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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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PNP 电流:1.5A 电压:25V
型号：SS8550 编号：C916393
封装：SOT-23
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
专为低至中等电压、大电流环境下的高增益放大及开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
数据手册

  • 50+

    ￥0.0565

  • 500+

    ￥0.0447

  • 3000+

    ￥0.035

  • 6000+

    ￥0.0311

  • 24000+

    ￥0.0276

  • 45000+

    ￥0.0258
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847B 编号：C181140
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与BC857互补。 非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 表面贴装器件
    数据手册

    • 50+

      ￥0.05795 ￥0.061

    • 500+

      ￥0.045885 ￥0.0483

    • 3000+

      ￥0.036955 ￥0.0389

    • 6000+

      ￥0.03287 ￥0.0346

    • 24000+

      ￥0.02945 ￥0.031

    • 51000+

      ￥0.02755 ￥0.029
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550 编号：C444726
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：高集电极电流。 与SS8050互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06289 ￥0.0662

    • 500+

      ￥0.05073 ￥0.0534

    • 3000+

      ￥0.03895 ￥0.041

    • 6000+

      ￥0.034865 ￥0.0367

    • 24000+

      ￥0.03135 ￥0.033

    • 51000+

      ￥0.02945 ￥0.031
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C908252
    封装：SOT-23
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：与S8550互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.065365 ￥0.0769

    • 500+

      ￥0.051595 ￥0.0607

    • 3000+

      ￥0.043945 ￥0.0517

    • 6000+

      ￥0.039355 ￥0.0463

    • 24000+

      ￥0.03536 ￥0.0416

    • 51000+

      ￥0.03315 ￥0.039
  • 有货
    • 立即购买
    L:100-200档位 NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551 编号：C181136
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    L:100-200档位
    数据手册

    • 50+

      ￥0.07106 ￥0.0748

    • 500+

      ￥0.056715 ￥0.0597

    • 3000+

      ￥0.045505 ￥0.0479

    • 6000+

      ￥0.040755 ￥0.0429

    • 24000+

      ￥0.036575 ￥0.0385

    • 51000+

      ￥0.03439 ￥0.0362
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-40 编号：C609806
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BC807（PNP）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.07543 ￥0.0794

    • 500+

      ￥0.059945 ￥0.0631

    • 3000+

      ￥0.04693 ￥0.0494

    • 6000+

      ￥0.041705 ￥0.0439

    • 24000+

      ￥0.03724 ￥0.0392

    • 51000+

      ￥0.03477 ￥0.0366
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：AO3401-ED 编号：C4748724
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1214

    • 500+

      ￥0.0979

    • 3000+

      ￥0.0753

    • 6000+

      ￥0.0675

    • 24000+

      ￥0.0607

    • 51000+

      ￥0.0571
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2301 编号：C181086
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：RDS(ON) ≤ 85mΩ @ VGS =-4.5V, ID =-3.0A 。 RDS(ON) ≤ 115mΩ @ VGS =-2.5V, ID =-1.0A 。 低导通电阻。 适用于低功率 DC-DC 转换器和负载开关应用。 表面贴装器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.128915 ￥0.1357

    • 200+

      ￥0.1007 ￥0.106

    • 600+

      ￥0.085025 ￥0.0895

    • 3000+

      ￥0.080845 ￥0.0851

    • 9000+

      ￥0.072675 ￥0.0765

    • 21000+

      ￥0.068305 ￥0.0719
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：AO3402 编号：C2938369
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

    • 20+

      ￥0.145255 ￥0.1529

    • 200+

      ￥0.114475 ￥0.1205

    • 600+

      ￥0.097375 ￥0.1025

    • 3000+

      ￥0.078565 ￥0.0827

    • 9000+

      ￥0.06973 ￥0.0734

    • 30000+

      ￥0.064885 ￥0.0683
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：PMBT3906,215 编号：C8670
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA
    数据手册

    • 20+

      ￥0.146

    • 200+

      ￥0.1158

    • 600+

      ￥0.099

    • 3000+

      ￥0.086233 ￥0.0889

    • 9000+

      ￥0.077794 ￥0.0802

    • 21000+

      ￥0.073235 ￥0.0755
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：AO3407 编号：C181093
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.191615 ￥0.2017

    • 200+

      ￥0.150005 ￥0.1579

    • 600+

      ￥0.12692 ￥0.1336

    • 3000+

      ￥0.118465 ￥0.1247

    • 9000+

      ￥0.106495 ￥0.1121

    • 21000+

      ￥0.100035 ￥0.1053
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：AO3415A 编号：C347479
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。 漏极电流ID为 -4A。 最大导通电阻RDS(ON)：在 -4.5V时为36mΩ，在 -2.5V时为60mΩ。 出色的导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2455

    • 200+

      ￥0.1898

    • 600+

      ￥0.1589

    • 3000+

      ￥0.1299

    • 9000+

      ￥0.1138

    • 21000+

      ￥0.1052
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:5A,耐压:100V
    型号：5N10-MS 编号：C5140036
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    5N10-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。5N10-MS符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.24738 ￥0.2604

    • 100+

      ￥0.20178 ￥0.2124

    • 300+

      ￥0.17898 ￥0.1884

    • 3000+

      ￥0.134235 ￥0.1413

    • 6000+

      ￥0.120555 ￥0.1269

    • 9000+

      ￥0.11362 ￥0.1196
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:240V 电流:0.11A
    型号：BSS131H6327 编号：C151498
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,240V,110mA,14Ω@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4649

    • 50+

      ￥0.3662

    • 150+

      ￥0.3168

    • 500+

      ￥0.274204 ￥0.2798

    • 3000+

      ￥0.245196 ￥0.2502

    • 6000+

      ￥0.230692 ￥0.2354
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：50N06 编号：C18164387
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)

    • 5+

      ￥0.586

    • 50+

      ￥0.4692

    • 150+

      ￥0.4091

    • 500+

      ￥0.3597

    • 2500+

      ￥0.3248

    • 5000+

      ￥0.3132
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
    型号：BSS138PS,115 编号：C193381
    封装：SOT-363(SC-88)
    品牌：Nexperia(安世)
    双N沟道,60V,320mA
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6217

    • 50+

      ￥0.4902

    • 150+

      ￥0.4244

    • 500+

      ￥0.371349 ￥0.3751

    • 3000+

      ￥0.332244 ￥0.3356

    • 6000+

      ￥0.312642 ￥0.3158
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：AP30P30Q 编号：C471913
    封装：PDFN3333-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6971

    • 50+

      ￥0.6088

    • 150+

      ￥0.5658

    • 500+

      ￥0.5273

    • 2500+

      ￥0.5168

    • 5000+

      ￥0.5104
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：PBSS4160T,215 编号：C426841
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23塑料封装的NPN型低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5160T。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.772

    • 50+

      ￥0.6077

    • 150+

      ￥0.5256

    • 500+

      ￥0.45936 ￥0.464

    • 3000+

      ￥0.410553 ￥0.4147

    • 6000+

      ￥0.3861 ￥0.39
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:5A 电压:60V
    型号：ZXTN2010ZTA 编号：C122575
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ，低等效导通电阻。 低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，高电流增益保持。 互补 PNP 类型。应用：应急照明电路。 电机驱动（包括直流风扇）
    数据手册

    • 5+

      ￥1.409

    • 50+

      ￥1.1062

    • 150+

      ￥0.9583

    • 1000+

      ￥0.7948

    • 2000+

      ￥0.7586

    • 5000+

      ￥0.7369
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
    型号：HYG009N04LS1C2 编号：C2890387
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：HUAYI(华羿微)
    40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.05mΩ（典型值）
    数据手册

    • 1+

      ￥4.1

    • 10+

      ￥3.52

    • 30+

      ￥3.11

    • 100+

      ￥2.77

    • 500+

      ￥2.15

    • 1000+

      ￥2.09
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:50A
    型号：IRFP260NPBF 编号：C2678
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.8

    • 10+

      ￥4.97

    • 25+

      ￥3.93

    • 100+

      ￥3.44

    • 350+

      ￥3.29

    • 1050+

      ￥3.2
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
    型号：IRFP460PBF 编号：C2595
    封装：TO-247AC-3
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,500V,20A,270mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥12.22

    • 10+

      ￥10.58

    • 25+

      ￥9.42

    • 100+

      ￥8.37

    • 500+

      ￥7.88

    • 1000+

      ￥7.69
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=100~300 PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906 编号：C727128
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：互补型：推荐使用NPN晶体管MMBT3904。 外延平面芯片结构
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0333 ￥0.037

    • 500+

      ￥0.02646 ￥0.0294

    • 3000+

      ￥0.02088 ￥0.0232

    • 6000+

      ￥0.01863 ￥0.0207

    • 24000+

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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904 1AM 编号：C2985655
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与MMBT3906互补。 集电极电流：Ic = 200mA
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    NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S9013 编号：C5184425
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该SOT-23封装的NPN型三极管，具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流，放大倍数在120至400之间，适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。
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    PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550 编号：C5184407
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款三极管为PNP型，适用于精确控制小电流。其电流为0.5A，电压可达25V，放大倍数介于200-350之间，最高频率响应为150MHz。适用于通信、仪表及消费电子等领域，确保信号处理的稳定性和精确性。
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    hFE:100-200 PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：MMBT5401 编号：C909757
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    直流电流增益(hFE)100-200
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    NPN 电流:0.6A 电压:40V
    型号：MMBT2222 编号：C2891810
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与MMBT2907互补
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SI2302-HXY 编号：C4748714
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N型场效应管，适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V，确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。
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    H档(200-350) PNP 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9012 2T1(RANGE:200-350) 编号：C8543
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印2T1
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