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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
型号：SI2302-HXY 编号：C4748714
封装：SOT-23
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
这款N型场效应管，适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V，确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。
数据手册

  • 100+

    ￥0.0871

  • 1000+

    ￥0.071

  • 3000+

    ￥0.0552

  • 9000+

    ￥0.0498

  • 51000+

    ￥0.0452

  • 99000+

    ￥0.0427
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：SI2301-A1SHB 编号：C28642376
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

    • 50+

      ￥0.088445 ￥0.0931

    • 500+

      ￥0.068115 ￥0.0717

    • 3000+

      ￥0.05909 ￥0.0622

    • 6000+

      ￥0.052345 ￥0.0551

    • 24000+

      ￥0.046455 ￥0.0489

    • 51000+

      ￥0.04332 ￥0.0456
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-40 编号：C609806
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BC807（PNP）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.094

    • 500+

      ￥0.0746

    • 3000+

      ￥0.0584

    • 6000+

      ￥0.0519

    • 24000+

      ￥0.0463

    • 51000+

      ￥0.0433
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A
    型号：SI2302A 编号：C347483
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 45mΩ (VGS = 4.5V)，ID = 3.6A。 RDS(ON) = 60mΩ (VGS = 2.5V)，ID = 3.1A。应用：电池保护。 其他开关应用
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1181

    • 500+

      ￥0.0925

    • 3000+

      ￥0.0751

    • 6000+

      ￥0.0666

    • 24000+

      ￥0.0592

    • 51000+

      ￥0.0553
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：2N7002K-7 编号：C85047
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.225

    • 200+

      ￥0.1799

    • 600+

      ￥0.1599

    • 3000+

      ￥0.1334

    • 9000+

      ￥0.1274

    • 21000+

      ￥0.1234
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002K-T1-GE3 编号：C81445
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3121

    • 100+

      ￥0.2637

    • 300+

      ￥0.2388

    • 3000+

      ￥0.1811

    • 6000+

      ￥0.1739

    • 9000+

      ￥0.169
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=160~320 PNP 电压:30V
    型号：B772(RANGE:160-320) 编号：C24278
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    hfe=160~320
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3628

    • 100+

      ￥0.2972

    • 300+

      ￥0.2635

    • 1000+

      ￥0.2168

    • 5000+

      ￥0.2071

    • 10000+

      ￥0.2005
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C306862
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3754

    • 200+

      ￥0.3101

    • 600+

      ￥0.2774

    • 3000+

      ￥0.1852

    • 9000+

      ￥0.1656

    • 21000+

      ￥0.1558
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：AO4435 编号：C2944310
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：-30V。 漏极电流（ID）：-12A。 导通电阻（RDS(ON)）< 20mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6216

    • 50+

      ￥0.4943

    • 150+

      ￥0.4306

    • 500+

      ￥0.3828

    • 3000+

      ￥0.289

    • 6000+

      ￥0.2699
  • 有货
    • 立即购买
    800mV@10nA
    型号：MMBFJ177LT1G 编号：C106763
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.7046

    • 10+

      ￥0.5638

    • 30+

      ￥0.4914

    • 100+

      ￥0.4317

    • 500+

      ￥0.4109

    • 1000+

      ￥0.3968
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：AP30P30Q 编号：C471913
    封装：PDFN3333-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7497

    • 50+

      ￥0.6615

    • 150+

      ￥0.6184

    • 500+

      ￥0.58

    • 2500+

      ￥0.5606

    • 5000+

      ￥0.5543
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:5A 电压:60V
    型号：ZXTN2010ZTA 编号：C122575
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ，低等效导通电阻。 低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，高电流增益保持。 互补 PNP 类型。应用：应急照明电路。 电机驱动（包括直流风扇）
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7425

    • 50+

      ￥1.4081

    • 150+

      ￥1.2449

    • 1000+

      ￥1.0643

    • 2000+

      ￥1.0243

    • 5000+

      ￥1.0003
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:49A
    型号：IRFZ44NPBF 编号：C2586
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8003

    • 50+

      ￥1.3011

    • 150+

      ￥1.1168

    • 500+

      ￥0.9523

    • 2500+

      ￥0.9072

    • 5000+

      ￥0.88
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
    型号：IRFB3607PBF 编号：C2647
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.33

    • 10+

      ￥1.81

    • 50+

      ￥1.51

    • 100+

      ￥1.28

    • 500+

      ￥1.22

    • 1000+

      ￥1.18
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
    型号：IRFP250NPBF 编号：C2580
    封装：TO-247AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.54

    • 10+

      ￥4.83

    • 25+

      ￥3.52

    • 100+

      ￥3.11

    • 400+

      ￥2.98

    • 800+

      ￥2.9
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:120-200 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 J3Y 编号：C42441446
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    hFE:120-200

    • 100+

      ￥0.0418

    • 1000+

      ￥0.0329

    • 3000+

      ￥0.028

    • 9000+

      ￥0.025

    • 51000+

      ￥0.0224

    • 99000+

      ￥0.021
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904 编号：C727127
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0437

    • 1000+

      ￥0.0348

    • 3000+

      ￥0.0268

    • 9000+

      ￥0.0238

    • 51000+

      ￥0.0212

    • 99000+

      ￥0.0198
  • 有货
    • 立即购买
    电流:500mA 电压:150V
    型号：MMBT5401 编号：C916371
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用，是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.054435 ￥0.0573

    • 500+

      ￥0.043225 ￥0.0455

    • 3000+

      ￥0.035055 ￥0.0369

    • 6000+

      ￥0.03135 ￥0.033

    • 24000+

      ￥0.02812 ￥0.0296

    • 45000+

      ￥0.026315 ￥0.0277
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550 编号：C916393
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为低至中等电压、大电流环境下的高增益放大及开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.059

    • 500+

      ￥0.0471

    • 3000+

      ￥0.0375

    • 6000+

      ￥0.0335

    • 24000+

      ￥0.0301

    • 45000+

      ￥0.0282
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904 编号：C181119
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与MMBT3906互补的表面贴装器件
    数据手册

    • 50+

      ￥0.059945 ￥0.0631

    • 500+

      ￥0.047975 ￥0.0505

    • 3000+

      ￥0.037335 ￥0.0393

    • 6000+

      ￥0.033345 ￥0.0351

    • 24000+

      ￥0.02983 ￥0.0314

    • 51000+

      ￥0.028025 ￥0.0295
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C5184427
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有0.5A的电流和25V的电压处理能力，放大倍数介于200-350之间，适用于高速操作，频率可达150MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0607

    • 500+

      ￥0.049

    • 3000+

      ￥0.0393

    • 6000+

      ￥0.0354

    • 24000+

      ￥0.032

    • 51000+

      ￥0.0302
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C908252
    封装：SOT-23
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：与S8550互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06152 ￥0.0769

    • 500+

      ￥0.04856 ￥0.0607

    • 3000+

      ￥0.04136 ￥0.0517

    • 6000+

      ￥0.03704 ￥0.0463

    • 24000+

      ￥0.03328 ￥0.0416

    • 51000+

      ￥0.0312 ￥0.039
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550 编号：C5184407
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款三极管为PNP型，适用于精确控制小电流。其电流为0.5A，电压可达25V，放大倍数介于200-350之间，最高频率响应为150MHz。适用于通信、仪表及消费电子等领域，确保信号处理的稳定性和精确性。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0645

    • 500+

      ￥0.0523

    • 3000+

      ￥0.0415

    • 6000+

      ￥0.0374

    • 24000+

      ￥0.0339

    • 51000+

      ￥0.032
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C2914407
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：与SS8550互补

    • 50+

      ￥0.068495 ￥0.0721

    • 500+

      ￥0.05415 ￥0.057

    • 3000+

      ￥0.042275 ￥0.0445

    • 6000+

      ￥0.03743 ￥0.0394

    • 24000+

      ￥0.033345 ￥0.0351

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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847B 编号：C181140
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与BC857互补。 非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 表面贴装器件
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    • 50+

      ￥0.07486 ￥0.0788

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    H档（200-350） NPN 电流:1500mA 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C181160
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与SS8550互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
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    • 50+

      ￥0.08265 ￥0.087

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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222A 编号：C727131
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP型（MMBT2907A）
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      ￥0.0859

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：AO3401-ED 编号：C4748724
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。
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      ￥0.1214

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SI2301A 编号：C347482
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)-20V，Ip = -2.8A。 RDS(ON)<0.112Ω(VGS = -4.5V)。 RDS(ON)<0.142Ω(VGS = -2.5V)。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
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      ￥0.1342

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      ￥0.1024

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400-HXY 编号：C4748804
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压30V，可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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