527
    • 9000+

      ¥0.22629 ¥0.2382
  • 有货
  • 特性:-20V, -3.3A, RDS(ON) = 30mΩ@VGS = -4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用:笔记本电脑。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4682
    • 50+

      ¥0.3722
    • 150+

      ¥0.3242
    • 500+

      ¥0.2882
    • 3000+

      ¥0.2484
    • 6000+

      ¥0.234
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4908
    • 100+

      ¥0.3948
    • 300+

      ¥0.3468
    • 3000+

      ¥0.2783
    • 6000+

      ¥0.2495
    • 9000+

      ¥0.235
  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4919
    • 100+

      ¥0.3854
    • 300+

      ¥0.3321
    • 3000+

      ¥0.2922
    • 6000+

      ¥0.2602
    • 9000+

      ¥0.2442
  • 有货
  • 采用超小型SOT323(SC - 70)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5328
    • 50+

      ¥0.4189
    • 150+

      ¥0.362
    • 500+

      ¥0.3193
    • 3000+

      ¥0.2852
    • 6000+

      ¥0.2681
  • 有货
  • 采用SOT23(TO - 236AB)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号:PBSS4140T
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5473
    • 50+

      ¥0.441
    • 150+

      ¥0.3879
    • 500+

      ¥0.3481
    • 3000+

      ¥0.3109
    • 6000+

      ¥0.295
  • 有货
  • N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V,0.22A,1.6Ω
    数据手册
    • 5+

      ¥0.575
    • 50+

      ¥0.4742
    • 150+

      ¥0.4238
    • 500+

      ¥0.386
    • 3000+

      ¥0.3149
    • 6000+

      ¥0.2998
  • 有货
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