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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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电流:1.5A 电压:25V
型号：PXT8050 编号：C20628878
封装：SOT-89-3L
品牌：FOSAN(富捷/富信)
集基耐压：40V 特性：适合大电流高功率信号放大

  • 50+

    ￥0.1095

  • 500+

    ￥0.0847

  • 2000+

    ￥0.0709

  • 5000+

    ￥0.0626

  • 25000+

    ￥0.0554

  • 50000+

    ￥0.0516
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002 编号：C727149
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA
    数据手册

    • 50+

      ￥0.09462 ￥0.0996

    • 500+

      ￥0.07391 ￥0.0778

    • 3000+

      ￥0.056905 ￥0.0599

    • 6000+

      ￥0.04997 ￥0.0526

    • 24000+

      ￥0.043985 ￥0.0463

    • 51000+

      ￥0.040755 ￥0.0429
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40 编号：C5184433
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款三极管为PNP型，适用于低电流、中等电压的应用场景。其电流为0.5A，电压可达45V，放大倍数在250-600之间，频率响应达到100MHz。该元器件具有优良的放大性能和较高的频率响应能力，可广泛应用于各类电子系统中。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0954

    • 500+

      ￥0.0764

    • 3000+

      ￥0.0639

    • 6000+

      ￥0.0575

    • 24000+

      ￥0.052

    • 51000+

      ￥0.0491
  • 有货
    • 立即购买
    H档(200-350) PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550 2TY(RANGE:200-350) 编号：C2147
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印2TY
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1035

    • 500+

      ￥0.083

    • 3000+

      ￥0.0716

    • 6000+

      ￥0.0648

    • 24000+

      ￥0.0588

    • 51000+

      ￥0.0556
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：BSS123 编号：C5184436
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级N沟道MOSFET采用小巧SOT-23封装，适用于100V高压系统，额定电流为0.2A，特别适合于低功耗电子设备的电源开关和信号控制。具备卓越的低导通电阻与快速切换性能，有效提升能效并确保在各类应用中的稳定运行。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.106168 ￥0.1154

    • 200+

      ￥0.086296 ￥0.0938

    • 600+

      ￥0.075256 ￥0.0818

    • 3000+

      ￥0.06072 ￥0.066

    • 9000+

      ￥0.054924 ￥0.0597

    • 21000+

      ￥0.051796 ￥0.0563
  • 有货
    • 立即购买
    电流:500mA 电压:300V
    型号：MMBTA92 编号：C916395
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适合于高电压、低至中等电流应用环境下的精密放大及开关电路设计，是您高压电子设备项目的优选组件。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.10621 ￥0.1118

    • 500+

      ￥0.083125 ￥0.0875

    • 3000+

      ￥0.06802 ￥0.0716

    • 6000+

      ￥0.060325 ￥0.0635

    • 24000+

      ￥0.053675 ￥0.0565

    • 45000+

      ￥0.050065 ￥0.0527
  • 有货
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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904T 编号：C5189254
    封装：SOT-523
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1143

    • 500+

      ￥0.09

    • 3000+

      ￥0.0732

    • 6000+

      ￥0.0651

    • 24000+

      ￥0.0581

    • 51000+

      ￥0.0543
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
    型号：2N7002T 编号：C7507460
    封装：SOT-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。

    • 20+

      ￥0.12331 ￥0.1298

    • 200+

      ￥0.09823 ￥0.1034

    • 600+

      ￥0.08417 ￥0.0886

    • 3000+

      ￥0.074575 ￥0.0785

    • 9000+

      ￥0.06726 ￥0.0708

    • 21000+

      ￥0.063365 ￥0.0667
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SI2301 编号：C727151
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@4.5V,2.8A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.12861 ￥0.1429

    • 200+

      ￥0.10395 ￥0.1155

    • 600+

      ￥0.09027 ￥0.1003

    • 3000+

      ￥0.07263 ￥0.0807

    • 9000+

      ￥0.06552 ￥0.0728

    • 21000+

      ￥0.06165 ￥0.0685
  • 有货
    • 立即购买
    A19T 1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：AO3401CI-MS 编号：C2836398
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    AO3401CI - MS 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AO3401CI - MS 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.13545 ￥0.1505

    • 200+

      ￥0.10629 ￥0.1181

    • 600+

      ￥0.09009 ￥0.1001

    • 3000+

      ￥0.07254 ￥0.0806

    • 9000+

      ￥0.06417 ￥0.0713

    • 21000+

      ￥0.05958 ￥0.0662
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 电流:0.2A
    型号：BSS138 编号：C112239
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    N沟道，60V，0.2A，RDS(on) = 3.5Ω@5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.13813 ￥0.1454

    • 200+

      ￥0.111625 ￥0.1175

    • 600+

      ￥0.096995 ￥0.1021

    • 3000+

      ￥0.07125 ￥0.075

    • 9000+

      ￥0.063555 ￥0.0669

    • 21000+

      ￥0.05947 ￥0.0626
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A-MS 编号：C19632011
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：30V, 5.8 A, RDS(ON) = 20mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。 适用于2.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。 负载开关

    • 20+

      ￥0.149055 ￥0.1569

    • 200+

      ￥0.11571 ￥0.1218

    • 600+

      ￥0.097185 ￥0.1023

    • 3000+

      ￥0.085405 ￥0.0899

    • 9000+

      ￥0.07581 ￥0.0798

    • 21000+

      ￥0.070585 ￥0.0743
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：JSM2302A-A2SHB 编号：C2905536
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1634 ￥0.172

    • 200+

      ￥0.12749 ￥0.1342

    • 600+

      ￥0.10754 ￥0.1132

    • 3000+

      ￥0.09253 ￥0.0974

    • 9000+

      ￥0.08208 ￥0.0864

    • 21000+

      ￥0.076475 ￥0.0805
  • 有货
    • 立即购买
    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：8205A 编号：C2762931
    封装：SOT-23-6
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    高密度电池设计，可实现极低的RDS。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.16749 ￥0.1861

    • 100+

      ￥0.14769 ￥0.1641

    • 300+

      ￥0.13779 ￥0.1531

    • 3000+

      ￥0.12276 ￥0.1364

    • 6000+

      ￥0.11682 ￥0.1298

    • 9000+

      ￥0.11385 ￥0.1265
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002DW 编号：C5190214
    封装：SOT-363
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：低导通电阻：当 VDS = 60V，ID = 300mA，VGS = 10V 时，RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护
    数据手册

    • 20+

      ￥0.180975 ￥0.1905

    • 200+

      ￥0.14402 ￥0.1516

    • 600+

      ￥0.1235 ￥0.13

    • 3000+

      ￥0.1064 ￥0.112

    • 9000+

      ￥0.09576 ￥0.1008

    • 21000+

      ￥0.089965 ￥0.0947
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C2938368
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

    • 20+

      ￥0.18615 ￥0.219

    • 200+

      ￥0.14943 ￥0.1758

    • 600+

      ￥0.12903 ￥0.1518

    • 3000+

      ￥0.09724 ￥0.1144

    • 9000+

      ￥0.086615 ￥0.1019

    • 30000+

      ￥0.08092 ￥0.0952
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：SI2307A 编号：C347490
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2072

    • 200+

      ￥0.1638

    • 600+

      ￥0.1396

    • 3000+

      ￥0.1096

    • 9000+

      ￥0.097

    • 21000+

      ￥0.0903
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
    型号：2N7002EM3T5G 编号：C907843
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2363

    • 200+

      ￥0.1837

    • 600+

      ￥0.1545

    • 2000+

      ￥0.1369

    • 8000+

      ￥0.1065

    • 16000+

      ￥0.0983
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817W,115 编号：C75566
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    采用超小型SOT323（SC70）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2616

    • 100+

      ￥0.2107

    • 300+

      ￥0.1853

    • 3000+

      ￥0.161214 ￥0.1662

    • 6000+

      ￥0.146373 ￥0.1509

    • 9000+

      ￥0.138904 ￥0.1432
  • 有货
    • 立即购买
    P通道,电流:-4.9A,耐压:-20V
    型号：AO3415A 编号：C5350990
    封装：SOT-23-3L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.2889

    • 10+

      ￥0.2234

    • 30+

      ￥0.1906

    • 100+

      ￥0.166

    • 500+

      ￥0.1464

    • 1000+

      ￥0.1365
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:4.4A
    型号：SI2319A 编号：C545576
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=40V。 RDS(ON)<70mΩ(VGS=10V), ID=- 4.4A。 RDS(ON)<95mΩ(VGS=4.5V), ID=- 3.5A。应用：DC/DC转换器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.294

    • 100+

      ￥0.2327

    • 300+

      ￥0.202

    • 3000+

      ￥0.1579

    • 6000+

      ￥0.1395

    • 9000+

      ￥0.1303
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
    型号：SI2319 编号：C5337197
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压40V，支持高达5A连续电流。具有低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.341

    • 100+

      ￥0.2805

    • 300+

      ￥0.2503

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    NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：BCP56 编号：C5345976
    封装：SOT-223
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有1A的电流处理能力和80V的耐压范围。其放大倍数介于100至250之间，适用于高精度信号放大。在频率方面，它可支持高达100MHz的信号处理，适用于高速电路设计。该元器件为电子设备的信号处理和放大提供了可靠的解决方案。
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A
    型号：DMP2035U-7 编号：C110499
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道,-20V,-3.6A,35mΩ@-4.5V
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    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807DS,115 编号：C191355
    封装：SC-74-6
    品牌：Nexperia(安世)
    采用SOT457（SC - 74）塑料封装的PNP/PNP通用双晶体管。NPN/NPN互补型：BC817DS；NPN/PNP互补型：BC817DPN。
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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BW,115 编号：C8659
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN通用晶体管，采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
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    耐压:20V 电流:4.1A
    型号：SI2323DS 编号：C5182044
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：AO4407 编号：C5224298
    封装：SOP8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:150mA
    型号：BSS123,215 编号：C78962
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,100V,150mA
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.3A
    型号：IRLML0030TRPBF 编号：C67272
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,5.3A,27mΩ@10V
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