大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：S9013(RANGE:144-202) 编号：C16066

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与S9012互补。出色的hFE线性度

数据手册

20+
￥0.1731
200+
￥0.1359
1000+
￥0.1119
2000+
￥0.0995
10000+
￥0.0888
20000+
￥0.083

有货

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型号：BMS2302 编号：C22380730

封装：SOT-323

品牌：BORN(伯恩半导体)

2.1A 20V 59mΩ NMOS

20+
￥0.1743
200+
￥0.1354
600+
￥0.1138
3000+
￥0.098
9000+
￥0.0867
21000+
￥0.0807

有货

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型号：2N7002BKS 编号：C2912543

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：快速开关。有环保型产品。适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本负载开关。网络

数据手册

10+
￥0.1744
100+
￥0.1524
300+
￥0.1414
3000+
￥0.1331
6000+
￥0.1265
9000+
￥0.1232

有货

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型号：PMBT4401,215 编号：C81180

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号：PMBT4403。

数据手册

20+
￥0.1782
200+
￥0.1418
600+
￥0.1216
3000+
￥0.106
9000+
￥0.0955
21000+
￥0.0898

有货

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型号：MMBTA06LT1G 编号：C77760

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1887
200+
￥0.1465
600+
￥0.1231
3000+
￥0.0988
9000+
￥0.0866
21000+
￥0.08

有货

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型号：MMBT5401LT1G 编号：C21488

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.195
200+
￥0.1556
600+
￥0.1381
3000+
￥0.0961
9000+
￥0.0908
21000+
￥0.0873

有货

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型号：AO3404 编号：C5248044

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制

数据手册

20+
￥0.1962 ￥0.218
200+
￥0.15732 ￥0.1748
600+
￥0.13572 ￥0.1508
3000+
￥0.11457 ￥0.1273
9000+
￥0.10332 ￥0.1148
30000+
￥0.09729 ￥0.1081

有货

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型号：BC547B 编号：C713613

封装：TO-92

品牌：LGE(鲁光)

特性：高电压。与BC556、BC557、BC558互补

数据手册

20+
￥0.1989
200+
￥0.1588
1000+
￥0.1304
2000+
￥0.1171
10000+
￥0.1055
20000+
￥0.0992

有货

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型号：SI2306 编号：C181089

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：较低的导通电阻。可靠且耐用

数据手册

20+
￥0.20235 ￥0.213
200+
￥0.159695 ￥0.1681
600+
￥0.13604 ￥0.1432
3000+
￥0.11419 ￥0.1202
9000+
￥0.10184 ￥0.1072
21000+
￥0.09519 ￥0.1002

有货

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型号：AS2324 编号：C232272

封装：SOT-23

品牌：AnBon(安邦)

特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.203
200+
￥0.1593
600+
￥0.135
3000+
￥0.1285
9000+
￥0.1159
21000+
￥0.1091

有货

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型号：FSS2305 编号：C2926136

封装：SOT-23-3L

品牌：FOSAN(富捷/富信)

数据手册

20+
￥0.2076
200+
￥0.1618
600+
￥0.1364
3000+
￥0.1211
9000+
￥0.1079
21000+
￥0.1007

有货

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型号：AO3402A 编号：C347477

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。漏源击穿电压V(BR)DS < 90V。漏极电流ID = 4A。导通电阻RDS(ON) < 52mΩ（VGS = 10V）。导通电阻RDS(ON) < 65mΩ（VGS = 4.5V）。导通电阻RDS(ON) < 85mΩ（VGS = 2.5V）。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

20+
￥0.2104
200+
￥0.1576
600+
￥0.1283
3000+
￥0.1107
9000+
￥0.0954
21000+
￥0.0872

有货

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型号：FS3400 编号：C2844158

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.21654 ￥0.2406
200+
￥0.17037 ￥0.1893
600+
￥0.14472 ￥0.1608
3000+
￥0.12897 ￥0.1433
9000+
￥0.11556 ￥0.1284
21000+
￥0.10836 ￥0.1204

有货

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型号：CJ3404 编号：C71151

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V

数据手册

20+
￥0.2241
200+
￥0.1762
600+
￥0.1496
3000+
￥0.1337
9000+
￥0.1199
21000+
￥0.1124

有货

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型号：SI2300 编号：C727150

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

数据手册

20+
￥0.2242
200+
￥0.1809
600+
￥0.1568
3000+
￥0.1237
9000+
￥0.1111
21000+
￥0.1044

有货

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型号：BSS138PS 编号：C5224289

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.2351
50+
￥0.1789
150+
￥0.1477
500+
￥0.129
3000+
￥0.1128
6000+
￥0.104

有货

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型号：BSH103 编号：C22358686

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.2374
200+
￥0.1894
600+
￥0.1654
3000+
￥0.1474
9000+
￥0.133
21000+
￥0.1257

有货

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型号：BCM857BS 编号：C20426291

封装：SOT-363

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：一个封装中有两个晶体管。减少元件数量和电路板空间。晶体管之间无相互干扰

20+
￥0.2486
200+
￥0.2
600+
￥0.173
3000+
￥0.1456
9000+
￥0.1315
30000+
￥0.124

有货

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型号：DMG1013T-7 编号：C96676

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-0.46A,0.7Ω@-4.5V

数据手册

20+
￥0.255
200+
￥0.2056
600+
￥0.1781
3000+
￥0.1447
9000+
￥0.1304
21000+
￥0.1227

有货

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型号：BCX51-16 编号：C475643

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

特性：IC = -1 A。连续集电极电流饱和电压: -VCE(sat)：-500 mV @ -0.5 A。 -VCE(sat)：500 mV @ +0.5 A。获得第10和第16外延平面模具的互补NPN类型。互补类型：BCX54, BCX55, BCX56。应用：中功率开关或放大应用：自动对焦驱动和输出级

数据手册

10+
￥0.25992 ￥0.2736
100+
￥0.20843 ￥0.2194
300+
￥0.18259 ￥0.1922
1000+
￥0.14934 ￥0.1572
5000+
￥0.133855 ￥0.1409
10000+
￥0.12616 ￥0.1328

有货

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型号：BLM3400S3 编号：C5310944

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2728
100+
￥0.2155
300+
￥0.1868
3000+
￥0.1542
6000+
￥0.137
12000+
￥0.1284

有货

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型号：BSS84-7-F 编号：C85202

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.2817
100+
￥0.2298
300+
￥0.2039
3000+
￥0.1844
6000+
￥0.1689
9000+
￥0.1611

有货

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型号：BCX56 编号：C5345980

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管具有1A的电流处理能力和80V的耐压特性。其放大倍数介于100至250之间，适用于精密信号放大。在频率方面，它可支持高达130MHz的操作，确保信号传输的稳定性。适合用于对电子信号进行控制和放大的应用场合。

数据手册

10+
￥0.2946
100+
￥0.2393
300+
￥0.2117
1000+
￥0.1709
5000+
￥0.1543
10000+
￥0.146

有货

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型号：AP5N10S 编号：C2849571

封装：SOT-23-3L

品牌：ALLPOWER(铨力)

AP5N10S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。

数据手册

10+
￥0.2972
100+
￥0.2348
300+
￥0.2036
3000+
￥0.1802
6000+
￥0.1615
9000+
￥0.1521

有货

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型号：BC847CW,115 编号：C75567

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

NPN通用晶体管，采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

20+
￥0.3135
200+
￥0.2736
600+
￥0.2514
3000+
￥0.2373
9000+
￥0.2258
21000+
￥0.2196

有货

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型号：SI2323DS(UMW) 编号：C5346821

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = -30V。 ID = -4.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V)。应用：负载开关。 PA开关

数据手册

10+
￥0.3221
100+
￥0.2545
300+
￥0.2207
3000+
￥0.1883
6000+
￥0.168
9000+
￥0.1578

有货

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型号：CJ3415 编号：C2910186

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：优秀的RDS(ON)。低栅极电荷。低栅极电压。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

10+
￥0.323
100+
￥0.2653
300+
￥0.2365
3000+
￥0.2028
6000+
￥0.1855
9000+
￥0.1768

有货

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型号：NDS351AN 编号：C19829405

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

10+
￥0.3359
100+
￥0.2639
300+
￥0.2279
3000+
￥0.2009
6000+
￥0.1793
9000+
￥0.1685

有货

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型号：CJ2324 编号：C81053

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,100V,2A,234mΩ@10V；较BSS123具有更大的额定电流

数据手册

10+
￥0.34
100+
￥0.2766
300+
￥0.2448
3000+
￥0.1946
6000+
￥0.1756
9000+
￥0.1661

有货

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型号：2N7002 编号：C124475

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.3411
100+
￥0.2719
300+
￥0.2373
3000+
￥0.2114
6000+
￥0.1906
9000+
￥0.1802

有货

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