电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PXT8050 编号：C20628878

封装：SOT-89-3L

品牌：FOSAN(富捷/富信)

集基耐压：40V 特性：适合大电流高功率信号放大

20+
￥0.1376
200+
￥0.1079
1000+
￥0.0914
2000+
￥0.0815
10000+
￥0.0729
20000+
￥0.0683

有货

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型号：2N7002T 编号：C5224243

封装：SOT-523

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

20+
￥0.1515
200+
￥0.1189
600+
￥0.1008
3000+
￥0.0899
9000+
￥0.0805
21000+
￥0.0754

有货

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型号：AO3401 编号：C5224195

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.1577
200+
￥0.1462
600+
￥0.1399
3000+
￥0.1042
9000+
￥0.1009
21000+
￥0.0991

有货

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型号：AO3400 编号：C20634976

封装：SOT-23-3L

品牌：FOSAN(富捷/富信)

漏源耐压：30V 漏极电流：5.8A 大体积 N MOS

20+
￥0.165965 ￥0.1747
200+
￥0.127965 ￥0.1347
600+
￥0.106875 ￥0.1125
3000+
￥0.09424 ￥0.0992
9000+
￥0.083315 ￥0.0877
21000+
￥0.077425 ￥0.0815

有货

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型号：MMBTA44 编号：C5381782

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于各类中高耐压、低电流应用场景，是您电子项目的优质三极管之选。

数据手册

20+
￥0.17784 ￥0.2223
200+
￥0.1412 ￥0.1765
600+
￥0.1208 ￥0.151
3000+
￥0.10856 ￥0.1357
9000+
￥0.09792 ￥0.1224
21000+
￥0.09224 ￥0.1153

有货

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型号：BC857B,215 编号：C59205

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。

数据手册

20+
￥0.2013
200+
￥0.1596
600+
￥0.1365
3000+
￥0.1211
9000+
￥0.1091
21000+
￥0.1026

有货

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型号：AO3402 编号：C727157

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A N沟道,30V,4A

数据手册

10+
￥0.2178 ￥0.242
100+
￥0.1737 ￥0.193
300+
￥0.14922 ￥0.1658
3000+
￥0.12222 ￥0.1358
6000+
￥0.10944 ￥0.1216
9000+
￥0.1026 ￥0.114

有货

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型号：IRLML6401TR(UMW) 编号：C347501

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=-12V。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS =-4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) < 125mΩ (VGS =-1.8V)。超低导通电阻P沟道MOSFET。快速开关

数据手册

20+
￥0.2276
200+
￥0.1726
600+
￥0.1421
3000+
￥0.1203
9000+
￥0.1044
21000+
￥0.0959

有货

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型号：IRLML6401 编号：C382329

封装：SOT-23

品牌：KEXIN(科信)

P沟道,-12V -4.3A

数据手册

20+
￥0.2372
200+
￥0.1892
600+
￥0.1652
3000+
￥0.1447
9000+
￥0.1303
21000+
￥0.123

有货

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型号：D882 编号：C5279057

封装：SOT-89

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1A,2V GR档(200-400) NPN

数据手册

10+
￥0.278721 ￥0.2997
100+
￥0.226083 ￥0.2431
300+
￥0.199671 ￥0.2147
1000+
￥0.156891 ￥0.1687
5000+
￥0.141081 ￥0.1517
10000+
￥0.133176 ￥0.1432

有货

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型号：BCX53-16(RANGE:100-250) 编号：C15237

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：NPN互补于BCX54、BCX55、BCX56。低电压。高电流。应用：中功率通用。音频放大器的驱动级

数据手册

10+
￥0.2964
100+
￥0.2387
300+
￥0.2099
1000+
￥0.1882
5000+
￥0.1709
10000+
￥0.1623

有货

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型号：BCX56-16 编号：C5183147

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：PNP与BCX51、BCX52、BCX53互补。低电压。高电流。应用：音频放大器的驱动级

10+
￥0.3017
100+
￥0.2431
300+
￥0.2139
1000+
￥0.1919
5000+
￥0.1743
10000+
￥0.1655

有货

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型号：BCX56-16 编号：C123402

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

特性：高电流（最大 1 A）。低电压（最大 80 V）。应用：音频和视频放大器的驱动级

数据手册

10+
￥0.32395 ￥0.341
100+
￥0.26562 ￥0.2796
300+
￥0.236455 ￥0.2489
1000+
￥0.1843 ￥0.194
5000+
￥0.16682 ￥0.1756
10000+
￥0.15808 ￥0.1664

有货

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型号：AO4468(UMW) 编号：C18207552

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的导通电阻RDS(ON)。 VDS(V) = 30V。 ID = 10.5A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 23mΩ (VGS = 4.5V)。应用：负载开关。电池保护

10+
￥0.3536
100+
￥0.2785
300+
￥0.2409
3000+
￥0.2091
6000+
￥0.1866
9000+
￥0.1753

有货

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型号：AO3400 编号：C2848737

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装

数据手册

20+
￥0.3794
200+
￥0.3054
600+
￥0.2684
3000+
￥0.1907
9000+
￥0.1685
21000+
￥0.1574

有货

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型号：CJ2309A 编号：C7433254

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJ2309A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(on)。该器件适用于作为单向或双向负载开关。

10+
￥0.3827
100+
￥0.3088
300+
￥0.2718
3000+
￥0.2441
6000+
￥0.2219
9000+
￥0.2108

有货

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型号：3401P-MS 编号：C19272814

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

3401P-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。3401P-MS P沟道增强型功率MOSFET

10+
￥0.398715 ￥0.4197
100+
￥0.318915 ￥0.3357
300+
￥0.279015 ￥0.2937
1000+
￥0.24909 ￥0.2622
5000+
￥0.22515 ￥0.237
10000+
￥0.213085 ￥0.2243

有货

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型号：B772 编号：C181186

封装：SOT-89

品牌：Hottech(合科泰)

特性：与D882互补。低速开关。表面贴装器件

数据手册

10+
￥0.403845 ￥0.4251
100+
￥0.32281 ￥0.3398
300+
￥0.282245 ￥0.2971
1000+
￥0.217265 ￥0.2287
5000+
￥0.192945 ￥0.2031
10000+
￥0.180785 ￥0.1903

有货

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型号：AO4459 编号：C5125946

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，具有极低的导通电阻，适用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

10+
￥0.4403
100+
￥0.3462
300+
￥0.2992
3000+
￥0.242
6000+
￥0.2137
9000+
￥0.1996

有货

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型号：IRLML2502TRPBF 编号：C5123960

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 20V, ID = 6A。 RDS|ON < 23mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS|ON < 35mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.5146
100+
￥0.4055
300+
￥0.3509
3000+
￥0.3015
6000+
￥0.2687
9000+
￥0.2523

有货

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型号：BSS131 编号：C5337202

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和240V的电压承受范围。其内阻典型值为3000mΩ，VGS为20V。适用于需要低功耗和高稳定性的应用场景，如电源管理、信号放大及开关控制等，确保系统高效运行。

数据手册

5+
￥0.5582
50+
￥0.458
150+
￥0.4079
500+
￥0.3703
3000+
￥0.3031
6000+
￥0.2881

有货

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型号：BSS138P,215 编号：C75547

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V

数据手册

5+
￥0.5691
50+
￥0.4546
150+
￥0.3974
500+
￥0.3545
3000+
￥0.3201
6000+
￥0.303

有货

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型号：AO4435 编号：C5224296

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.5947
50+
￥0.468
150+
￥0.4046
500+
￥0.3571
3000+
￥0.3191
6000+
￥0.3

有货

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型号：FDN5618P 编号：C3021110

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.6008
50+
￥0.4793
150+
￥0.4186
500+
￥0.3731
3000+
￥0.3274
6000+
￥0.3091

有货

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型号：BSS138PS,115 编号：C193381

封装：SOT-363(SC-88)

品牌：Nexperia(安世)

双N沟道,60V,320mA

数据手册

5+
￥0.6217
50+
￥0.4902
150+
￥0.4244
500+
￥0.375
3000+
￥0.3356
6000+
￥0.3158

有货

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型号：PBSS5320T,215 编号：C193653

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型 SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的 PNP 低 VCEsat 晶体管。互补 NPN 型：PBSS4320T

数据手册

5+
￥0.708576 ￥1.1616
50+
￥0.444159 ￥0.8709
150+
￥0.305983 ￥0.7463
500+
￥0.242228 ￥0.5908
3000+
￥0.213856 ￥0.5216
6000+
￥0.1968 ￥0.48

有货

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型号：IRLR7843TR(UMW) 编号：C7499399

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V 。 Qg=34nC 。 RDS(ON)<3.3mΩ(VGS=10V)。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。超低栅极阻抗。完全表征雪崩电压和电流。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器

5+
￥1.4279
50+
￥1.1048
150+
￥0.9663
500+
￥0.7935
2500+
￥0.699
5000+
￥0.6529

有货

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型号：AOD4185 编号：C5261064

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管具有40A的电流承载能力和40V的电压耐受性，内阻典型值为10mΩ，适用于高效能应用。其P型设计确保了良好的电流传导性能，VGS为20V，适用于多种电路设计需求。选择它，可确保电路的稳定性和高效性。

数据手册

5+
￥1.477344 ￥1.6788
50+
￥1.225928 ￥1.3931
150+
￥1.118128 ￥1.2706
500+
￥0.983664 ￥1.1178
2500+
￥0.749232 ￥0.8514
5000+
￥0.71324 ￥0.8105

有货

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型号：NDT3055L 编号：C7472932

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：60V，4A，RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。坚固可靠。符合无铅产品要求。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。接口

5+
￥1.5511
50+
￥1.2033
150+
￥1.0543
500+
￥0.8683
2500+
￥0.7855
5000+
￥0.7358

有货

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型号：NCE6080K 编号：C341705

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。

数据手册

1+
￥2.007
10+
￥1.5434
30+
￥1.3446
100+
￥1.0967
500+
￥0.9863
1000+
￥0.92

有货

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降低成本

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成功提示

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提示