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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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N-沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装
数据手册
  • 5+

    ¥0.5878
  • 50+

    ¥0.4668
  • 150+

    ¥0.4064
  • 500+

    ¥0.361
  • 3000+

    ¥0.3167
  • 6000+

    ¥0.2985
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.232
    • 200+

      ¥0.1805
    • 600+

      ¥0.1519
    • 3000+

      ¥0.1348
    • 9000+

      ¥0.1199
    • 21000+

      ¥0.1119
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至1.8V的栅极电压下工作。 适用于负载开关或PWM应用。 具备ESD保护。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 33mΩ(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 51mΩ(VGS = 1.8V)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2569
    • 200+

      ¥0.1985
    • 600+

      ¥0.1661
    • 3000+

      ¥0.1362
    • 9000+

      ¥0.1193
    • 21000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5187
    • 50+

      ¥0.4039
    • 150+

      ¥0.3465
    • 500+

      ¥0.3034
    • 3000+

      ¥0.2565
    • 6000+

      ¥0.2393
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-30V,ID =-5.3A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<41mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)<75mΩ(VGS =-4.5V)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5525
    • 50+

      ¥0.4348
    • 150+

      ¥0.376
    • 500+

      ¥0.3319
    • 3000+

      ¥0.2673
    • 6000+

      ¥0.2497
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.3A,48mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5595
    • 50+

      ¥0.4494
    • 150+

      ¥0.3927
    • 500+

      ¥0.3461
    • 3000+

      ¥0.2916
    • 6000+

      ¥0.2806
  • 有货
  • 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册
    • 20+

      ¥0.5742
    • 200+

      ¥0.4622
    • 600+

      ¥0.4062
    • 2500+

      ¥0.3565
    • 10000+

      ¥0.3229
    • 20000+

      ¥0.306
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 栅极电压低至4.5V时可工作。 VDS = 30V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 13mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6433
    • 50+

      ¥0.5113
    • 150+

      ¥0.4453
    • 500+

      ¥0.3958
    • 3000+

      ¥0.2999
    • 6000+

      ¥0.28
  • 有货
  • P沟道,-30V,-12A,9.5mΩ@10V,-12A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6482
    • 50+

      ¥0.5483
    • 150+

      ¥0.4984
    • 500+

      ¥0.461
    • 3000+

      ¥0.431
    • 6000+

      ¥0.416
  • 有货
  • P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.51
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,25mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.81
    • 10+

      ¥9.21
    • 25+

      ¥8.2
    • 100+

      ¥7.17
    • 500+

      ¥6.71
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • 特性:功率耗散。 标记:HF
    数据手册
    • 100+

      ¥0.034317 ¥0.0369
    • 1000+

      ¥0.030318 ¥0.0326
    • 3000+

      ¥0.025575 ¥0.0275
    • 9000+

      ¥0.024273 ¥0.0261
    • 51000+

      ¥0.023064 ¥0.0248
    • 99000+

      ¥0.022506 ¥0.0242
  • 有货
  • PNP硅外延平面晶体管
    数据手册
    • 100+

      ¥0.04016 ¥0.0502
    • 1000+

      ¥0.03152 ¥0.0394
    • 3000+

      ¥0.02552 ¥0.0319
    • 9000+

      ¥0.02264 ¥0.0283
    • 45000+

      ¥0.02008 ¥0.0251
    • 90000+

      ¥0.01872 ¥0.0234
  • 有货
  • 耐压:45V 电流:100mA NPN (hFE):1000@1mA,5V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.04716 ¥0.0524
    • 500+

      ¥0.03771 ¥0.0419
    • 3000+

      ¥0.0297 ¥0.033
    • 6000+

      ¥0.02655 ¥0.0295
    • 30000+

      ¥0.02385 ¥0.0265
    • 45000+

      ¥0.02232 ¥0.0248
  • 有货
  • 适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0515
    • 500+

      ¥0.0369
    • 6000+

      ¥0.032
    • 24000+

      ¥0.0301
    • 45000+

      ¥0.0288
  • 有货
  • 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0539
    • 1000+

      ¥0.0431
    • 3000+

      ¥0.0321
    • 9000+

      ¥0.0285
    • 51000+

      ¥0.0253
    • 99000+

      ¥0.0236
  • 有货
  • 特性:与MMBT3906互补。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05586 ¥0.0588
    • 500+

      ¥0.044935 ¥0.0473
    • 3000+

      ¥0.03572 ¥0.0376
    • 6000+

      ¥0.03211 ¥0.0338
    • 24000+

      ¥0.02888 ¥0.0304
    • 51000+

      ¥0.027265 ¥0.0287
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补NPN类型(MMBT2222A)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0575
    • 500+

      ¥0.0507
    • 3000+

      ¥0.0433
    • 6000+

      ¥0.0411
    • 24000+

      ¥0.0391
    • 51000+

      ¥0.0381
  • 有货
  • 特性:与S9015互补。 出色的hFE线性度。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.059565 ¥0.0627
    • 500+

      ¥0.047595 ¥0.0501
    • 3000+

      ¥0.03857 ¥0.0406
    • 6000+

      ¥0.034485 ¥0.0363
    • 24000+

      ¥0.031065 ¥0.0327
    • 51000+

      ¥0.029165 ¥0.0307
  • 有货
  • 小体积
    • 50+

      ¥0.0603 ¥0.067
    • 500+

      ¥0.04617 ¥0.0513
    • 3000+

      ¥0.04356 ¥0.0484
    • 6000+

      ¥0.03888 ¥0.0432
    • 24000+

      ¥0.03483 ¥0.0387
    • 51000+

      ¥0.03258 ¥0.0362
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 200(典型值),VCE = 6V,IC = 1mA。 高电压:VCEO = 50V。 表面贴装器件。 与2SA812互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.060325 ¥0.0635
    • 500+

      ¥0.0475 ¥0.05
    • 3000+

      ¥0.042085 ¥0.0443
    • 6000+

      ¥0.03781 ¥0.0398
    • 24000+

      ¥0.034105 ¥0.0359
    • 51000+

      ¥0.03211 ¥0.0338
  • 有货
  • 特性:与SS8550互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0608
    • 500+

      ¥0.0508
    • 3000+

      ¥0.0388
    • 6000+

      ¥0.0355
    • 24000+

      ¥0.0326
    • 51000+

      ¥0.0311
  • 有货
  • 专为通用开关和放大器应用而设计。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06687 ¥0.0743
    • 500+

      ¥0.05229 ¥0.0581
    • 2000+

      ¥0.04635 ¥0.0515
    • 5000+

      ¥0.04149 ¥0.0461
    • 25000+

      ¥0.03726 ¥0.0414
    • 50000+

      ¥0.03492 ¥0.0388
  • 有货
  • 专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.07176 ¥0.0897
    • 500+

      ¥0.0568 ¥0.071
    • 3000+

      ¥0.04288 ¥0.0536
    • 6000+

      ¥0.03784 ¥0.0473
    • 24000+

      ¥0.0336 ¥0.042
    • 45000+

      ¥0.0312 ¥0.039
  • 有货
  • 丝印: M6
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0734
    • 500+

      ¥0.058
    • 3000+

      ¥0.0494
    • 6000+

      ¥0.0443
    • 24000+

      ¥0.0399
    • 51000+

      ¥0.0375
  • 有货
  • 本款SOT-23封装NPN型三极管,具有25V高耐压VCEO及1.5A大电流处理能力,放大倍数稳定在200至300区间,特别适用于需要高效能、大电流信号放大的电子应用场合。
    • 50+

      ¥0.0734
    • 500+

      ¥0.0572
    • 3000+

      ¥0.0481
    • 6000+

      ¥0.0427
    • 24000+

      ¥0.0381
    • 51000+

      ¥0.0355
  • 有货
  • 耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@50mA,1V
    • 50+

      ¥0.075395 ¥0.0887
    • 500+

      ¥0.05933 ¥0.0698
    • 3000+

      ¥0.050405 ¥0.0593
    • 6000+

      ¥0.04505 ¥0.053
    • 24000+

      ¥0.040375 ¥0.0475
    • 51000+

      ¥0.03791 ¥0.0446
  • 有货
  • 特性:与S9012互补。 功率耗散:300mW。 高稳定性和高可靠性。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.076285 ¥0.0803
    • 500+

      ¥0.06061 ¥0.0638
    • 3000+

      ¥0.047025 ¥0.0495
    • 6000+

      ¥0.0418 ¥0.044
    • 24000+

      ¥0.03724 ¥0.0392
    • 51000+

      ¥0.03477 ¥0.0366
  • 有货
  • 特性:与SS8050互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.07904 ¥0.0832
    • 500+

      ¥0.06156 ¥0.0648
    • 3000+

      ¥0.057285 ¥0.0603
    • 6000+

      ¥0.05149 ¥0.0542
    • 24000+

      ¥0.046455 ¥0.0489
    • 51000+

      ¥0.0437 ¥0.046
  • 有货
  • 特性:非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(BC807)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0819 ¥0.091
    • 500+

      ¥0.06489 ¥0.0721
    • 3000+

      ¥0.05463 ¥0.0607
    • 6000+

      ¥0.04896 ¥0.0544
    • 24000+

      ¥0.04401 ¥0.0489
    • 51000+

      ¥0.0414 ¥0.046
  • 有货
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