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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
型号：MDT18N20 编号：C5355275
封装：TO-252
品牌：minos(迈诺斯)
MDT18N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用领域。
数据手册

  • 5+

    ￥1.7646

  • 50+

    ￥1.3929

  • 150+

    ￥1.2336

  • 500+

    ￥1.0349

  • 2500+

    ￥0.8795

  • 5000+

    ￥0.8263
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:13A 50A
    型号：AOD4184A 编号：C99124
    封装：TO-252
    品牌：AOS
    AOD4184A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0436

    • 50+

      ￥1.6174

    • 150+

      ￥1.4093

    • 500+

      ￥1.2236

    • 2500+

      ￥1.0507

    • 5000+

      ￥1.02
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:55V 电流:42A
    型号：IRF4905STRL(UMW) 编号：C7471852
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：结工作温度为150℃。 开关速度快。 重复雪崩额定值提高。 先进的工艺技术。 超低导通电阻。 工作温度为50℃。 允许重复雪崩至最大结温

    • 1+

      ￥2.55

    • 10+

      ￥1.99

    • 30+

      ￥1.75

    • 100+

      ￥1.45

    • 500+

      ￥1.31

    • 1000+

      ￥1.23
  • 有货
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    P沟道 耐压:55V 电流:74A
    型号：IRF4905(UMW) 编号：C18207551
    封装：TO-220
    品牌：UMW(友台半导体)
    MOS管

    • 1+

      ￥2.68

    • 10+

      ￥2.09

    • 50+

      ￥1.84

    • 100+

      ￥1.53

    • 500+

      ￥1.39

    • 1000+

      ￥1.31
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：NCE60P50K 编号：C130104
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    P沟道，-60V，-50A，23毫欧。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.47

    • 10+

      ￥2.67

    • 30+

      ￥2.33

    • 100+

      ￥1.9

    • 500+

      ￥1.71

    • 1000+

      ￥1.59
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
    型号：WSD40P10DN56 编号：C2880523
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.58

    • 10+

      ￥2.87

    • 30+

      ￥2.57

    • 100+

      ￥2.19

    • 500+

      ￥1.85

    • 1000+

      ￥1.74
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：IRFH7084TRPBF 编号：C537895
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：半桥和全桥拓扑。 同步整流应用
    数据手册

    • 1+

      ￥6.01

    • 10+

      ￥5.01

    • 30+

      ￥4.51

    • 100+

      ￥3.8095 ￥4.01

    • 500+

      ￥2.85 ￥3

    • 1000+

      ￥2.7075 ￥2.85
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:200V 电流:11A
    型号：IRF9640PBF 编号：C2628
    封装：TO-220AB
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.22

    • 10+

      ￥4.99

    • 50+

      ￥4.38

    • 100+

      ￥3.77

    • 500+

      ￥3.4

    • 1000+

      ￥3.21
  • 有货
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    电流:500mA 电压:25V
    型号：S8550 编号：C916391
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为精密电子设备设计，提供高效、稳定的信号放大及开关控制功能。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.035802 ￥0.0459

    • 1000+

      ￥0.028626 ￥0.0367

    • 3000+

      ￥0.022854 ￥0.0293

    • 9000+

      ￥0.020436 ￥0.0262

    • 45000+

      ￥0.018408 ￥0.0236

    • 90000+

      ￥0.017238 ￥0.0221
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 200mA 40V
    型号：MMBT3906 编号：C916375
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计，是小型电子设备的理想半导体元件。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.038335 ￥0.0451

    • 1000+

      ￥0.03009 ￥0.0354

    • 3000+

      ￥0.024395 ￥0.0287

    • 9000+

      ￥0.02159 ￥0.0254

    • 45000+

      ￥0.01921 ￥0.0226

    • 90000+

      ￥0.017935 ￥0.0211
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3904 编号：C5184404
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有0.2A的电流和40V的电压处理能力，放大倍数介于100至300之间，适用于高速操作，频率可达300MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0487

    • 1000+

      ￥0.0398

    • 3000+

      ￥0.0281

    • 9000+

      ￥0.0251

    • 51000+

      ￥0.0225

    • 99000+

      ￥0.0211
  • 有货
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    PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550 Y2 编号：C42441797
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

    • 100+

      ￥0.0522

    • 1000+

      ￥0.0414

    • 3000+

      ￥0.0354

    • 9000+

      ￥0.0318

    • 51000+

      ￥0.0287

    • 99000+

      ￥0.027
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857B 编号：C5261079
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款三极管为PNP型，适用于低电流、中电压场景。具备200-450倍的放大倍数和100MHz的高频率响应，表现出色的电性能。适用于通信设备、仪表仪器等领域，确保信号放大和处理的稳定性与高效性。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.05301 ￥0.0558

    • 500+

      ￥0.042275 ￥0.0445

    • 3000+

      ￥0.03382 ￥0.0356

    • 6000+

      ￥0.03021 ￥0.0318

    • 24000+

      ￥0.027075 ￥0.0285

    • 51000+

      ￥0.02546 ￥0.0268
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.6A 电压:160V
    型号：MMBT5551 G1 编号：C46956352
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

    • 50+

      ￥0.0538

    • 500+

      ￥0.0425

    • 3000+

      ￥0.0362

    • 6000+

      ￥0.0324

    • 24000+

      ￥0.0291

    • 51000+

      ￥0.0273
  • 有货
    • 立即购买
    HFE=200～350 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9013 编号：C511901
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：与S9012互补。 高稳定性和高可靠性
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0582

    • 500+

      ￥0.0508

    • 3000+

      ￥0.0454

    • 6000+

      ￥0.0429

    • 24000+

      ￥0.0408

    • 51000+

      ￥0.0396
  • 有货
    • 立即购买
    低导通电阻MOSFET 1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138 编号：C2874697
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06256 ￥0.0782

    • 500+

      ￥0.0492 ￥0.0615

    • 3000+

      ￥0.03848 ￥0.0481

    • 6000+

      ￥0.03408 ￥0.0426

    • 24000+

      ￥0.03016 ￥0.0377

    • 45000+

      ￥0.02808 ￥0.0351
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846B 编号：C5338312
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有0.1A的电流和65V的电压处理能力。其放大倍数介于200至450之间，适用于精密信号放大。在100MHz频率下表现出色，适合高速开关应用。该元器件为设计提供了可靠且高效的选择。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.06498 ￥0.0684

    • 200+

      ￥0.052535 ￥0.0553

    • 600+

      ￥0.0456 ￥0.048

    • 3000+

      ￥0.037525 ￥0.0395

    • 9000+

      ￥0.033915 ￥0.0357

    • 21000+

      ￥0.03192 ￥0.0336
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：LMBT5551LT1G 编号：C49188
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0698

    • 200+

      ￥0.0542

    • 600+

      ￥0.0455

    • 3000+

      ￥0.0402

    • 9000+

      ￥0.0357

    • 21000+

      ￥0.0333
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847 编号：C475630
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：低电流（最大100mA）。 低电压（最大65V）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.08189 ￥0.0862

    • 500+

      ￥0.064885 ￥0.0683

    • 3000+

      ￥0.051205 ￥0.0539

    • 6000+

      ￥0.0456 ￥0.048

    • 24000+

      ￥0.04066 ￥0.0428

    • 51000+

      ￥0.038 ￥0.04
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4401 编号：C916376
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为中等电压、中等电流环境下的线性和开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.084405 ￥0.0993

    • 500+

      ￥0.066045 ￥0.0777

    • 3000+

      ￥0.054145 ￥0.0637

    • 6000+

      ￥0.048025 ￥0.0565

    • 24000+

      ￥0.04267 ￥0.0502

    • 45000+

      ￥0.03978 ￥0.0468
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.5A 电压:45V
    型号：BC817-40 编号：C545563
    封装：SOT-23-3
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BC807（PNP）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0854

    • 500+

      ￥0.0663

    • 3000+

      ￥0.0508

    • 6000+

      ￥0.0445

    • 24000+

      ￥0.039

    • 51000+

      ￥0.036
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817 编号：C466643
    封装：SOT-23
    品牌：High Diode(海德)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BC807（PNP）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0873

    • 500+

      ￥0.0699

    • 3000+

      ￥0.0559

    • 6000+

      ￥0.0507

    • 24000+

      ￥0.0472

    • 51000+

      ￥0.045
  • 有货
    • 立即购买
    J3Y(J3Y表示丝印) NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2836081
    封装：SOT-523
    品牌：CBI(创基)
    J3Y(J3Y表示丝印)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0942

    • 500+

      ￥0.0748

    • 3000+

      ￥0.0597

    • 6000+

      ￥0.0532

    • 24000+

      ￥0.0476

    • 51000+

      ￥0.0446
  • 有货
    • 立即购买
    2TY(2TY表示丝印) PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550 编号：C2836082
    封装：SOT-523
    品牌：CBI(创基)
    PNP 电流:0.5A 电压:25V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1001

    • 200+

      ￥0.0785

    • 600+

      ￥0.0665

    • 3000+

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    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40 编号：C181152
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与BC817互补。 高集电极电流。 外延平面管芯结构。 高电流增益。 表面贴装器件
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    100~300 PNP 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMBT2907A(RANGE:100-300) 编号：C43692
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补的NPN类型
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    100~300 NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4401(RANGE:100-300) 编号：C2144
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印2X
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.8A
    型号：MDD2301 编号：C427391
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
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    hfe=250~600 NPN 电流:0.5A 电压:45V
    型号：BC817-40(RANGE:250-600) 编号：C8589
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BC807（PNP）
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    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C266594
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：高集电极电流，与SS8550互补
    数据手册

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