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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
型号：AON7544 编号：C5261066
封装：DFN3x3-8L
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备强大的100A连续电流处理能力，在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
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  • 5+

    ￥0.8155

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    ￥0.6652

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    ￥0.4066
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    NPN 电流:0.5A 电压:45V
    型号：BC817-40Q-7-F 编号：C459860
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。
    数据手册

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      ￥0.3628

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    2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：FS8205A 编号：C908265
    封装：SOT-23-6L
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：电池保护。 开关应用
    数据手册

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      ￥0.39141 ￥0.4349

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      ￥0.1827 ￥0.203
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    SOT-223 塑料封装晶体管
    型号：BCP53-16 编号：C148109
    封装：SOT-223
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BCP54...BCP56（NPN）
    数据手册

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      ￥0.4064

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      ￥0.3283

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      ￥0.23

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      ￥0.2182
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    耐压:30V 电流:2.2A
    型号：FDN337N 编号：C5182040
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4065

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      ￥0.1848
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    耐压:20V 电流:6A
    型号：8205A 编号：C7419210
    封装：TSSOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：20V MOSFET技术。 低导通电阻。 快速开关。 Vgs ±12V。应用：功率开关应用。 负载开关

    • 10+

      ￥0.4098

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：DMG2305UX-7 编号：C150470
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道,-20V,-4.2A,52mΩ@-4.5V
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:6A
    型号：ST3422A 编号：C2682907
    封装：SOT-23-3L
    品牌：STANSON(司坦森)
    ST3422A是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路
    数据手册

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      ￥0.5174

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    P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
    型号：APM2305AC 编号：C2959856
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用：负载/电源开关。 接口
    数据手册

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      ￥0.5203

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
    型号：IRLML2402TRPBF 编号：C2588
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,20V,1.2A,250mΩ@4.5V
    数据手册

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      ￥0.5301

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      ￥0.313992 ￥0.3204

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      ￥0.2646 ￥0.27
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:1A
    型号：1N60G 编号：C347324
    封装：SOT-223
    品牌：UMW(友台半导体)
    G表示SOT-223封装
    数据手册

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      ￥0.5471

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      ￥0.2454
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:1A
    型号：1N65G 编号：C404319
    封装：SOT-223
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V) = 650 V。 ID = 1 A。 RDS(ON) = 8.5 Ω
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5559

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      ￥0.25
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    耐压:60V 电流:1.6A
    型号：FDN5618P 编号：C3021110
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.57

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      ￥0.4486

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      ￥0.3423

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    • 6000+

      ￥0.2784
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
    型号：NCE60P04Y 编号：C102608
    封装：SOT-23-3L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    P沟道，60V，4A，120毫欧。
    数据手册

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      ￥0.6349

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    • 6000+

      ￥0.3
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:50V 电流:510mA
    型号：NDC7002N(UMW) 编号：C404322
    封装：SOT-23-6
    品牌：UMW(友台半导体)
    这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6448

    • 50+

      ￥0.5044

    • 150+

      ￥0.4342

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      ￥0.3195

    • 6000+

      ￥0.2984
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：AO3415A 编号：C133233
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.0V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6501

    • 50+

      ￥0.5242

    • 150+

      ￥0.4612

    • 500+

      ￥0.414

    • 3000+

      ￥0.339

    • 6000+

      ￥0.3201
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3404A 编号：C30010
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    N沟道,30V,5A,32mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6531

    • 50+

      ￥0.509

    • 150+

      ￥0.437

    • 500+

      ￥0.383

    • 3000+

      ￥0.3398

    • 6000+

      ￥0.3182
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:2.3A
    型号：BSS306NH6327 编号：C72769
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道增强模式。逻辑电平(额定4.5V)。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。100%无铅;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6795

    • 50+

      ￥0.5444

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      ￥0.4769

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      ￥0.364136 ￥0.3958

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      ￥0.326876 ￥0.3553

    • 6000+

      ￥0.3082 ￥0.335
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:2A
    型号：BSS308PEH6327 编号：C2939946
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6861

    • 50+

      ￥0.5436

    • 150+

      ￥0.4723

    • 500+

      ￥0.4189

    • 3000+

      ￥0.3331

    • 6000+

      ￥0.3118
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7.6A
    型号：AO4606 编号：C2944311
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6952

    • 50+

      ￥0.5459

    • 150+

      ￥0.4713

    • 500+

      ￥0.4153

    • 3000+

      ￥0.3424

    • 6000+

      ￥0.32
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.63A
    型号：SI1012CR-T1-GE3 编号：C388850
    封装：SC-75A
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET，12V额定。 100% Rg测试。 栅源ESD保护：1000V。 RoHS合规，无卤。应用：便携式设备的负载/电源开关。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7159

    • 50+

      ￥0.5719

    • 150+

      ￥0.4999

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      ￥0.4459

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      ￥0.4027

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      ￥0.381
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
    型号：NCE3080K 编号：C108901
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道，30V/80A，5.5毫欧。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7407

    • 50+

      ￥0.5727

    • 150+

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    • 2500+

      ￥0.3753

    • 5000+

      ￥0.35
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：40N06 编号：C668202
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）为 60V。 漏极电流（ID）为 40A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 14mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 16mΩ（VGS = 4.5V）。 无铅产品
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8264

    • 50+

      ￥0.6419

    • 150+

      ￥0.5496

    • 500+

      ￥0.4804

    • 2500+

      ￥0.3977

    • 5000+

      ￥0.37
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：MDD50N06D 编号：C5299416
    封装：TO-252
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

    • 5+

      ￥0.843885 ￥0.8883

    • 50+

      ￥0.68305 ￥0.719

    • 150+

      ￥0.602585 ￥0.6343

    • 500+

      ￥0.54226 ￥0.5708

    • 2500+

      ￥0.44118 ￥0.4644

    • 5000+

      ￥0.41705 ￥0.439
  • 有货
    • 立即购买
    产地：重庆 1个P沟道 耐压:30V
    型号：AO4407C 编号：C469397
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9841

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    P沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：NTGS5120PT1G 编号：C2959860
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：60V/-3A，RDS(ON) = 95mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 130mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC-DC转换器。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1733

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    耐压:60V 电流:30A
    型号：30P06 编号：C18164395
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    特性：超低栅极电荷。 有绿色环保器件可选。 出色的CdvV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：AO4407A 编号：C16072
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：SIS412DN-T1-GE3 编号：C111309
    封装：PowerPAK1212-8
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道
    数据手册

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    P通道,电流:11A,耐压:40V
    型号：AO4485 编号：C5334068
    封装：SOP8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-40V，-11A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

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      ￥1.5598

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