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1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
型号：GSC9435SC-VB 编号：C7568841
封装：SO-8
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AF9435PSLA-VB 编号：C19188099
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：FDS9400A-NL-VB 编号：C5441223
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
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    PC354NJ0000F-HXY
    型号：PC354NJ0000F-HXY 编号：C52260340
    封装：SOP-4
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该晶体管输出光耦的输入为直流信号，驱动发光二极管产生光信号，输出端集成光电三极管用于接收并转换光信号为电信号。典型正向压降为1.2V，适用于低电压供电环境。最大允许输出电流达50mA，可支持多数中小功率负载的间接控制。电流传输比（CTR）范围为20%至300%，确保在不同老化阶段和工作条件下具备稳定的信号传递性能。广泛应用于开关电源反馈、微处理器接口隔离、通信模块信号耦合及高噪声环境下的电路隔离设计，实现安全可靠的电平匹配与干扰抑制。

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO4411-VB 编号：C709889
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：IRF9335TRPBF-VB 编号：C558154
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：WPM3004-8/TR-VB 编号：C19712541
    封装：SOP-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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    P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：P3203EVG-VB 编号：C2680761
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：P0603BVG-VB 编号：C558223
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AP9435M-VB 编号：C18795073
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：ME9435-VB 编号：C693425
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
    数据手册

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      ￥1.77441 ￥1.8678

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      ￥0.86963 ￥0.9154

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：HAT2068RJ-VB 编号：C19711243
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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      ￥1.77514 ￥2.0884

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      ￥0.93585 ￥1.101

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：TPC8009-H-VB 编号：C20755071
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：SSM9435GM-VB 编号：C693169
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
    数据手册

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      ￥1.77688 ￥1.8704

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      ￥1.422055 ￥1.4969

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      ￥0.820135 ￥0.8633
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:13A
    型号：STN4392S8RG-VB 编号：C2680809
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    N沟道,电流:13A,耐压:30V
    型号：AP4425GM-VB 编号：C2680871
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：AFN4172WSS8RG-VB 编号：C5444616
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：IRF7455TRPBF-VB 编号：C5456507
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    型号：DMN4800LSS-13-VB 编号：C20755153
    封装：SO-8
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    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
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    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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