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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
型号：2N7002T 编号：C5224243
封装：SOT-523
品牌：ElecSuper(静芯)
带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
数据手册

  • 20+

    ￥0.1515

  • 200+

    ￥0.1189

  • 600+

    ￥0.1008

  • 3000+

    ￥0.0899

  • 9000+

    ￥0.0805

  • 21000+

    ￥0.0754
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=120~200 PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550(RANGE:120-200) 编号：C105430
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    hfe=120~200
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1013

    • 500+

      ￥0.0807

    • 3000+

      ￥0.0655

    • 6000+

      ￥0.0587

    • 24000+

      ￥0.0527
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:40V
    型号：PMBS3904,215 编号：C8668
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用塑料SOT23封装的NPN晶体管。互补PNP型晶体管：PMBS3906。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1033

    • 500+

      ￥0.0796

    • 3000+

      ￥0.0664

    • 6000+

      ￥0.0584

    • 24000+

      ￥0.0516

    • 51000+

      ￥0.0479
  • 有货
    • 立即购买
    丝印2T PNP 电流:0.6A 电压:40V
    型号：MMBT4403 编号：C8513
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印2T
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1062

    • 500+

      ￥0.0852

    • 3000+

      ￥0.0735

    • 6000+

      ￥0.0665

    • 24000+

      ￥0.0604

    • 51000+

      ￥0.0571
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1500mA 电压:50V
    型号：LH8050QLT1G 编号：C132810
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：紧凑型封装，高电流容量：IC = 1.5A。 外延平面型。 有无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1193

    • 500+

      ￥0.0926

    • 3000+

      ￥0.0778

    • 6000+

      ￥0.0688

    • 24000+

      ￥0.0611

    • 51000+

      ￥0.057
  • 有货
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    100~300 NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904T(RANGE:100-300) 编号：C61616
    封装：SOT-523
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与MMBT3906T互补。 小封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.128

    • 500+

      ￥0.1026

    • 3000+

      ￥0.0885

    • 6000+

      ￥0.0801

    • 24000+

      ￥0.0728
  • 有货
    • 立即购买
    NPN+PNP 电流:100mA 电压:65V
    型号：LBC846BPDW1T1G 编号：C189598
    封装：SOT-363(SC-88)
    品牌：LRC(乐山无线电)
    这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-363/SC-88封装，适用于低功率表面贴装应用。产品材料符合RoHS要求。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1323

    • 200+

      ￥0.1049

    • 600+

      ￥0.0897

    • 3000+

      ￥0.0806

    • 9000+

      ￥0.0727

    • 21000+

      ￥0.0685
  • 有货
    • 立即购买
    NPN+PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：LMBT3946DW1T1G 编号：C136169
    封装：SC-88
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。 低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)） ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 直流电流增益（hFE）为100-300
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1352

    • 200+

      ￥0.1055

    • 600+

      ￥0.089

    • 3000+

      ￥0.0791

    • 9000+

      ￥0.0706

    • 21000+

      ￥0.0659
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：FS3401M 编号：C2936839
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1391

    • 200+

      ￥0.1062

    • 600+

      ￥0.0879

    • 3000+

      ￥0.0824

    • 9000+

      ￥0.0729

    • 21000+

      ￥0.0678
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMST3904 编号：C54879
    封装：SOT-323
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与MMST3906互补
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1444

    • 200+

      ￥0.1157

    • 600+

      ￥0.0998

    • 3000+

      ￥0.0903

    • 9000+

      ￥0.082

    • 21000+

      ￥0.0776
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050T 编号：C22435136
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款是NPN型BJT三极管,较高电流处理能力,中等频率信号处理。广泛应用于消费电子、通信设备以及各种家用电器等领域。

    • 20+

      ￥0.1477

    • 200+

      ￥0.1153

    • 600+

      ￥0.0973

    • 3000+

      ￥0.0865

    • 9000+

      ￥0.0771

    • 21000+

      ￥0.072
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A
    型号：SI2306 编号：C727154
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.16A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：47mΩ@10V,3.5A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1611

    • 200+

      ￥0.1398

    • 600+

      ￥0.1279

    • 3000+

      ￥0.1208

    • 9000+

      ￥0.1146

    • 21000+

      ￥0.1113
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:16V 电流:3A
    型号：SK2301AA 编号：C118316
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：20V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(MAX) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 150mΩ(MAX) @VGS = -2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
    数据手册

    • 20+

      ￥0.167865 ￥0.1767

    • 200+

      ￥0.13205 ￥0.139

    • 600+

      ￥0.112195 ￥0.1181

    • 3000+

      ￥0.10089 ￥0.1062

    • 9000+

      ￥0.090535 ￥0.0953

    • 21000+

      ￥0.08493 ￥0.0894
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：L2N7002DW1T1G 编号：C383161
    封装：SC-88
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,60V,115mA
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1707

    • 200+

      ￥0.1321

    • 600+

      ￥0.1106

    • 3000+

      ￥0.0978

    • 9000+

      ￥0.0866

    • 21000+

      ￥0.0806
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：SI2302DS 编号：C5310967
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1754

    • 200+

      ￥0.1368

    • 600+

      ￥0.1154

    • 3000+

      ￥0.0959

    • 9000+

      ￥0.0847

    • 21000+

      ￥0.0787
  • 有货
    • 立即购买
    1D 100~200 NPN 电流:300mA 电压:300V
    型号：MMBTA42(RANGE:100-200) 编号：C8515
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 与MMBTA92（PNP）互补
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1885

    • 200+

      ￥0.1517

    • 600+

      ￥0.1312

    • 3000+

      ￥0.1162

    • 9000+

      ￥0.1055

    • 21000+

      ￥0.0998
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401 编号：C5296722
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.191505 ￥0.2253

    • 200+

      ￥0.150195 ￥0.1767

    • 600+

      ￥0.127245 ￥0.1497

    • 3000+

      ￥0.10795 ￥0.127

    • 9000+

      ￥0.095965 ￥0.1129

    • 21000+

      ￥0.089505 ￥0.1053
  • 有货
    • 立即购买
    原厂变更型号，性能完全一致。对应老型号为：AO3401 P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：SK3401 编号：C122851
    封装：SC-59
    品牌：SHIKUES(时科)
    原厂变更型号，性能完全一致。对应老型号为：AO3401
    数据手册

    • 10+

      ￥0.20919 ￥0.2202

    • 100+

      ￥0.18487 ￥0.1946

    • 300+

      ￥0.17271 ￥0.1818

    • 3000+

      ￥0.15998 ￥0.1684

    • 6000+

      ￥0.152665 ￥0.1607

    • 9000+

      ￥0.149055 ￥0.1569
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
    型号：DMG1012T 编号：C2830301
    封装：SOT-523
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2138

    • 200+

      ￥0.1618

    • 600+

      ￥0.133

    • 3000+

      ￥0.1157

    • 9000+

      ￥0.1007

    • 21000+

      ￥0.0926
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:5.8A
    型号：FS3400 编号：C2844158
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.21654 ￥0.2406

    • 200+

      ￥0.17037 ￥0.1893

    • 600+

      ￥0.14472 ￥0.1608

    • 3000+

      ￥0.12897 ￥0.1433

    • 9000+

      ￥0.11556 ￥0.1284

    • 21000+

      ￥0.10836 ￥0.1204
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：2N7002KT1G 编号：C116584
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    MOSFET，小信号，60 V，380mA，单 N 沟道，SOT-23
    数据手册

    • 20+

      ￥0.218

    • 200+

      ￥0.1717

    • 600+

      ￥0.146

    • 3000+

      ￥0.1306

    • 9000+

      ￥0.1172

    • 21000+

      ￥0.11
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:630mA
    型号：DMG1012T-7 编号：C20512
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2461

    • 200+

      ￥0.193

    • 600+

      ￥0.1635

    • 3000+

      ￥0.1458

    • 9000+

      ￥0.1305

    • 21000+

      ￥0.1222
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:5.8A
    型号：BLM3400S3 编号：C5310944
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2847

    • 100+

      ￥0.2274

    • 300+

      ￥0.1987

    • 3000+

      ￥0.1661

    • 6000+

      ￥0.1489

    • 12000+

      ￥0.1403
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:25V 电流:680mA
    型号：FDV303N 编号：C80498
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V；FDV301N的大电流版本
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3057

    • 100+

      ￥0.2432

    • 300+

      ￥0.2119

    • 3000+

      ￥0.1884

    • 6000+

      ￥0.1697

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    P沟道MOSFET
    型号：FDN340P 编号：C2890122
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    hfe=120~180 NPN 电流:0.6A 电压:160V
    型号：CXT5551(RANGE:120-180) 编号：C24259
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：适用于高压应用中的开关和放大。 低电流（最大600mA）。 高电压（最大180V）
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123LT1G 编号：C78755
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:1.5A
    型号：SI2328A 编号：C2681219
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
    型号：CJ3439KDW 编号：C99824
    封装：SOT-363
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    双沟道，N沟道20V,0.75A,380mΩ@4.5V；P沟道：-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V
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    P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2301ADS 编号：C2841445
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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