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台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.5075 ￥2.95
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￥1.241 ￥1.46
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￥1.173 ￥1.38

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型号：SI4427BDY-T1-E3-VB 编号：C20755045

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.6315 ￥2.77
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￥2.071 ￥2.18
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型号：RU30L15H-VB 编号：C693100

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.6885 ￥2.83
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型号：TPC8103-VB 编号：C725227

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.8025 ￥2.95
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￥2.242 ￥2.36
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￥1.995 ￥2.1
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型号：2R090TD-8 编号：C2836919

封装：插件,D8xL6mm

品牌：Leiditech(雷卯电子)

GDT放置在敏感电信设备（如电源线、通信线、信号线和数据传输线）前并与之并联，以帮助保护它们免受可能由雷击和设备开关操作引起的瞬态浪涌电压的损坏。这些设备在正常运行时不影响信号。然而，在发生过电压浪涌（如雷击）时，GDT会切换到低阻抗状态，并将能量从敏感设备引开。GDT提供高水平的浪涌保护、宽电压范围、低电容，以及包括新型表面贴装器件在内的多种外形，这使其适用于MDF（主配线架）模块、高数据速率电信应用（如ADSL、VDSL）和电源线上的浪涌保护

数据手册

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￥2.8836 ￥3.24
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￥2.3051 ￥2.59
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￥1.335 ￥1.5

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型号：P2003EDG-VB 编号：C20755205

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.337 ￥2.46
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￥2.0615 ￥2.17
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￥1.5675 ￥1.65
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￥1.4725 ￥1.55

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型号：STU417S-VB 编号：C558293

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥2.9735 ￥3.13
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型号：RSC6107S 编号：C19674324

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

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￥3.059 ￥3.22
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￥2.983 ￥3.14
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￥2.926 ￥3.08
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￥2.8785 ￥3.03

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型号：SPP15P10PL H-VB 编号：C7568920

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种领域和模块，可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。TO220；P—Channel沟道,-100V；-23A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥3.094 ￥3.64
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￥3.026 ￥3.56
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￥2.6605 ￥3.13
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￥2.618 ￥3.08

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型号：RSC6112S 编号：C19674325

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

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￥4.142 ￥4.36
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￥4.0375 ￥4.25
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型号：MAC3030-8G 编号：C184145

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

主要设计用于全波交流控制应用，如调光器、电机控制、加热控制和电源；或任何需要全波硅栅控固态器件的场合。三端双向可控硅型晶闸管在施加正或负门极触发信号时，对于任一极性的主端子电压，都能从阻断状态切换到导通状态。

数据手册

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￥4.3152 ￥8.99
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￥3.3402 ￥8.79
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￥2.4276 ￥8.67
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￥2.3912 ￥8.54

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型号：AUIRF7342QTRPBF-VB 编号：C20755125

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.3415 ￥4.57
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￥3.496 ￥3.68
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￥3.078 ￥3.24
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￥2.6505 ￥2.79
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￥2.4035 ￥2.53
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￥2.2705 ￥2.39

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型号：R6511KND3TL1-HXY 编号：C52098379

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，确保器件在驱动信号下的稳定关断与导通。依托碳化硅材料的高耐压与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具备优异的热稳定性和耐久性。典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、光伏逆变单元、高密度电源模块及高压直流变换装置，适用于对转换效率和功率密度有较高需求的电力电子设计场景。

1+
￥4.8545 ￥5.11
10+
￥4.7405 ￥4.99
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￥4.6645 ￥4.91
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￥4.598 ￥4.84

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型号：CMP5940-VB 编号：C19190225

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种领域和模块，可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。TO220；P—Channel沟道,-100V；-23A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥5.586 ￥5.88
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￥4.4935 ￥4.73
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￥3.952 ￥4.16
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￥3.4105 ￥3.59
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￥3.0875 ￥3.25
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￥2.926 ￥3.08

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型号：PIC18F16Q20-I/REB 编号：C28830332

封装：VQFN-20(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该系列是适用于传感器接口、实时控制和通信应用的14/20引脚设备。该系列展示了具有更高通信速率的改进型内部集成电路（I3C）目标模块，以及用于响应式传感器设计的带计算功能的10位300 ksps ADC。该系列具有多电压I/O（MVIO）接口，多个引脚由VDDIO2和VDDIO3供电，允许这些引脚在与微控制器其余部分不同的电压域中运行。该系列还具有8位信号路由端口模块，可在不使用外部引脚的情况下互连数字外设

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￥7.5725 ￥11.65
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￥7.41 ￥11.4
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￥7.2995 ￥11.23
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￥7.189 ￥11.06

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型号：AH810-A 编号：C5378284

封装：TO-94

品牌：Alfa(中科阿尔法)

AH810是一款单片可编程霍尔效应线性传感器，采用先进的BCD工艺生产，内部包含了高灵敏度霍尔传感器、高精度霍尔温度补偿单元、霍尔信号预放大器、振荡器、动态失调消除电路和放大器输出模块，可为客户提供更为有效的AC/DC电流检测方案，广泛适用于通信类、工业类及消费类电子设备。

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￥7.705 ￥15.41
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￥6.265 ￥12.53
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￥5.475 ￥10.95
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￥4.58 ￥9.16
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￥4.18 ￥8.36
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￥4 ￥8

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型号：SI8600AB-B-ISR-HXY 编号：C52260398

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该隔离式I2C器件支持双向时钟和数据传输，实现跨隔离层的完整I2C总线功能。提供3000VRMS电气隔离电压，有效阻断接地环路并增强系统安全性。器件具备75kV/µs的共模瞬态抗扰度（CMTI），可在高噪声环境中保持通信可靠性。工作温度范围为-40℃至+125℃，适应复杂热环境。适用于多电压域系统、高精度测量设备、电源监控模块以及需要电气隔离的传感器接口等场景，保障数据完整性与系统稳定性。

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￥8.4455 ￥8.89
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￥8.2555 ￥8.69
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￥8.132 ￥8.56
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￥7.999 ￥8.42

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型号：RSC6120S 编号：C19674326

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

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￥8.5785 ￥9.03
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￥7.0395 ￥7.41
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￥6.194 ￥6.52
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￥5.2345 ￥5.51
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￥4.8165 ￥5.07
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￥4.617 ￥4.86

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型号：E54-05LD06A 编号：C52160462

封装：SMD,18x18mm

品牌：EBYTE(亿佰特)

基于 X 波段雷达芯片而设计的运动感知雷达模组，中心频率为10.525GHz。该模组设计采用定频、定向发射和接收天线(收发一体)，集成中频解调、信号放大和数字处理等功能，具备延时设置、感知范围可调和光强度检测等能力。产品还具备远距离、抗干扰、体积小、杂波和高次谐波抑制效果好、高稳定性和一致性等优点。模组脉冲供电占空比可调，不同占空比模组不同功耗。

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￥9.31
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￥7.74
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￥6.87
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￥5.9

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型号：MSPM0L1227SRHBR 编号：C42836166

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

MSPMOLx22x微控制器(MCU)属于高度集成的超低功耗32位MSPM0MCU系列，该MCU系列基于Arm Cortex-M0+32位内核平台，工作频率最高可达32MHz。这些MCU为需要采用小型封装（低至4mmx4mm）或高引脚数封装（高达80引脚）的128KB至256KB闪存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。这些器件包括VBAT备用岛、可选的分段式LCD控制器（在MSPMOL222x上）、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。这些器件提供具有内置纠错码(ECC)且高达256KB的嵌入式闪存程序存储器，以及具有ECC和奇偶校验保护功能且高达32KB的SRAM。闪存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。VBAT岛中提供了一个由VBAT引脚供电的额外32字节备份存储器，其内容即使在主电源(VDD)丢失时也会保持。 VBAT岛提供了一个完全独立的辅助电源域（与主电源分离），该电源域通过电池、超级电容器或备选电压电平（1.62V至3.6V）等备用电源为低频模块供电。VBAT岛包括低频时钟系统（LFOSC、LFXT）、实时时钟、篡改检测和时间戳逻辑、一个独立的看门狗计时器和一个32字节的备用存储器。多达五个数字IO由VBAT电源供电。提供了一种充电模式，用于在VDD大于VBAT时选择通过主(VBAT)电源对VBAT引脚上的超级电容器进行涓流充电。超低功耗分段式LCD控制器（在MSPMOL2228和MSPMOL2227器件上）支持使用多达50个引脚以各种多路复用器和偏置配置驱动LCD玻璃，从而实现低成本显示。可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种AES对称密码模式以及TRNG熵源提供了硬件加速。网络安全架构已通过Arm PSA1级认证。提供了一组高性能模拟模块，其中包括一个最多支持26个外部通道的12位1.68Msps SAR ADC。提供了一个模拟比较器，以支持模拟信号的低功耗或低延迟监控。片上电压基准（1.4V或2.5V）可用于为ADC和比较器提供稳定的基准电压。支持使用内部温度传感器、VDD电压和VBAT电压进行内核环境温度监测。

数据手册

1+
￥9.7
10+
￥9.46
30+
￥9.29

有货

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型号：AHT21B 编号：C3012624

封装：SMD

品牌：广州奥松

AHT21B是一款全新升级产品，配置了专用的ASIC传感器芯片、高性能的半导体硅基电容式湿度传感器和一个标准的片上温度传感器，并使用了标准I²C数据输出信号格式。其性能已经大大提升，并且超过了上一代传感器的可靠性水平。新一代升级产品，经过改进使其在高温高湿环境下的性能更稳定；同时，产品的精度、响应时间、测量范围都得到了大幅的提升。

数据手册

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￥9.78
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