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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具备强大的100A连续电流处理能力,在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计,广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现。
数据手册
  • 5+

    ¥0.8155
  • 50+

    ¥0.6652
  • 150+

    ¥0.59
  • 500+

    ¥0.5336
  • 2500+

    ¥0.4291
  • 5000+

    ¥0.4066
  • 有货
  • 15N10是高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。15N10符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过了雪崩能量耐量(EAS)测试,并通过了全功能可靠性认证。
    • 5+

      ¥0.5683
    • 50+

      ¥0.4491
    • 150+

      ¥0.3895
    • 500+

      ¥0.3448
    • 2500+

      ¥0.2871
    • 5000+

      ¥0.2692
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET,12V额定。 100% Rg测试。 栅源ESD保护:1000V。 RoHS合规,无卤。应用:便携式设备的负载/电源开关。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7159
    • 50+

      ¥0.5719
    • 150+

      ¥0.4999
    • 500+

      ¥0.4459
    • 3000+

      ¥0.4027
    • 6000+

      ¥0.381
  • 有货
  • N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7695
    • 50+

      ¥0.6257
    • 150+

      ¥0.5537
    • 500+

      ¥0.47481 ¥0.4998
    • 3000+

      ¥0.371355 ¥0.3909
    • 6000+

      ¥0.350835 ¥0.3693
  • 有货
  • 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    • 5+

      ¥0.843885 ¥0.8883
    • 50+

      ¥0.68305 ¥0.719
    • 150+

      ¥0.602585 ¥0.6343
    • 500+

      ¥0.54226 ¥0.5708
    • 2500+

      ¥0.44118 ¥0.4644
    • 5000+

      ¥0.41705 ¥0.439
  • 有货
  • 适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道,提供优越的开关特性和低导通电阻,确保在正负电压下稳定工作,提升系统效能与节能表现。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.91979 ¥0.9682
    • 50+

      ¥0.73739 ¥0.7762
    • 150+

      ¥0.646285 ¥0.6803
    • 500+

      ¥0.51908 ¥0.5464
    • 3000+

      ¥0.46436 ¥0.4888
    • 6000+

      ¥0.437 ¥0.46
  • 有货
  • WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9353
    • 50+

      ¥0.7529
    • 150+

      ¥0.6617
    • 500+

      ¥0.5933
    • 3000+

      ¥0.51
    • 6000+

      ¥0.4826
  • 有货
  • P沟道,-30V,-62A,79W,8mΩ@-10V,-20A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9572
    • 50+

      ¥0.8262
    • 150+

      ¥0.77
    • 500+

      ¥0.7
    • 2500+

      ¥0.6688
    • 5000+

      ¥0.65
  • 有货
    • 5+

      ¥0.9841
    • 50+

      ¥0.7797
    • 150+

      ¥0.6922
    • 500+

      ¥0.5829
    • 3000+

      ¥0.5101
    • 6000+

      ¥0.4809
  • 有货
  • 特性:60V/-3A,RDS(ON) = 95mΩ(典型值)@VGS = 10V。 RDS(ON) = 130mΩ(典型值)@VGS = -4.5V。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)。应用:DC-DC转换器。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1733
    • 50+

      ¥0.9213
    • 150+

      ¥0.8133
    • 500+

      ¥0.6786
    • 3000+

      ¥0.6186
    • 6000+

      ¥0.5825
  • 有货
  • 采用小型 SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的 PNP 低 VCEsat 晶体管。互补 NPN 型:PBSS4320T
    数据手册
    • 5+

      ¥1.439961 ¥2.0869
    • 50+

      ¥1.059758 ¥1.7962
    • 150+

      ¥0.819035 ¥1.6715
    • 500+

      ¥0.742889 ¥1.5161
    • 3000+

      ¥0.708981 ¥1.4469
    • 6000+

      ¥0.688597 ¥1.4053
  • 有货
  • P沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0544
    • 50+

      ¥1.6182
    • 150+

      ¥1.4312
    • 500+

      ¥1.0923
    • 2500+

      ¥0.9884
    • 5000+

      ¥0.9261
  • 有货
  • N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1591
    • 50+

      ¥1.7635
    • 150+

      ¥1.5939
    • 500+

      ¥1.073215 ¥1.1297
    • 2500+

      ¥0.983725 ¥1.0355
    • 4000+

      ¥0.929955 ¥0.9789
  • 有货
  • Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的QG x RDS(ON)乘积(FOM)。尖峰优化工艺。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 1+

      ¥3.98
    • 10+

      ¥3.25
    • 30+

      ¥2.88
    • 100+

      ¥2.52
    • 500+

      ¥2.19
    • 1000+

      ¥2.08
  • 有货
  • 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.74
    • 10+

      ¥3.85
    • 50+

      ¥3.16
    • 100+

      ¥2.584 ¥2.72
    • 500+

      ¥2.3275 ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.204 ¥2.32
  • 有货
  • N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.16
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.77
    • 100+

      ¥3.2107 ¥3.31
    • 500+

      ¥2.9488 ¥3.04
    • 1000+

      ¥2.813 ¥2.9
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.8
    • 10+

      ¥4.85
    • 30+

      ¥4.37
    • 100+

      ¥3.705 ¥3.9
    • 500+

      ¥2.9925 ¥3.15
    • 1000+

      ¥2.85 ¥3
  • 有货
  • WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.8
    • 10+

      ¥6.95
    • 30+

      ¥6.15
    • 100+

      ¥5.55
    • 500+

      ¥4.52
    • 1000+

      ¥4.4
  • 有货
  • 特性:短路耐受时间:10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术,提供非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用:变频器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥19.09
    • 10+

      ¥16.39
    • 30+

      ¥13.72
    • 90+

      ¥12.09
    • 480+

      ¥11.34
    • 960+

      ¥11
  • 有货
  • 应用于一般切换和放大。
    • 50+

      ¥0.03438 ¥0.0382
    • 500+

      ¥0.03357 ¥0.0373
    • 3000+

      ¥0.03303 ¥0.0367
    • 6000+

      ¥0.0324 ¥0.036
  • 有货
  • PNP硅外延平面晶体管
    数据手册
    • 100+

      ¥0.04016 ¥0.0502
    • 1000+

      ¥0.03152 ¥0.0394
    • 3000+

      ¥0.02552 ¥0.0319
    • 9000+

      ¥0.02264 ¥0.0283
    • 45000+

      ¥0.02008 ¥0.0251
    • 90000+

      ¥0.01872 ¥0.0234
  • 有货
  • 放大倍数300-400 100MA电流
    数据手册
    • 100+

      ¥0.042
    • 1000+

      ¥0.0328
    • 3000+

      ¥0.0259
    • 9000+

      ¥0.0228
    • 51000+

      ¥0.0202
    • 99000+

      ¥0.0188
  • 有货
  • 特性:PNP高压
    • 50+

      ¥0.0502
    • 500+

      ¥0.0389
    • 3000+

      ¥0.0326
    • 6000+

      ¥0.0288
    • 24000+

      ¥0.0255
    • 51000+

      ¥0.0237
  • 有货
  • NPN 25V 0.5A 0.3W 150MHz hfe:120-400
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0553
    • 500+

      ¥0.0432
    • 3000+

      ¥0.0365
    • 6000+

      ¥0.0324
    • 24000+

      ¥0.0289
    • 51000+

      ¥0.027
  • 有货
  • 特性:与MMBT5551互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0577
    • 500+

      ¥0.0453
    • 3000+

      ¥0.0376
    • 6000+

      ¥0.0335
    • 24000+

      ¥0.0299
    • 51000+

      ¥0.028
  • 有货
  • PNP 电流:500mA 电压:150V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.075
    • 500+

      ¥0.0653
    • 3000+

      ¥0.0568
    • 6000+

      ¥0.0535
    • 24000+

      ¥0.0507
    • 51000+

      ¥0.0492
  • 有货
  • 特性:小封装大电流容量,集电极电流(IC)= 1.5A。 外延平面型。 NPN互补。 提供无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0767
    • 500+

      ¥0.0589
    • 3000+

      ¥0.0491
    • 6000+

      ¥0.0431
    • 24000+

      ¥0.038
    • 51000+

      ¥0.0352
  • 有货
  • NPN 40V 600mA 丝印2X 功能与管脚顺序同长电的MMBT4401
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0788
    • 500+

      ¥0.0616
    • 3000+

      ¥0.0495
    • 6000+

      ¥0.0437
    • 24000+

      ¥0.0387
  • 有货
  • 特性:与BC856W互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.086545 ¥0.0911
    • 500+

      ¥0.0665 ¥0.07
    • 3000+

      ¥0.055385 ¥0.0583
    • 6000+

      ¥0.048735 ¥0.0513
    • 24000+

      ¥0.04294 ¥0.0452
    • 51000+

      ¥0.039805 ¥0.0419
  • 有货
  • 特性:与S8550互补。 集电极电流:IC = 0.5A
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1004
    • 500+

      ¥0.0799
    • 3000+

      ¥0.0635
    • 6000+

      ¥0.0567
    • 24000+

      ¥0.0507
    • 51000+

      ¥0.0475
  • 有货
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