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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
型号：AO3401A 编号：C5224202
封装：SOT-23-3L
品牌：ElecSuper(静芯)
P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
数据手册

  • 20+

    ￥0.2584

  • 200+

    ￥0.206

  • 600+

    ￥0.1798

  • 3000+

    ￥0.1601

  • 9000+

    ￥0.1444

  • 21000+

    ￥0.1365
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.6A
    型号：SI2302 编号：C2841377
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1746

    • 200+

      ￥0.1348

    • 600+

      ￥0.1126

    • 3000+

      ￥0.0959

    • 9000+

      ￥0.0844

    • 21000+

      ￥0.0782
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904TT1G 编号：C242260
    封装：SOT-416
    品牌：onsemi(安森美)
    此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1764

    • 200+

      ￥0.139

    • 600+

      ￥0.1182

    • 3000+

      ￥0.1058

    • 9000+

      ￥0.095

    • 21000+

      ￥0.0892
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：AO3401 编号：C6575062
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：笔记本电脑电源管理。 开关应用

    • 20+

      ￥0.1775

    • 200+

      ￥0.1413

    • 600+

      ￥0.1212

    • 3000+

      ￥0.1041

    • 9000+

      ￥0.0937

    • 21000+

      ￥0.0881
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
    型号：IRLML6402TRPBF-JSM 编号：C18190991
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

    • 20+

      ￥0.19776 ￥0.2472

    • 200+

      ￥0.15936 ￥0.1992

    • 600+

      ￥0.14016 ￥0.1752

    • 3000+

      ￥0.12576 ￥0.1572

    • 9000+

      ￥0.11424 ￥0.1428

    • 21000+

      ￥0.1084 ￥0.1355
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:12V
    型号：2SC3356 编号：C193010
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    遥控器专用芯片R25
    数据手册

    • 10+

      ￥0.212135 ￥0.2233

    • 100+

      ￥0.166155 ￥0.1749

    • 300+

      ￥0.14326 ￥0.1508

    • 3000+

      ￥0.12312 ￥0.1296

    • 6000+

      ￥0.109345 ￥0.1151

    • 9000+

      ￥0.10241 ￥0.1078
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：BSS138-7-F 编号：C40912
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.217

    • 200+

      ￥0.1754

    • 600+

      ￥0.1523

    • 3000+

      ￥0.1377

    • 9000+

      ￥0.1257

    • 21000+

      ￥0.1193
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3904M 编号：C2923360
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款是NPN型BJT三极管,电流的信号放大,中等频率信号处理。广泛应用于消费电子、通信设备以及各种家用电器等领域。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2232

    • 200+

      ￥0.172

    • 600+

      ￥0.1435

    • 2000+

      ￥0.1265

    • 8000+

      ￥0.1004

    • 16000+

      ￥0.0924
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.1A
    型号：BSN20 编号：C116157
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    N沟道,50V,100mA,10Ω@2.75V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.227145 ￥0.2391

    • 200+

      ￥0.179455 ￥0.1889

    • 600+

      ￥0.15295 ￥0.161

    • 3000+

      ￥0.137085 ￥0.1443

    • 9000+

      ￥0.12331 ￥0.1298

    • 21000+

      ￥0.1159 ￥0.122
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.85A
    型号：TPNTK3139PT1G 编号：C558623
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2307

    • 200+

      ￥0.1827

    • 600+

      ￥0.1587

    • 2000+

      ￥0.1407

    • 8000+

      ￥0.1193

    • 16000+

      ￥0.112
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
    型号：WNM2030 编号：C3011190
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2315

    • 200+

      ￥0.1781

    • 600+

      ￥0.1484

    • 2000+

      ￥0.1306

    • 8000+

      ￥0.1188

    • 16000+

      ￥0.1105
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：AO3404 编号：C192925
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    N沟道,30V,5.8A,30mΩ@10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.26125 ￥0.275

    • 100+

      ￥0.20786 ￥0.2188

    • 300+

      ￥0.181165 ￥0.1907

    • 3000+

      ￥0.14212 ￥0.1496

    • 6000+

      ￥0.126065 ￥0.1327

    • 9000+

      ￥0.11799 ￥0.1242
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：BSH108 编号：C16197300
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

    • 10+

      ￥0.29

    • 100+

      ￥0.2319

    • 300+

      ￥0.2028

    • 3000+

      ￥0.1811

    • 6000+

      ￥0.1636

    • 9000+

      ￥0.1549
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BW,115 编号：C8659
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN通用晶体管，采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3469

    • 100+

      ￥0.2751

    • 300+

      ￥0.2393

    • 3000+

      ￥0.2091

    • 6000+

      ￥0.1876

    • 9000+

      ￥0.1768
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:3A 电压:30V
    型号：2SD882 编号：C842818
    封装：SOT-89
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：功率耗散
    数据手册

    • 10+

      ￥0.35343 ￥0.3927

    • 100+

      ￥0.29079 ￥0.3231

    • 300+

      ￥0.25947 ￥0.2883

    • 1000+

      ￥0.19782 ￥0.2198

    • 5000+

      ￥0.17901 ￥0.1989

    • 10000+

      ￥0.16956 ￥0.1884
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:4.1A
    型号：DMP3099L 编号：C2940610
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = -30V，ID = -4.1A。 RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用：PWM应用。 负载开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3664

    • 100+

      ￥0.2925

    • 300+

      ￥0.2555

    • 3000+

      ￥0.2027

    • 6000+

      ￥0.1805

    • 9000+

      ￥0.1694
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:1.6A
    型号：NCE2309 编号：C502865
    封装：SOT-23
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷和出色的导通电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3809

    • 100+

      ￥0.2945

    • 300+

      ￥0.2513

    • 3000+

      ￥0.2189

    • 6000+

      ￥0.193

    • 9000+

      ￥0.18
  • 有货
    • 立即购买
    100~250 SOT-223 塑料封装晶体管
    型号：BCP56(RANGE:100-250) 编号：C95810
    封装：SOT-223
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：用于音频驱动和输出级。高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。互补类型：BCP51 ... BCP53 (PNP)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3953

    • 100+

      ￥0.3205

    • 300+

      ￥0.2832

    • 2500+

      ￥0.2443

    • 5000+

      ￥0.2218

    • 10000+

      ￥0.2106
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:12V 电流:5.1A
    型号：SI2333 编号：C344008
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23
    数据手册

    • 10+

      ￥0.396

    • 100+

      ￥0.3384

    • 300+

      ￥0.3096

    • 3000+

      ￥0.2285

    • 6000+

      ￥0.2112

    • 9000+

      ￥0.2025
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:5.3A
    型号：NCE40P05Y 编号：C163738
    封装：SOT-23-3L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    P沟道，40V，5.3A，85毫欧。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4021

    • 100+

      ￥0.3109

    • 300+

      ￥0.2653

    • 3000+

      ￥0.2311

    • 6000+

      ￥0.2037

    • 9000+

      ￥0.19
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
    型号：3080K-GK 编号：C42395458
    封装：TO-252
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:30V 电流:80A

    • 5+

      ￥0.43664 ￥0.5458

    • 50+

      ￥0.35216 ￥0.4402

    • 150+

      ￥0.30992 ￥0.3874

    • 500+

      ￥0.27824 ￥0.3478

    • 2500+

      ￥0.23264 ￥0.2908

    • 5000+

      ￥0.21992 ￥0.2749
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~450 NPN+PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BPN,115 编号：C8655
    封装：TSSOP-6(SOT-363)
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN/PNP通用晶体管对，采用非常小的SOT363 (SC-88)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4643

    • 100+

      ￥0.3692

    • 300+

      ￥0.3217

    • 3000+

      ￥0.2837

    • 6000+

      ￥0.2552

    • 9000+

      ￥0.2409
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：50N06 编号：C18164387
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)

    • 5+

      ￥0.5941

    • 50+

      ￥0.4773

    • 150+

      ￥0.4172

    • 500+

      ￥0.3678

    • 2500+

      ￥0.3248

    • 5000+

      ￥0.3132
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:50V 电流:510mA
    型号：NDC7002N(UMW) 编号：C404322
    封装：SOT-23-6
    品牌：UMW(友台半导体)
    这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6442

    • 50+

      ￥0.5038

    • 150+

      ￥0.4336

    • 500+

      ￥0.381

    • 3000+

      ￥0.3189

    • 6000+

      ￥0.2978
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    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：PBSS4160T,215 编号：C426841
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23塑料封装的NPN型低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5160T。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：AON7544 编号：C5261066
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备强大的100A连续电流处理能力，在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
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    P沟道,电流:62A,耐压:30V
    型号：AOD403 编号：C5224305
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-62A，79W，8mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：NCE6005AR 编号：C189606
    封装：SOT-223-3L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道,60V,5A,35mΩ@10V
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：NCE6005AS 编号：C126151
    封装：SOP-8
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    双N沟道，60V，5A，26毫欧，并联用可达10A，
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    丝印564P P沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：FDC5614P 编号：C2959862
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    FDC5614P P沟道 60V 3A 丝印564P P-MOS场效应管场效应管
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