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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
型号：BSC030N08NS5 编号：C501507
封装：TDSON-8(5x6)
品牌：Infineon(英飞凌)
特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
数据手册

  • 1+

    ￥5.25

  • 10+

    ￥4.42

  • 30+

    ￥3.83

  • 100+

    ￥3.1825 ￥3.35

  • 500+

    ￥3.04 ￥3.2

  • 1000+

    ￥2.945 ￥3.1
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：NCE6005AS 编号：C126151
    封装：SOP-8
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    双N沟道，60V，5A，26毫欧，并联用可达10A，
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1999

    • 10+

      ￥0.9227

    • 30+

      ￥0.8039

    • 100+

      ￥0.6557

    • 500+

      ￥0.5897

    • 1000+

      ￥0.55
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
    型号：BSS138PW,115 编号：C193366
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,320mA
    数据手册

    • 5+

      ￥1.899

    • 50+

      ￥1.5068

    • 150+

      ￥1.3387

    • 500+

      ￥1.09513 ￥1.129

    • 3000+

      ￥0.975917 ￥1.0061

    • 6000+

      ￥0.9215 ￥0.95
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
    型号：NCE6080K 编号：C341705
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.9372

    • 10+

      ￥1.4897

    • 30+

      ￥1.2979

    • 100+

      ￥1.0586

    • 500+

      ￥0.952

    • 1000+

      ￥0.888
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
    型号：WSD40P10DN56 编号：C2880523
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.58

    • 10+

      ￥2.87

    • 30+

      ￥2.57

    • 100+

      ￥2.19

    • 500+

      ￥1.85

    • 1000+

      ￥1.74
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
    型号：IRFR3607TRPBF 编号：C74775
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.02

    • 10+

      ￥3.47

    • 30+

      ￥3.08

    • 100+

      ￥2.622 ￥2.76

    • 500+

      ￥2.0235 ￥2.13

    • 1000+

      ￥1.9665 ￥2.07
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:110A
    型号：STP110N8F6 编号：C81146
    封装：TO-220
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.86

    • 10+

      ￥4

    • 50+

      ￥3.32

    • 100+

      ￥2.89

    • 500+

      ￥2.64

    • 1000+

      ￥2.5
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:250A
    型号：PSMN1R2-30YLD 编号：C22465456
    封装：LFPAK-56
    品牌：Nexperia(安世)
    采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当，但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用

    • 1+

      ￥6.02

    • 10+

      ￥4.94

    • 30+

      ￥4.4

    • 100+

      ￥3.7539 ￥3.87

    • 500+

      ￥3.4435 ￥3.55

    • 1500+

      ￥3.2786 ￥3.38
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V
    型号：CSD18540Q5B 编号：C86513
    封装：VSON-8(5x6)
    品牌：TI(德州仪器)
    CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
    数据手册

    • 1+

      ￥9.02

    • 10+

      ￥7.99

    • 30+

      ￥7.01

    • 100+

      ￥5.59

    • 500+

      ￥5.3

    • 1000+

      ￥5.15
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC1815 编号：C727146
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：功率耗散。 标记：HF
    数据手册

    • 100+

      ￥0.034317 ￥0.0369

    • 1000+

      ￥0.030318 ￥0.0326

    • 3000+

      ￥0.025575 ￥0.0275

    • 9000+

      ￥0.024273 ￥0.0261

    • 51000+

      ￥0.023064 ￥0.0248

    • 99000+

      ￥0.022506 ￥0.0242
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906 编号：C909755
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    耐压:40V 电流:200mA PNP (hFE):300@10mA,1V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.03995 ￥0.047

    • 200+

      ￥0.031705 ￥0.0373

    • 600+

      ￥0.027115 ￥0.0319

    • 3000+

      ￥0.022185 ￥0.0261

    • 9000+

      ￥0.019805 ￥0.0233

    • 30000+

      ￥0.01853 ￥0.0218
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904 编号：C916374
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为中等电压、微至小电流应用环境设计，是您进行精密放大与开关电路的理想半导体器件。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.04023 ￥0.0447

    • 1000+

      ￥0.0315 ￥0.035

    • 3000+

      ￥0.02547 ￥0.0283

    • 9000+

      ￥0.02259 ￥0.0251

    • 45000+

      ￥0.02007 ￥0.0223

    • 90000+

      ￥0.01863 ￥0.0207
  • 有货
    • 立即购买
    NPN型硅外延平面晶体管
    型号：BC847B 编号：C426568
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 推荐使用PNP晶体管作为互补类型
    数据手册

    • 100+

      ￥0.04313 ￥0.0454

    • 1000+

      ￥0.03458 ￥0.0364

    • 3000+

      ￥0.02679 ￥0.0282

    • 9000+

      ￥0.02394 ￥0.0252

    • 51000+

      ￥0.02147 ￥0.0226

    • 99000+

      ￥0.02014 ￥0.0212
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550 编号：C2891805
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与S8050互补。 集电极电流：lc = 0.5A
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0447

    • 500+

      ￥0.0354

    • 3000+

      ￥0.0275

    • 6000+

      ￥0.0244

    • 24000+

      ￥0.0217

    • 51000+

      ￥0.0203
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.1A 电压:45V
    型号：BC857B 编号：C556165
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0475 ￥0.05

    • 1000+

      ￥0.037715 ￥0.0397

    • 3000+

      ￥0.03059 ￥0.0322

    • 9000+

      ￥0.027265 ￥0.0287

    • 51000+

      ￥0.02451 ￥0.0258

    • 99000+

      ￥0.02299 ￥0.0242
  • 有货
    • 立即购买
    L6(300~400) NPN 电流:100mA 电压:50V
    型号：2SC1623（L6） 编号：C181167
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：高直流电流增益：hFE = 200（典型值），VCE = 6V，IC = 1mA。 高电压：VCEO = 50V。 表面贴装器件。 与2SA812互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.04997 ￥0.0526

    • 500+

      ￥0.039235 ￥0.0413

    • 3000+

      ￥0.034675 ￥0.0365

    • 6000+

      ￥0.031065 ￥0.0327

    • 24000+

      ￥0.02793 ￥0.0294

    • 51000+

      ￥0.02622 ￥0.0276
  • 有货
    • 立即购买
    H档 200-350 NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C727135
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：与S8550互补。集电极电流：IC = 0.5A
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0513

    • 500+

      ￥0.0405

    • 3000+

      ￥0.0307

    • 6000+

      ￥0.0271

    • 24000+

      ￥0.0239

    • 51000+

      ￥0.0222
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C909746
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    NPN 电流:500mA 耐压:25V (hFE):400@50mA,1V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.05616 ￥0.0624

    • 500+

      ￥0.04428 ￥0.0492

    • 3000+

      ￥0.03456 ￥0.0384

    • 6000+

      ￥0.0306 ￥0.034

    • 30000+

      ￥0.02718 ￥0.0302

    • 45000+

      ￥0.02538 ￥0.0282
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2931492
    封装：TO-92
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适合于低功耗、高增益应用场合，各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06001 ￥0.0706

    • 500+

      ￥0.04624 ￥0.0544

    • 2000+

      ￥0.04063 ￥0.0478

    • 5000+

      ￥0.03604 ￥0.0424

    • 25000+

      ￥0.032045 ￥0.0377

    • 50000+

      ￥0.029835 ￥0.0351
  • 有货
    • 立即购买
    200-400 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C2891806
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与SS8550互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0608

    • 500+

      ￥0.0509

    • 3000+

      ￥0.0389

    • 6000+

      ￥0.0356

    • 24000+

      ￥0.0327

    • 51000+

      ￥0.0311
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551 编号：C909756
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    直流电流增益(hFE)100-200
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06188 ￥0.0728

    • 500+

      ￥0.050405 ￥0.0593

    • 3000+

      ￥0.03587 ￥0.0422

    • 6000+

      ￥0.032045 ￥0.0377

    • 30000+

      ￥0.02873 ￥0.0338

    • 45000+

      ￥0.02686 ￥0.0316
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906 编号：C111114
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    40V,200mA,PNP三极管,hFE=100-400
    数据手册

    • 50+

      ￥0.062795 ￥0.0661

    • 500+

      ￥0.050065 ￥0.0527

    • 3000+

      ￥0.04085 ￥0.043

    • 6000+

      ￥0.03667 ￥0.0386

    • 24000+

      ￥0.032965 ￥0.0347

    • 51000+

      ￥0.031065 ￥0.0327
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=100~300 PNP 电流:0.6A 电压:40V
    型号：MMBT4403 编号：C727134
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：外延平面芯片结构。 有互补的NPN类型。 适用于中功率放大和开关
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0648

    • 500+

      ￥0.0569

    • 3000+

      ￥0.0457

    • 6000+

      ￥0.0431

    • 24000+

      ￥0.0408

    • 51000+

      ￥0.0396
  • 有货
    • 立即购买
    hfehfe=200~350 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C727137
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    丝印Y1
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0666 ￥0.074

    • 500+

      ￥0.05346 ￥0.0594

    • 3000+

      ￥0.04176 ￥0.0464

    • 6000+

      ￥0.03735 ￥0.0415

    • 24000+

      ￥0.03357 ￥0.0373

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      ￥0.0315 ￥0.035
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    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C909744
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    耐压:25V 电流:1.5A NPN (hFE):400@100mA,1V
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    • 50+

      ￥0.06681 ￥0.0786

    • 500+

      ￥0.05304 ￥0.0624

    • 3000+

      ￥0.04182 ￥0.0492

    • 6000+

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    • 30000+

      ￥0.033235 ￥0.0391

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      ￥0.03111 ￥0.0366
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    PNP 电流:600mA
    型号：MMBT2907A 编号：C916373
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.07512 ￥0.0939

    • 500+

      ￥0.06016 ￥0.0752

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      ￥0.04624 ￥0.0578

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    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-25 编号：C556162
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型（BC817）
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    • 50+

      ￥0.077615 ￥0.0817

    • 500+

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    • 24000+

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      ￥0.039045 ￥0.0411
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    hfe=200~350 PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S9012 编号：C111633
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：与S9013互补。 功率耗散：300mW。 高稳定性和高可靠性。 SOT-23封装
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      ￥0.08018 ￥0.0844

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      ￥0.04161 ￥0.0438

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      ￥0.03914 ￥0.0412
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：L2N7002LT1G 编号：C12779
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,60V,0.115A,225mW
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    • 50+

      ￥0.0805

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      ￥0.0627

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    • 6000+

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      ￥0.0417

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      ￥0.039
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    N沟道,电流:3.5A,耐压:20V
    型号：SI2302 编号：C5224179
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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      ￥0.0898

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      ￥0.0746

    • 3000+

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    • 6000+

      ￥0.056

    • 24000+

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