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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
型号：AO3401 编号：C5224195
封装：SOT-23
品牌：ElecSuper(静芯)
P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
数据手册

  • 20+

    ￥0.1577

  • 200+

    ￥0.1462

  • 600+

    ￥0.1399

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    ￥0.1042

  • 9000+

    ￥0.1009

  • 21000+

    ￥0.0991
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SI2301 编号：C727151
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@4.5V,2.8A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.12861 ￥0.1429

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      ￥0.10395 ￥0.1155

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      ￥0.07263 ￥0.0807

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      ￥0.06552 ￥0.0728

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      ￥0.06165 ￥0.0685
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    PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMBT2907ALT1G 编号：C40752
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1292

    • 200+

      ￥0.1022

    • 600+

      ￥0.0872

    • 3000+

      ￥0.0771

    • 9000+

      ￥0.0693

    • 21000+

      ￥0.065
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
    型号：BSS84 编号：C114481
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道，-50V，-0.13A，10Ω@-5V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1331

    • 500+

      ￥0.1072

    • 3000+

      ￥0.0904

    • 6000+

      ￥0.0818

    • 24000+

      ￥0.0743
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
    型号：RC3134KM3 编号：C5137092
    封装：SOT-723
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻 RDS(ON)，且栅极电荷较低。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1343

    • 200+

      ￥0.1046

    • 600+

      ￥0.0881

    • 2000+

      ￥0.0782

    • 8000+

      ￥0.0674

    • 16000+

      ￥0.0627
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.6A
    型号：SI2302 编号：C2841377
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1569

    • 200+

      ￥0.1226

    • 600+

      ￥0.1035

    • 3000+

      ￥0.0891

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      ￥0.0791

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      ￥0.0738
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C21713968
    封装：SOT-23-3L
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制

    • 20+

      ￥0.17056 ￥0.2132

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      ￥0.13384 ￥0.1673

    • 600+

      ￥0.11344 ￥0.1418

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      ￥0.09712 ￥0.1214

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      ￥0.08656 ￥0.1082

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      ￥0.0808 ￥0.101
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    N沟道增强型场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400 编号：C5296723
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.17864 ￥0.2233

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      ￥0.1072 ￥0.134

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      ￥0.09536 ￥0.1192

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      ￥0.08896 ￥0.1112
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    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：BSS138-7-F 编号：C40912
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1801

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      ￥0.1061

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      ￥0.0949

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      ￥0.0888
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    耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C5296724
    封装：SOT-23-3L
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
    数据手册

    • 20+

      ￥0.19608 ￥0.2451

    • 200+

      ￥0.15504 ￥0.1938

    • 600+

      ￥0.13224 ￥0.1653

    • 3000+

      ￥0.1072 ￥0.134

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      ￥0.09536 ￥0.1192

    • 21000+

      ￥0.08896 ￥0.1112
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    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3904M 编号：C2923360
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款是NPN型BJT三极管,电流的信号放大,中等频率信号处理。广泛应用于消费电子、通信设备以及各种家用电器等领域。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2232

    • 200+

      ￥0.172

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      ￥0.1435

    • 2000+

      ￥0.1265

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      ￥0.1004

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      ￥0.0924
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.85A
    型号：TPNTK3139PT1G 编号：C558623
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2307

    • 200+

      ￥0.1827

    • 600+

      ￥0.1587

    • 2000+

      ￥0.1407

    • 8000+

      ￥0.1193

    • 16000+

      ￥0.112
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:12V 电流:4.3A
    型号：IRLML6401 编号：C382329
    封装：SOT-23
    品牌：KEXIN(科信)
    P沟道,-12V -4.3A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2372

    • 200+

      ￥0.1892

    • 600+

      ￥0.1652

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      ￥0.1303

    • 21000+

      ￥0.123
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：IRLML6344 编号：C5364313
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：VDS max: 30V。 VGS max: ±12V。 RDS(on) max: 29mΩ @VGS=4.5V。 RDS(on) max: 37mΩ @VGS=2.5V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.265525 ￥0.2795

    • 100+

      ￥0.21489 ￥0.2262

    • 300+

      ￥0.18962 ￥0.1996

    • 3000+

      ￥0.160075 ￥0.1685

    • 6000+

      ￥0.144875 ￥0.1525

    • 9000+

      ￥0.137275 ￥0.1445
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
    型号：9435 编号：C181098
    封装：SOP-8
    品牌：Hottech(合科泰)
    9435采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.29716 ￥0.3128

    • 100+

      ￥0.23636 ￥0.2488

    • 300+

      ￥0.20596 ￥0.2168

    • 2500+

      ￥0.17936 ￥0.1888

    • 5000+

      ￥0.16112 ￥0.1696

    • 10000+

      ￥0.152 ￥0.16
  • 有货
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    (Y档) PNP 电流:3A 电压:30V
    型号：B772 编号：C181186
    封装：SOT-89
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与D882互补。 低速开关。 表面贴装器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.30951 ￥0.3258

    • 100+

      ￥0.253935 ￥0.2673

    • 300+

      ￥0.2261 ￥0.238

    • 1000+

      ￥0.181545 ￥0.1911

    • 5000+

      ￥0.164825 ￥0.1735

    • 10000+

      ￥0.156465 ￥0.1647
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:5A
    型号：SI2318 编号：C5337198
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为40V电压系统设计，具备5A强大电流处理能力。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中，实现高效、稳定的功率转换与控制。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.328064 ￥0.3728

    • 100+

      ￥0.27104 ￥0.308

    • 300+

      ￥0.242528 ￥0.2756

    • 3000+

      ￥0.198176 ￥0.2252

    • 6000+

      ￥0.181104 ￥0.2058

    • 9000+

      ￥0.172568 ￥0.1961
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:12V 电流:5.1A
    型号：SI2333 编号：C344008
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3885

    • 100+

      ￥0.3309

    • 300+

      ￥0.3021

    • 3000+

      ￥0.221

    • 6000+

      ￥0.2037

    • 9000+

      ￥0.195
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
    型号：CJ2309A 编号：C7433254
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    CJ2309A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(on)。该器件适用于作为单向或双向负载开关。

    • 10+

      ￥0.3924

    • 100+

      ￥0.3185

    • 300+

      ￥0.2815

    • 3000+

      ￥0.2538

    • 6000+

      ￥0.2316

    • 9000+

      ￥0.2206
  • 有货
    • 立即购买
    100~250 SOT-223 塑料封装晶体管
    型号：BCP56(RANGE:100-250) 编号：C95810
    封装：SOT-223
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：用于音频驱动和输出级。高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。互补类型：BCP51 ... BCP53 (PNP)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3956

    • 100+

      ￥0.3201

    • 300+

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    • 2500+

      ￥0.243

    • 5000+

      ￥0.2204

    • 10000+

      ￥0.209
  • 有货
    • 立即购买
    60V 3A
    型号：IRLML2060TRPBF 编号：C5122027
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4333

    • 100+

      ￥0.3435

    • 300+

      ￥0.2986

    • 3000+

      ￥0.2574

    • 6000+

      ￥0.2304

    • 9000+

      ￥0.217
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:3.5A
    型号：WST03P06 编号：C105166
    封装：SOT-23-3L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WST30P06是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST30P06符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.59

    • 50+

      ￥0.53

    • 150+

      ￥0.5

    • 500+

      ￥0.47

    • 3000+

      ￥0.45

    • 6000+

      ￥0.44
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
    型号：NCE60P04Y 编号：C102608
    封装：SOT-23-3L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    P沟道，60V，4A，120毫欧。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6349

    • 50+

      ￥0.4909

    • 150+

      ￥0.4189

    • 500+

      ￥0.3649

    • 3000+

      ￥0.3217

    • 6000+

      ￥0.3
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:150mA
    型号：BSS123,215 编号：C78962
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,100V,150mA
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      ￥0.6686

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:2.7A
    型号：IRLML0060TRPBF 编号：C67274
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V
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      ￥0.8507

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      ￥0.381514 ￥0.3893
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    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817DS,115 编号：C128436
    封装：SC-74(TSOP-6)
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN/NPN通用双晶体管，采用SOT457 (SC-74)塑料封装。
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      ￥1.0364

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    NPN 电流:6A 电压:100V
    型号：TIP41C 编号：C963394
    封装：TO-220
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于大功率、高电流开关及放大电路而设计，是电子工程师的理想选择。
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      ￥1.210965 ￥1.2747

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      ￥0.54625 ￥0.575
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:360mA
    型号：2N7002P,215 编号：C81488
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
    型号：STD20NF06L(UMW) 编号：C668203
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 30mΩ (VGS = 4.5V)。 采用先进的沟槽技术。 具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 是无铅产品
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    NPN 电流:2A 电压:20V
    型号：BC868,115 编号：C130419
    封装：SOT-89
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN 中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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