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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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价格(含税)
库存
操作
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
型号：SI2301 编号：C20628871
封装：SOT-23
品牌：FOSAN(富捷/富信)
小体积

  • 50+

    ￥0.08284 ￥0.0872

  • 500+

    ￥0.064315 ￥0.0677

  • 3000+

    ￥0.054055 ￥0.0569

  • 6000+

    ￥0.047975 ￥0.0505

  • 24000+

    ￥0.04256 ￥0.0448

  • 51000+

    ￥0.03971 ￥0.0418
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904T 编号：C2897486
    封装：SOT-523
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：简化电路设计。 符合RoHS标准。 环保电磁兼容性
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0879

    • 500+

      ￥0.0701

    • 3000+

      ￥0.0577

    • 6000+

      ￥0.0518

    • 24000+

      ￥0.0466

    • 51000+

      ￥0.0438
  • 有货
    • 立即购买
    J3Y(J3Y表示丝印) NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2836081
    封装：SOT-523
    品牌：CBI(创基)
    J3Y(J3Y表示丝印)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0951

    • 500+

      ￥0.0756

    • 3000+

      ￥0.0605

    • 6000+

      ￥0.054

    • 24000+

      ￥0.0484

    • 51000+

      ￥0.0454
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-40 编号：C85078
    封装：SOT-23
    品牌：ST(先科)
    应用：便携式设备。小负载开关晶体管
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0972

    • 500+

      ￥0.0769

    • 3000+

      ￥0.0623

    • 6000+

      ￥0.0556

    • 24000+

      ￥0.0497
  • 有货
    • 立即购买
    丝印2T PNP 电流:0.6A 电压:40V
    型号：MMBT4403 编号：C8513
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印2T
    数据手册

    • 50+

      ￥0.102

    • 500+

      ￥0.0811

    • 3000+

      ￥0.0695

    • 6000+

      ￥0.0625

    • 24000+

      ￥0.0564
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.5A 电压:45V
    型号：BC807-16 编号：C41375133
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：功率耗散：300mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值260℃

    • 50+

      ￥0.1036

    • 500+

      ￥0.0805

    • 3000+

      ￥0.0676

    • 6000+

      ￥0.0599

    • 24000+

      ￥0.0532

    • 51000+

      ￥0.0496
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMBT2907A-6AF 编号：C48587178
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 60V,耗散功率(Pd): 250mW

    • 50+

      ￥0.1067

    • 500+

      ￥0.0823

    • 3000+

      ￥0.0687

    • 6000+

      ￥0.0606

    • 24000+

      ￥0.0535

    • 51000+

      ￥0.0497
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：DO3400D 编号：C41384542
    封装：SOT-23
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/30V/5A/30mΩ/(典型25mΩ)

    • 50+

      ￥0.1085

    • 500+

      ￥0.0853

    • 3000+

      ￥0.0724

    • 6000+

      ￥0.0647

    • 24000+

      ￥0.058

    • 51000+

      ￥0.0543
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1500mA 电压:50V
    型号：LH8050QLT1G 编号：C132810
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：紧凑型封装，高电流容量：IC = 1.5A。 外延平面型。 有无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1091

    • 500+

      ￥0.0854

    • 3000+

      ￥0.0722

    • 6000+

      ￥0.0642

    • 24000+

      ￥0.0574

    • 51000+

      ￥0.0537
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：LBSS138LT1G 编号：C8490
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1213

    • 500+

      ￥0.0934

    • 3000+

      ￥0.078

    • 6000+

      ￥0.0687

    • 24000+

      ￥0.0606

    • 51000+

      ￥0.0563
  • 有货
    • 立即购买
    B档(220-475) PNP 电压:45V
    型号：BC857 编号：C148244
    封装：SOT-23
    品牌：ST(先科)
    B档(220-475) PNP 电压:45V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1228

    • 500+

      ￥0.0968

    • 3000+

      ￥0.0795

    • 6000+

      ￥0.0709

    • 24000+

      ￥0.0634
  • 有货
    • 立即购买
    100~300 PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906T(RANGE:100-300) 编号：C61615
    封装：SOT-523
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补NPN类型。 也有无铅版本
    数据手册

    • 50+

      ￥0.127

    • 500+

      ￥0.1011

    • 3000+

      ￥0.0829

    • 6000+

      ￥0.0742
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904T 编号：C2961250
    封装：SOT-523
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与MMBT3906T互补。 小封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.129

    • 500+

      ￥0.1047

    • 3000+

      ￥0.0912

    • 6000+

      ￥0.0831
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
    型号：LBSS84LT1G 编号：C8492
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1358

    • 500+

      ￥0.1055

    • 3000+

      ￥0.0841

    • 6000+

      ￥0.074

    • 24000+

      ￥0.0653

    • 51000+

      ￥0.0606
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123 编号：C5184436
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级N沟道MOSFET采用小巧SOT-23封装，适用于100V高压系统，额定电流为0.2A，特别适合于低功耗电子设备的电源开关和信号控制。具备卓越的低导通电阻与快速切换性能，有效提升能效并确保在各类应用中的稳定运行。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.136524 ￥0.1468

    • 200+

      ￥0.110949 ￥0.1193

    • 600+

      ￥0.09672 ￥0.104

    • 3000+

      ￥0.078027 ￥0.0839

    • 9000+

      ￥0.070587 ￥0.0759

    • 21000+

      ￥0.066681 ￥0.0717
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：PMST3904,115 编号：C183270
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP开关晶体管，采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号：PMST3906
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1382

    • 200+

      ￥0.1076

    • 600+

      ￥0.0907

    • 3000+

      ￥0.0805

    • 9000+

      ￥0.0717

    • 21000+

      ￥0.0669
  • 有货
    • 立即购买
    电流:600mA 电压:160V
    型号：2N5551S-RTK/P 编号：C112669
    封装：SOT-23
    品牌：KEC
    特性：高集电极击穿电压：VCBO = 180V，VCEO = 160V。 低泄漏电流：ICBO = 50mA(Max.)，VCP = 120V。 低饱和电压：VCE(sat) = 0.2V(Max.)，IC = 50mA，IB = 5mA。 低噪声：NF = 8dB (Max.)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1384

    • 500+

      ￥0.1094

    • 3000+

      ￥0.0851

    • 6000+

      ￥0.0755

    • 24000+

      ￥0.0671

    • 51000+

      ￥0.0625
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：RC3415P 编号：C5137077
    封装：SOT-23
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    特性：VDS = -20V。 ID = 4A (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 60mΩ (VGS = -2.5V)。 RDS(ON) < 100mΩ (VGS = -1.8V)。 ESD 额定值：2000V HBM
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1468

    • 200+

      ￥0.1281

    • 600+

      ￥0.1177

    • 3000+

      ￥0.1065

    • 9000+

      ￥0.1011

    • 21000+

      ￥0.0982
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:1.6A
    型号：IRLML0100TR(UMW) 编号：C5447657
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

    • 20+

      ￥0.1518

    • 200+

      ￥0.1305

    • 600+

      ￥0.1186

    • 3000+

      ￥0.1115

    • 9000+

      ￥0.1054

    • 21000+

      ￥0.102
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.5A 电压:60V
    型号：MMBTA55 编号：C5766315
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款三极管为PNP型，适用于精密信号放大。其电流为0.5A，最大电压60V，放大倍数介于100-400之间，能在50MHz频率下稳定工作。它的高性能和稳定的电气特性，适合用于对信号处理有严格要求的场合。

    • 20+

      ￥0.153822 ￥0.1654

    • 200+

      ￥0.123039 ￥0.1323

    • 600+

      ￥0.105927 ￥0.1139

    • 3000+

      ￥0.091884 ￥0.0988

    • 9000+

      ￥0.083049 ￥0.0893

    • 21000+

      ￥0.078213 ￥0.0841
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 600mA 150V
    型号：MMBT5401T 编号：C49190680
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：与TP MMBT5551T互补。 小表面贴装封装。 适用于中功率放大和开关

    • 20+

      ￥0.1566

    • 200+

      ￥0.1209

    • 600+

      ￥0.1012

    • 3000+

      ￥0.0893

    • 9000+

      ￥0.079
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:2.6A
    型号：IRLML2246TR(UMW) 编号：C5340727
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，可提供具有低栅极电荷的出色导通电阻。该器件适用于用作负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1613

    • 200+

      ￥0.1394

    • 600+

      ￥0.1272

    • 3000+

      ￥0.1199

    • 9000+

      ￥0.1136

    • 21000+

      ￥0.1102
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：2N7002KW 编号：C504047
    封装：SOT-323
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD 保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1703

    • 200+

      ￥0.1347

    • 600+

      ￥0.1149
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002BKS 编号：C2912543
    封装：SOT-363
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：快速开关。 有环保型产品。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本负载开关。 网络
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1744

    • 100+

      ￥0.1524

    • 300+

      ￥0.1414

    • 3000+

      ￥0.1331

    • 6000+

      ￥0.1265

    • 9000+

      ￥0.1232
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C700954
    封装：SOT-23
    品牌：HUASHUO(华朔)
    AO3401A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AO3401A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1813

    • 200+

      ￥0.1597

    • 600+

      ￥0.1489

    • 3000+

      ￥0.1218

    • 9000+

      ￥0.1153

    • 21000+

      ￥0.112
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：LMBT3904DW1T1G 编号：C131781
    封装：SC-88
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序文件。 低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)） ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 采用8mm、7英寸/3000单位的卷带包装。 直流电流增益（hFE）为100-300
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
    型号：CJE3134K 编号：C504104
    封装：SOT-523
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：高端开关。 低导通电阻。 低阈值。 快速开关速度。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222ATT1G 编号：C94417
    封装：SC-75(SOT-523)
    品牌：onsemi(安森美)
    这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-416/SC-75封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。
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    NPN 电流:0.1A 电压:45V
    型号：BC547 编号：C47089404
    封装：TO-92
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：高电压。 与BC556、BC557、BC558互补

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:2.6A
    型号：AO3403A 编号：C545577
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS(V) = -30V。 ID = -2.6A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 103mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 139mΩ (VGS = -4.5V)
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