电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO3400A 编号：C5224194

封装：SOT23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.1501
200+
￥0.1258
600+
￥0.1123
3000+
￥0.1042
9000+
￥0.0971
21000+
￥0.0933

有货

立即购买

型号：SS8050W 编号：C5189252

封装：SOT-323

品牌：TWGMC(迪嘉)

?晶体管类型：NPN集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA

数据手册

50+
￥0.1214
500+
￥0.0955
3000+
￥0.079
6000+
￥0.0704
24000+
￥0.0629
51000+
￥0.0589

有货

立即购买

型号：AO3400-HXY 编号：C4748804

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压30V，可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

50+
￥0.1268
500+
￥0.1022
3000+
￥0.0788
6000+
￥0.0706
24000+
￥0.0635
51000+
￥0.0597

有货

立即购买

型号：2N5551 编号：C7529570

封装：SOT-23

品牌：RUILON(瑞隆源)

特性：产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力

20+
￥0.189376 ￥0.2152
200+
￥0.148368 ￥0.1686
600+
￥0.125576 ￥0.1427
3000+
￥0.111936 ￥0.1272
9000+
￥0.100144 ￥0.1138
21000+
￥0.09372 ￥0.1065

有货

立即购买

型号：SI2305 编号：C181088

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：高密集单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。坚固可靠。外壳材料：模塑塑料

数据手册

20+
￥0.196935 ￥0.2073
200+
￥0.155895 ￥0.1641
600+
￥0.133095 ￥0.1401
3000+
￥0.117135 ￥0.1233
9000+
￥0.10526 ￥0.1108
21000+
￥0.098895 ￥0.1041

有货

立即购买

型号：SI2302 编号：C344009

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,N-channel 20V/10V 4A VGS(th)=0.9V 30mΩ@3A&4.5V,SOT-23

数据手册

20+
￥0.2006
200+
￥0.1601
600+
￥0.1376
3000+
￥0.1113
9000+
￥0.0996
21000+
￥0.0933

有货

立即购买

型号：SI2310 编号：C2938374

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:60V 电流:3A适用于电源开关和信号控制

数据手册

20+
￥0.20601 ￥0.2289
200+
￥0.16704 ￥0.1856
600+
￥0.14544 ￥0.1616
3000+
￥0.11475 ￥0.1275
9000+
￥0.1035 ￥0.115
30000+
￥0.09747 ￥0.1083

有货

立即购买

型号：SI2318A 编号：C2681218

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 40V。 ID = 5.6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 36mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = 4.5V)

数据手册

20+
￥0.2357
200+
￥0.1825
600+
￥0.1529
3000+
￥0.124
9000+
￥0.1086
21000+
￥0.1004

有货

立即购买

型号：AO3416A 编号：C347499

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。可在低至1.8V的栅极电压下工作。适用于负载开关或PWM应用。具备ESD保护。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 33mΩ(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 51mΩ(VGS = 1.8V)

数据手册