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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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PNP 电流:3A 电压:100V
型号：PHPT61003PYX 编号：C552670
封装：LFPAK56(PowerSO-8)
品牌：Nexperia(安世)
采用SOT669（LFPAK56）表面贴装器件（SMD）功率塑料封装的PNP大功率双极型晶体管。互补NPN型：PHPT61003NY
数据手册

  • 1500+

    ￥1.51872

  • 1500+

    ￥1.45092
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PNP 电流:6A 电压:100V
型号：PHPT61006PYX 编号：C552672
封装：SOT-669
品牌：Nexperia(安世)
采用SOT669（LFPAK56）表面贴装器件（SMD）功率塑料封装的PNP大功率双极晶体管。NPN互补型号：PHPT61006NY
数据手册

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    ￥5.03

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    ￥3.32
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:280A
    型号：IRFS7437PBF-VB 编号：C19190202
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率和高电压的场合，可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；280A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

    • 10+

      ￥6.3585

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      ￥6.123

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      ￥5.652

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      ￥5.4165

    • 2000+

      ￥5.181
    我要订货
    1个N沟道 耐压:40V 电流:280A
    型号：IRLS3034PBF-VB 编号：C19711338
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率和高电压的场合，可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；280A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

    • 10+

      ￥6.3585

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:280A
    型号：IPB180N04S4-00-VB 编号：C20755009
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率和高电压的场合，可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；280A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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      ￥6.3585

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      ￥6.123

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      ￥5.652

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:280A
    型号：IRF2804SPBF-VB 编号：C7525048
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率和高电压的场合，可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；280A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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      ￥6.3585

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:280A
    型号：110N04UJ-VB 编号：C20755632
    封装：TO-263
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率和高电压的场合，可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；280A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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      ￥6.3585

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      ￥6.123

    • 200+

      ￥5.652

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      ￥5.4165

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      ￥5.181
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    2N3055G
    型号：2N3055G 编号：C606343
    封装：TO-204
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极功率晶体管适用于大功率放大器和开关放大器应用。 2N3055 (NPN) 和 MJ2955 (PNP) 为互补器件。
    数据手册

    • 单价：

      ￥14.353416 / 个
    我要订货
    PNP 电流:15A 电压:60V
    型号：MJ2955G 编号：C223588
    封装：TO-204
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极功率晶体管适用于大功率放大器和开关放大器应用。 2N3055 (NPN) 和 MJ2955 (PNP) 为互补器件。
    数据手册

    • 单价：

      ￥15.033816 / 个
    我要订货
    MJL21195G
    型号：MJL21195G 编号：C328033
    封装：TO-264-3
    品牌：onsemi(安森美)
    MJL21195 和 MJL21196 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术，针对大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用而设计。
    数据手册

    • 单价：

      ￥16.416756 / 个
    我要订货
    MJW21193G
    型号：MJW21193G 编号：C328035
    封装：TO-247-3
    品牌：onsemi(安森美)
    MJW21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术，专用于大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用。
    数据手册

    • 单价：

      ￥16.466112 / 个
    我要订货
    MJW18020G
    型号：MJW18020G 编号：C463083
    封装：TO-247-3
    品牌：onsemi(安森美)
    MJW18020 平面高压功率晶体管专门设计用于电机控制应用，大功率电源和 UPS，其直流电和开关参数的高再现性可最大程度地减少电桥配置中的死区时间。
    数据手册

    • 单价：

      ￥24.270084 / 个
    我要订货
    预售商品
    VBL1401
    型号：VBL1401 编号：C42412603
    封装：TO-263
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    TO263；N—Channel沟道,40V；280A；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率和高电压的场合，可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。

    • 10+

      ￥6.3585

    • 100+

      ￥6.123

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      ￥5.652

    • 1000+

      ￥5.4165

    • 2000+

      ￥5.181
    我要订货
    预售商品
    VBL7401
    型号：VBL7401 编号：C42412852
    封装：TO-263-7L
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    TO263-7；N—Channel沟道,40V；350A；RDS(ON)=0.84mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；是一款采用Trench技术双N型效应晶体管，适用于大功率电路控制和高电压应用。

    • 1+

      ￥9.555

    • 50+

      ￥8.82

    • 100+

      ￥8.4525

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      ￥8.232

    • 1000+

      ￥8.085
    我要订货
    NPN 电流:6A 电压:100V
    型号：TIP41C 编号：C963394
    封装：TO-220
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于大功率、高电流开关及放大电路而设计，是电子工程师的理想选择。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.210965 ￥1.2747

    • 50+

      ￥0.87229 ￥0.9182

    • 150+

      ￥0.76057 ￥0.8006

    • 500+

      ￥0.621205 ￥0.6539

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      ￥0.55917 ￥0.5886

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      ￥0.52193 ￥0.5494
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
    型号：IRLZ44NPBF-HXY 编号：C22367197
    封装：TO-220
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。

    • 1+

      ￥2.3994 ￥2.58

    • 10+

      ￥1.9437 ￥2.09

    • 50+

      ￥1.7019 ￥1.83

    • 100+

      ￥1.4601 ￥1.57

    • 500+

      ￥1.3485 ￥1.45

    • 1000+

      ￥1.2834 ￥1.38
  • 有货
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    PNP 电流:6A 电压:100V
    型号：TIP42C 编号：C2900601
    封装：TO-220
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于大功率开关电路与中等放大需求，是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.09956 ￥1.2936

    • 50+

      ￥0.774265 ￥0.9109

    • 150+

      ￥0.675155 ￥0.7943

    • 500+

      ￥0.551395 ￥0.6487

    • 2000+

      ￥0.496315 ￥0.5839

    • 5000+

      ￥0.46325 ￥0.545
  • 有货
    • 立即购买
    (Y档) NPN 电流:3A 电压:30V
    型号：D882 编号：C181187
    封装：SOT-89
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与B772互补。 大功率耗散。 表面贴装器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.30723 ￥0.3234

    • 100+

      ￥0.253365 ￥0.2667

    • 300+

      ￥0.22648 ￥0.2384

    • 1000+

      ￥0.17556 ￥0.1848

    • 5000+

      ￥0.15941 ￥0.1678

    • 10000+

      ￥0.151335 ￥0.1593
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:8A 电压:80V
    型号：MJD45H11T4G 编号：C41421809
    封装：TO-252
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于大功率、高电流开关及放大电路而设计，是电子工程师的理想选择。

    • 5+

      ￥1.5304

    • 50+

      ￥1.1776

    • 150+

      ￥1.0264

    • 500+

      ￥0.8377

    • 2500+

      ￥0.8097
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:65A
    型号：BSC097N06NS-HXY 编号：C20606225
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，能承载高达65A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备低导通电阻与高效散热性能，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。

    • 1+

      ￥1.7572 ￥1.91

    • 10+

      ￥1.5548 ￥1.69

    • 30+

      ￥1.4628 ￥1.59

    • 100+

      ￥1.3616 ￥1.48

    • 500+

      ￥1.242 ￥1.35

    • 1000+

      ￥1.2144 ￥1.32
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:125A
    型号：BSC0702LS-HXY 编号：C20606289
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款高性能N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为处理高电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和高达125A的连续电流能力，尤其适用于电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合，提供卓越的导通性能与散热效率，是现代高效电子设备的核心组件。

    • 1+

      ￥2.79 ￥3

    • 10+

      ￥2.5296 ￥2.72

    • 30+

      ￥2.4087 ￥2.59

    • 100+

      ￥2.2785 ￥2.45

    • 500+

      ￥1.9158 ￥2.06

    • 1000+

      ￥1.8786 ￥2.02
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C5443972
    封装：SOT-23
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    特性：与 S8550 配对。 最大功率耗散 300mW。 高稳定性和高可靠性
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0465

    • 1000+

      ￥0.0362

    • 3000+

      ￥0.0305

    • 9000+

      ￥0.0271
  • 有货
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    MS400N06HTL
    型号：MS400N06HTL 编号：C51927915
    封装：TOLL-8
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款MS400N06HTL场效应管采用1个N沟道设计，应用了先进的大电流TOLL封装，兼具优异电学性能与良好热稳定性60V漏源电压VDSS搭配400A最大漏极电流ID，内阻低至1.1MR器件依托先进封装与制造工艺，实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行，广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景，精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求(XRS400N06HTLS400N06HTL)。

    • 1+

      ￥7.86

    • 10+

      ￥6.54

    • 30+

      ￥5.82

    • 100+

      ￥5.01

    • 500+

      ￥4.64

    • 1000+

      ￥4.48
  • 有货
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    SI7114DN-T1-E3-MS
    型号：SI7114DN-T1-E3-MS 编号：C51908853
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款SI7114DN-T1-E3-MS场效应管采用1个N沟道设计，采用 DFN3X3-8L紧凑型封装，精准适配高功率密度与高效能应用设计需求；30V漏源电压VDSS为基础，搭配低至6mΩ的导通电阻RDS与高达60A的漏极电流ID承载能力，实现 “低损耗 + 高电流” 的性能协同，有效降低功耗的同时保障强功率输出。器件广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景，凭借卓越的电流处理能力与能效表现，成为优化系统性能、提升节能效果的重要半导体元件。

    • 1+

      ￥4.47

    • 10+

      ￥3.62

    • 30+

      ￥3.2

    • 100+

      ￥2.79

    • 500+

      ￥2.54
  • 有货
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    N沟道增强型屏蔽栅沟槽功率MOSFET
    型号：NSH110N15P5 编号：C46352556
    封装：PDFN5x6-8
    品牌：NH(纽航)
    低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

    • 1+

      ￥6.01

    • 10+

      ￥4.81

    • 30+

      ￥4.21

    • 100+

      ￥3.61

    • 500+

      ￥3.26

    • 1000+

      ￥3.07
  • 有货
    • 立即购买
    MSCEP023N10LL
    型号：MSCEP023N10LL 编号：C51908859
    封装：TOLL-8
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款MSCEP023N10LL场效应管采用1个N沟道设计，应用了先进的大电流TOLL封装，兼具优异电学性能与良好热稳定性100V漏源电压VDSS搭配300A最大漏极电流ID，器件依托先进封装与制造工艺，实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行，广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景，精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求(NCEP023N10LL)。

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    MS8003L-TOLL8
    型号：MS8003L-TOLL8 编号：C51908858
    封装：TOLL-8
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款MS8003L-TOLL8场效应管采用1个N沟道设计，应用了先进的大电流TOLL封装，兼具优异电学性能与良好热稳定性100V漏源电压VDSS搭配383A最大漏极电流ID，器件依托先进封装与制造工艺，实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行，广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景，精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。

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    IPT015N10NF2SATMA1-MS
    型号：IPT015N10NF2SATMA1-MS 编号：C51908857
    封装：TOLL-8
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款IPT015N10NF2SATMA1-MS场效应管采用1个N沟道设计，应用了先进的大电流TOLL封装，兼具优异电学性能与良好热稳定性100V漏源电压VDSS搭配350A最大漏极电流ID，可稳定承载大功率需求1.4mΩ低导通电阻RDON从核心参数层面降低能量损耗。器件依托先进封装与制造工艺，实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行，广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景，精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。

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    N沟道增强型屏蔽栅沟槽功率MOSFET
    型号：NSH110N15C 编号：C46352559
    封装：TO-220C
    品牌：NH(纽航)
    低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

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    N沟道增强型屏蔽栅沟槽功率MOSFET
    型号：NSH079N15D 编号：C46352553
    封装：TO-263
    品牌：NH(纽航)
    低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。

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