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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关性能。
数据手册
  • 1+

    ¥5.63
  • 10+

    ¥4.91
  • 30+

    ¥4.24
  • 100+

    ¥3.73
  • 500+

    ¥3.53
  • 1000+

    ¥3.42
  • 有货
  • 特性:NPN互补于BCX54、BCX55、BCX56。 低电压。 高电流。应用:中功率通用。 音频放大器的驱动级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2769
    • 100+

      ¥0.2256
    • 300+

      ¥0.1993
    • 1000+

      ¥0.1776
    • 5000+

      ¥0.17
    • 10000+

      ¥0.1648
  • 有货
  • N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.594
    • 50+

      ¥1.2693
    • 150+

      ¥1.1302
    • 500+

      ¥0.836626 ¥0.8537
    • 2000+

      ¥0.760872 ¥0.7764
    • 4000+

      ¥0.7154 ¥0.73
  • 有货
  • N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.23
    • 10+

      ¥3.59
    • 25+

      ¥2.97
    • 100+

      ¥2.6
    • 400+

      ¥2.48
    • 800+

      ¥2.41
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.3
    • 10+

      ¥4.62
    • 50+

      ¥3.8
    • 100+

      ¥3.41
    • 500+

      ¥3.28
    • 1000+

      ¥3.2
  • 有货
  • 大电流SGT MOSFET产品
    • 1+

      ¥5.358 ¥5.64
    • 10+

      ¥4.4555 ¥4.69
    • 30+

      ¥3.819 ¥4.02
    • 100+

      ¥3.2965 ¥3.47
    • 500+

      ¥3.287 ¥3.46
    • 1000+

      ¥3.1825 ¥3.35
  • 有货
  • hFE:200-300 小芯片版本,大芯片搜索C916390,适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
    • 100+

      ¥0.0332
    • 1000+

      ¥0.0255
    • 3000+

      ¥0.0223
    • 9000+

      ¥0.0197
    • 45000+

      ¥0.0175
    • 90000+

      ¥0.0163
  • 有货
  • 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.055335 ¥0.0651
    • 500+

      ¥0.04301 ¥0.0506
    • 3000+

      ¥0.036125 ¥0.0425
    • 6000+

      ¥0.03196 ¥0.0376
    • 24000+

      ¥0.02839 ¥0.0334
    • 45000+

      ¥0.026435 ¥0.0311
  • 有货
  • 专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05542 ¥0.0652
    • 500+

      ¥0.043605 ¥0.0513
    • 3000+

      ¥0.034085 ¥0.0401
    • 6000+

      ¥0.030175 ¥0.0355
    • 24000+

      ¥0.026775 ¥0.0315
    • 45000+

      ¥0.024905 ¥0.0293
  • 有货
  • hFE:200-350
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05624 ¥0.0592
    • 500+

      ¥0.045695 ¥0.0481
    • 3000+

      ¥0.03705 ¥0.039
    • 6000+

      ¥0.033535 ¥0.0353
    • 24000+

      ¥0.030495 ¥0.0321
  • 有货
  • 特性:与SS8550互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.070015 ¥0.0737
    • 500+

      ¥0.055195 ¥0.0581
    • 3000+

      ¥0.04465 ¥0.047
    • 6000+

      ¥0.03971 ¥0.0418
    • 24000+

      ¥0.035435 ¥0.0373
    • 51000+

      ¥0.03306 ¥0.0348
  • 有货
  • 特性:VDS(V)-20V,Ip = -2.8A。 RDS(ON)<0.112Ω(VGS = -4.5V)。 RDS(ON)<0.142Ω(VGS = -2.5V)。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1115
    • 500+

      ¥0.0854
    • 3000+

      ¥0.0696
    • 6000+

      ¥0.061
    • 24000+

      ¥0.0534
    • 51000+

      ¥0.0494
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 45mΩ (VGS = 4.5V),ID = 3.6A。 RDS(ON) = 60mΩ (VGS = 2.5V),ID = 3.1A。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1123
    • 500+

      ¥0.0887
    • 3000+

      ¥0.0723
    • 6000+

      ¥0.0644
    • 24000+

      ¥0.0576
    • 51000+

      ¥0.0539
  • 有货
  • PNP开关晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN互补型号为PMBT2222A。40V变体型号为PMBT2907
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1405
    • 200+

      ¥0.1093
    • 600+

      ¥0.092
    • 3000+

      ¥0.079398 ¥0.0802
    • 9000+

      ¥0.070488 ¥0.0712
    • 21000+

      ¥0.065736 ¥0.0664
  • 有货
  • 小体积
    • 20+

      ¥0.1431
    • 200+

      ¥0.1118
    • 600+

      ¥0.0944
    • 3000+

      ¥0.0828
    • 9000+

      ¥0.0737
    • 21000+

      ¥0.0689
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,65mΩ@-10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2043
    • 200+

      ¥0.169
    • 600+

      ¥0.1494
    • 3000+

      ¥0.1376
    • 9000+

      ¥0.1274
    • 21000+

      ¥0.1219
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2153
    • 200+

      ¥0.165
    • 600+

      ¥0.137
    • 3000+

      ¥0.1176
    • 9000+

      ¥0.1031
    • 21000+

      ¥0.0952
  • 有货
  • 采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号:MMBT3906。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2522
    • 200+

      ¥0.1995
    • 600+

      ¥0.1731
    • 3000+

      ¥0.145597 ¥0.1501
    • 9000+

      ¥0.130174 ¥0.1342
    • 21000+

      ¥0.122511 ¥0.1263
  • 有货
  • N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3505
    • 50+

      ¥1.0432
    • 150+

      ¥0.8932
    • 500+

      ¥0.744212 ¥0.7594
    • 2000+

      ¥0.708148 ¥0.7226
    • 4000+

      ¥0.68649 ¥0.7005
  • 有货
  • P沟道,55V ,11A,175mΩ
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4285
    • 50+

      ¥1.1146
    • 150+

      ¥0.9614
    • 500+

      ¥0.8247
    • 2000+

      ¥0.7283
    • 4000+

      ¥0.7058
  • 有货
  • WSP4805是一款高性能沟槽式双P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4805符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1453
    • 10+

      ¥1.717
    • 30+

      ¥1.5334
    • 100+

      ¥1.3043
    • 500+

      ¥1.2023
    • 1000+

      ¥1.0944
  • 有货
  • 该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1575
    • 50+

      ¥1.6764
    • 150+

      ¥1.4416
    • 500+

      ¥1.2321
    • 2500+

      ¥1.1746
    • 5000+

      ¥1.14
  • 有货
  • P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装
    数据手册
    • 1+

      ¥2.63
    • 10+

      ¥2.08
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.5132 ¥1.56
    • 500+

      ¥1.3774 ¥1.42
    • 1000+

      ¥1.2707 ¥1.31
  • 有货
  • N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.09
    • 10+

      ¥9.84
    • 25+

      ¥7.78
    • 100+

      ¥6.97
    • 500+

      ¥6.6
    • 1000+

      ¥6.45
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关
    数据手册
    • 100+

      ¥0.03546 ¥0.0394
    • 1000+

      ¥0.02862 ¥0.0318
    • 3000+

      ¥0.0225 ¥0.025
    • 9000+

      ¥0.02025 ¥0.0225
    • 51000+

      ¥0.01827 ¥0.0203
    • 99000+

      ¥0.01719 ¥0.0191
  • 有货
  • 特性:与MMBT3906互补的表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.04503 ¥0.0474
    • 500+

      ¥0.036005 ¥0.0379
    • 3000+

      ¥0.028025 ¥0.0295
    • 6000+

      ¥0.02508 ¥0.0264
    • 24000+

      ¥0.02242 ¥0.0236
    • 51000+

      ¥0.020995 ¥0.0221
  • 有货
  • 这款NPN型三极管具有0.5A的电流和25V的电压处理能力,放大倍数介于200-350之间,适用于高速操作,频率可达150MHz。它为电子设备提供了可靠的性能,适合多种应用需求,确保电路的稳定性和高效性。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05
    • 500+

      ¥0.04
    • 3000+

      ¥0.0316
    • 6000+

      ¥0.0283
    • 24000+

      ¥0.0254
    • 51000+

      ¥0.0238
  • 有货
  • 适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05054 ¥0.0532
    • 500+

      ¥0.03895 ¥0.041
    • 3000+

      ¥0.033155 ¥0.0349
    • 6000+

      ¥0.02926 ¥0.0308
    • 24000+

      ¥0.025935 ¥0.0273
    • 45000+

      ¥0.024035 ¥0.0253
  • 有货
  • 适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用,是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05187 ¥0.0546
    • 500+

      ¥0.04066 ¥0.0428
    • 3000+

      ¥0.032585 ¥0.0343
    • 6000+

      ¥0.02888 ¥0.0304
    • 24000+

      ¥0.02565 ¥0.027
    • 45000+

      ¥0.023845 ¥0.0251
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.1A适用于电源开关和信号控制
    • 50+

      ¥0.05634 ¥0.0626
    • 500+

      ¥0.04419 ¥0.0491
    • 3000+

      ¥0.03744 ¥0.0416
    • 6000+

      ¥0.03339 ¥0.0371
    • 30000+

      ¥0.02988 ¥0.0332
    • 45000+

      ¥0.02799 ¥0.0311
  • 有货
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