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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压40V,支持高达5A连续电流。具有低导通电阻与快速开关性能,适用于充电器、电源转换等应用,为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
数据手册
  • 10+

    ¥0.341
  • 100+

    ¥0.2805
  • 300+

    ¥0.2503
  • 3000+

    ¥0.1852
  • 6000+

    ¥0.167
  • 9000+

    ¥0.158
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型。 适用于中功率放大和开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0836
    • 500+

      ¥0.0664
    • 3000+

      ¥0.0526
    • 6000+

      ¥0.0468
    • 24000+

      ¥0.0419
    • 51000+

      ¥0.0392
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补的NPN类型
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0946
    • 500+

      ¥0.0754
    • 3000+

      ¥0.0647
    • 6000+

      ¥0.0583
    • 24000+

      ¥0.0527
    • 51000+

      ¥0.0497
  • 有货
  • 特性:非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型(BC817)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0963
    • 500+

      ¥0.0767
    • 3000+

      ¥0.0658
    • 6000+

      ¥0.0593
    • 24000+

      ¥0.0537
    • 51000+

      ¥0.0506
  • 有货
  • 特性:与MMBT5401互补,非常适合中功率放大和开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0969
    • 500+

      ¥0.0775
    • 3000+

      ¥0.0638
    • 6000+

      ¥0.0573
    • 24000+

      ¥0.0517
    • 51000+

      ¥0.0486
  • 有货
  • PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1078
    • 500+

      ¥0.0836
    • 3000+

      ¥0.0702
    • 6000+

      ¥0.0622
    • 24000+

      ¥0.0552
    • 51000+

      ¥0.0515
  • 有货
  • ?晶体管类型:NPN集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA
    数据手册
    • 50+

      ¥0.11533 ¥0.1214
    • 500+

      ¥0.090725 ¥0.0955
    • 3000+

      ¥0.07505 ¥0.079
    • 6000+

      ¥0.06688 ¥0.0704
    • 24000+

      ¥0.059755 ¥0.0629
    • 51000+

      ¥0.055955 ¥0.0589
  • 有货
  • N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1192
    • 200+

      ¥0.1087
    • 600+

      ¥0.1028
    • 3000+

      ¥0.0798
    • 9000+

      ¥0.0768
    • 21000+

      ¥0.0751
  • 有货
  • 适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.14736 ¥0.1842
    • 200+

      ¥0.11776 ¥0.1472
    • 600+

      ¥0.10136 ¥0.1267
    • 3000+

      ¥0.0832 ¥0.104
    • 9000+

      ¥0.07464 ¥0.0933
    • 21000+

      ¥0.07 ¥0.0875
  • 有货
  • 适用于电池管理,高速开关,低功率 DC-DC 转换。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1634 ¥0.172
    • 200+

      ¥0.12749 ¥0.1342
    • 600+

      ¥0.10754 ¥0.1132
    • 3000+

      ¥0.09253 ¥0.0974
    • 9000+

      ¥0.08208 ¥0.0864
    • 21000+

      ¥0.076475 ¥0.0805
  • 有货
  • N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1693
    • 200+

      ¥0.1337
    • 600+

      ¥0.114
    • 3000+

      ¥0.1021
    • 9000+

      ¥0.0919
    • 21000+

      ¥0.0863
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1754
    • 200+

      ¥0.1368
    • 600+

      ¥0.1154
    • 3000+

      ¥0.0959
    • 9000+

      ¥0.0847
    • 21000+

      ¥0.0787
  • 有货
  • 适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.191505 ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.150195 ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.127245 ¥0.1497
    • 3000+

      ¥0.10795 ¥0.127
    • 9000+

      ¥0.095965 ¥0.1129
    • 21000+

      ¥0.089505 ¥0.1053
  • 有货
  • MOSFET,P-channel 20/10V 3A VGS(th)=0.7V 64mΩ@3A&4.5V,SOT-23
    数据手册
    • 50+

      ¥0.201
    • 500+

      ¥0.1686
    • 3000+

      ¥0.1265
    • 6000+

      ¥0.1157
    • 24000+

      ¥0.1063
    • 51000+

      ¥0.1013
  • 有货
  • 特性:低导通电阻:当 VDS = 60V,ID = 300mA,VGS = 10V 时,RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计,实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.20691 ¥0.2178
    • 200+

      ¥0.164635 ¥0.1733
    • 600+

      ¥0.14117 ¥0.1486
    • 3000+

      ¥0.121695 ¥0.1281
    • 9000+

      ¥0.10944 ¥0.1152
    • 21000+

      ¥0.102885 ¥0.1083
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2149
    • 200+

      ¥0.1717
    • 600+

      ¥0.1477
    • 2000+

      ¥0.1333
    • 10000+

      ¥0.1078
    • 20000+

      ¥0.101
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.1A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2175
    • 200+

      ¥0.1716
    • 600+

      ¥0.1461
    • 3000+

      ¥0.1308
    • 9000+

      ¥0.1175
    • 21000+

      ¥0.1103
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:100V 电流:5A适用于电源开关和信号控制
    数据手册
    • 10+

      ¥0.223432 ¥0.2539
    • 100+

      ¥0.17908 ¥0.2035
    • 300+

      ¥0.156904 ¥0.1783
    • 3000+

      ¥0.127952 ¥0.1454
    • 6000+

      ¥0.114664 ¥0.1303
    • 9000+

      ¥0.107976 ¥0.1227
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.226
    • 200+

      ¥0.1725
    • 600+

      ¥0.1428
    • 3000+

      ¥0.1246
    • 9000+

      ¥0.1092
    • 21000+

      ¥0.1009
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2279
    • 200+

      ¥0.1801
    • 600+

      ¥0.1535
    • 3000+

      ¥0.1205
    • 9000+

      ¥0.1067
    • 21000+

      ¥0.0992
  • 有货
  • 采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号:MMBT3906。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2407
    • 200+

      ¥0.1904
    • 600+

      ¥0.1653
    • 3000+

      ¥0.1432
    • 9000+

      ¥0.1281
    • 21000+

      ¥0.1206
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A
    数据手册
    • 20+

      ¥0.24075 ¥0.2675
    • 200+

      ¥0.19548 ¥0.2172
    • 600+

      ¥0.17028 ¥0.1892
    • 3000+

      ¥0.13329 ¥0.1481
    • 9000+

      ¥0.12024 ¥0.1336
    • 21000+

      ¥0.11322 ¥0.1258
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V,ID = -4.2A。RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = -2.5V。RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = -10V。应用:负载/电源开关。接口开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2753
    • 200+

      ¥0.2138
    • 600+

      ¥0.1796
    • 3000+

      ¥0.1549
    • 9000+

      ¥0.1371
    • 21000+

      ¥0.1275
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=40V。 RDS(ON)<70mΩ(VGS=10V), ID=- 4.4A。 RDS(ON)<95mΩ(VGS=4.5V), ID=- 3.5A。应用:DC/DC转换器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3444
    • 100+

      ¥0.2729
    • 300+

      ¥0.2372
    • 3000+

      ¥0.2103
    • 6000+

      ¥0.1889
    • 9000+

      ¥0.1782
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。应用:电池保护。 开关应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.36296 ¥0.4537
    • 100+

      ¥0.29768 ¥0.3721
    • 300+

      ¥0.26504 ¥0.3313
    • 3000+

      ¥0.20688 ¥0.2586
    • 6000+

      ¥0.18728 ¥0.2341
    • 9000+

      ¥0.17744 ¥0.2218
  • 有货
  • 先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计,实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3657
    • 100+

      ¥0.2985
    • 300+

      ¥0.2649
    • 3000+

      ¥0.2063
    • 6000+

      ¥0.1861
    • 9000+

      ¥0.176
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:30A适用于电源开关和信号控制
    • 5+

      ¥0.51831 ¥0.5759
    • 50+

      ¥0.41031 ¥0.4559
    • 150+

      ¥0.35631 ¥0.3959
    • 500+

      ¥0.31581 ¥0.3509
    • 2500+

      ¥0.28341 ¥0.3149
    • 5000+

      ¥0.26712 ¥0.2968
  • 有货
  • 特性:与其他型号引脚兼容。应用:负载/电源开关。 接口开关
    • 5+

      ¥0.5569
    • 50+

      ¥0.4369
    • 150+

      ¥0.3769
    • 500+

      ¥0.3319
    • 3000+

      ¥0.2959
    • 6000+

      ¥0.2779
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅产品。应用:负载/电源开关。 接口
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5662
    • 50+

      ¥0.4448
    • 150+

      ¥0.384
    • 500+

      ¥0.3385
    • 3000+

      ¥0.2779
    • 6000+

      ¥0.2596
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS):60V。 漏极电流(ID):20A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 23mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 29mΩ(VGS = 4.5V)。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6546
    • 50+

      ¥0.5132
    • 150+

      ¥0.4425
    • 500+

      ¥0.3895
    • 2500+

      ¥0.3212
    • 5000+

      ¥0.3
  • 有货
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