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首页 > 热门关键词 > 电力晶体管
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NPN通用晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
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  • 特性:VDS = 100V。 I0 = 0.17A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 便携式设备的负载开关。应用:电池保护。 负载开关
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      ¥0.1146
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      ¥0.0628
    • 51000+

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    • 50+

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    • 51000+

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  • 特性:VDS = 50V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6.0Ω。 沟槽功率中压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

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    • 600+

      ¥0.0895
    • 3000+

      ¥0.0791
    • 9000+

      ¥0.0701
    • 21000+

      ¥0.0653
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  • 特性:VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:接口负载开关
    • 20+

      ¥0.1457
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    • 600+

      ¥0.1003
    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.0761
    • 21000+

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  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1694
    • 200+

      ¥0.13
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    • 3000+

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    • 9000+

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  • N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V
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    • 21000+

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  • 有货
  • N沟道,60V,0.3A,5Ω@10V
    数据手册
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    • 600+

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    • 3000+

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    • 9000+

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    • 21000+

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  • N沟道
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    • 6000+

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      ¥0.0388
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      ¥0.0433
    • 51000+

      ¥0.0405
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  • 特性:VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 50+

      ¥0.1163
    • 500+

      ¥0.0961
    • 3000+

      ¥0.0728
    • 6000+

      ¥0.0661
    • 24000+

      ¥0.0602
    • 51000+

      ¥0.057
  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1243
    • 200+

      ¥0.0946
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      ¥0.0813
    • 3000+

      ¥0.0714
    • 9000+

      ¥0.0674
    • 21000+

      ¥0.0648
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:接口。 负载开关
    • 20+

      ¥0.1545
    • 200+

      ¥0.1264
    • 600+

      ¥0.1108
    • 3000+

      ¥0.0921
    • 9000+

      ¥0.084
    • 21000+

      ¥0.0796
  • 有货
  • hFE:100-300,丝印:2D
    • 20+

      ¥0.1757
    • 200+

      ¥0.1406
    • 600+

      ¥0.1211
    • 3000+

      ¥0.1021
    • 9000+

      ¥0.0919
    • 21000+

      ¥0.0865
  • 有货
  • 特性:高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力
    数据手册
    • 20+

      ¥0.211755 ¥0.2229
    • 200+

      ¥0.163305 ¥0.1719
    • 600+

      ¥0.14174 ¥0.1492
    • 3000+

      ¥0.1292 ¥0.136
    • 9000+

      ¥0.12274 ¥0.1292
    • 21000+

      ¥0.11837 ¥0.1246
  • 有货
  • N沟道,60V,3A,105mΩ@10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2152
    • 200+

      ¥0.1649
    • 600+

      ¥0.1426
    • 3000+

      ¥0.1258
    • 9000+

      ¥0.1191
    • 21000+

      ¥0.1146
  • 有货
  • 特性:PNP与BCX51、BCX52、BCX53互补。 低电压。 高电流。应用:音频放大器的驱动级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2436
    • 100+

      ¥0.194
    • 300+

      ¥0.1685
    • 1000+

      ¥0.1474
    • 5000+

      ¥0.1401
    • 10000+

      ¥0.1351
  • 有货
  • 采用小型SOT23塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号:PBSS5140T。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3295
    • 100+

      ¥0.269
    • 300+

      ¥0.2379
    • 3000+

      ¥0.2094
    • 6000+

      ¥0.2004
    • 9000+

      ¥0.1944
  • 有货
  • 特性:无卤,符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用:负载开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4056
    • 100+

      ¥0.3344
    • 300+

      ¥0.2978
    • 3000+

      ¥0.2677
    • 6000+

      ¥0.2572
    • 9000+

      ¥0.25
  • 有货
  • hFE:200-450,丝印:M6
    • 50+

      ¥0.0608
    • 500+

      ¥0.0478
    • 3000+

      ¥0.0391
    • 6000+

      ¥0.0348
    • 24000+

      ¥0.0311
    • 51000+

      ¥0.029
  • 有货
  • hFE:200-400,丝印:HF
    • 50+

      ¥0.0652
    • 500+

      ¥0.0515
    • 3000+

      ¥0.0416
    • 6000+

      ¥0.037
    • 24000+

      ¥0.0331
    • 51000+

      ¥0.031
  • 有货
  • 特性:与S8050互补。 集电极电流:IC = 0.5A
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0865
    • 500+

      ¥0.0665
    • 3000+

      ¥0.0557
    • 6000+

      ¥0.049
    • 24000+

      ¥0.0463
    • 51000+

      ¥0.0446
  • 有货
  • hFE:100-300,丝印:2T
    • 50+

      ¥0.0878
    • 500+

      ¥0.0771
    • 3000+

      ¥0.0658
    • 6000+

      ¥0.0622
    • 24000+

      ¥0.0591
    • 51000+

      ¥0.0574
  • 有货
  • 特性:与MMBT2222A互补。 功率耗散:250mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值温度为260℃
    • 50+

      ¥0.0904
    • 500+

      ¥0.0757
    • 3000+

      ¥0.0601
    • 6000+

      ¥0.0552
    • 24000+

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