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型号：ATSAMD11D14A-MUT 编号：C2053596

封装：WQFN-24-EP(4x4)

SMART™ SAM D11 是一系列低功耗微控制器，采用32位ARM Cortex -M0+处理器，引脚数从14到24不等，具有16KB Flash和4KB SRAM。SAM D11设备的最大工作频率为48MHz，达到2.46 Coremark/MHz。它们设计用于简单直观的迁移，具有相同的外设模块、兼容的十六进制代码、相同的线性地址映射以及产品系列中所有设备之间的引脚兼容迁移路径。所有设备包括智能灵活的外设、用于外设间信号传输的Atmel事件系统，并支持电容触摸按钮、滑块和轮子用户界面。SAM D11系列与其他SAM D家族的产品系列兼容，可以轻松迁移到具有更多功能的更大设备。 SAM D11设备提供以下功能：可在线编程的Flash、六通道直接内存访问（DMA）控制器、6通道事件系统、可编程中断控制器、最多22个可编程I/O引脚、32位实时时钟和日历、两个16位定时器/计数器（TC）和一个24位定时器/计数器用于控制（TCC），每个TC可以配置为执行频率和波形生成、精确程序执行定时或输入捕获，对数字信号进行时间和频率测量。TC可以在8位或16位模式下运行，选定的TC可以级联形成32位TC，其中一个定时器/计数器具有优化的扩展功能，适用于电机、照明和其他控制应用。该系列提供一个全速无晶振USB 2.0设备接口；最多三个串行通信模块（SERCOM），每个模块可以配置为USART、UART、SPI、I2C（最高3.4MHz）、SMBus、PMBus和LIN从机；最多10通道350ksps 12位模数转换器（ADC），具有可编程增益和可选过采样和抽取，支持高达16位分辨率，一个10位350ksps数模转换器（DAC），两个具有窗口模式的模拟比较器，外围触摸控制器支持多达72个按钮、滑块、轮子和接近感应；可编程看门狗定时器、掉电检测器和上电复位以及两引脚串行线调试（SWD）编程和调试接口。所有设备都具有准确且低功耗的外部和内部振荡器。所有振荡器都可以用作系统时钟的源。不同的时钟域可以独立配置以不同的频率运行，通过使每个外设以其最佳时钟频率运行来实现节能，从而在降低功耗的同时保持高CPU频率。SAM D11设备有两种软件可选的睡眠模式：空闲和待机。在空闲模式下，CPU停止运行，而其他所有功能可以继续运行。在待机模式下，除了选定要继续运行的功能外，所有时钟和功能都停止。设备支持SleepWalking功能。此功能允许外设基于预定义条件从睡眠状态唤醒，从而使CPU仅在需要时（例如当阈值被超过或结果准备好时）才唤醒。事件系统支持同步和异步事件，即使在待机模式下，外设也可以接收、响应和发送事件。Flash程序存储器可以通过SWD接口在线重新编程。同一接口可用于非侵入式的片上调试和应用程序代码跟踪。运行在设备中的引导加载程序可以使用任何通信接口下载并升级Flash存储器中的应用程序程序。 SAM D11设备得到了完整的程序和系统开发工具套件的支持，包括C编译器、宏汇编器、程序调试器/仿真器、编程器和评估套件。

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型号：LPC5516JBD100K 编号：C5194658

封装：SOT-1570-3

品牌：NXP(恩智浦)

该产品是基于Arm Cortex-M33的微控制器，适用于嵌入式应用。包含CASPER Crypto引擎、多达256 KB片上闪存、多达96 KB片上SRAM、用于实时闪存加密/解密的PRINCE模块、代码看门狗、高速/全速USB主机和设备接口（全速运行时无需晶体）、CAN FD、五个通用定时器、一个SCTimer/PWM、一个RTC/报警定时器、一个24位多速率定时器（MRT）、一个窗口看门狗定时器（WWDT）、九个灵活的串行通信外设（可配置为USART、SPI、高速SPI、I²C或I²S接口）、可编程逻辑单元（PLU）、一个16位2.0 Msamples/sec ADC（能够进行同步转换）、比较器和温度传感器。Arm Cortex-M33提供安全基础，通过TrustZone技术提供隔离以保护宝贵的IP和数据。它通过集成的数字信号处理（DSP）指令简化了数字信号控制系统的设计和软件开发

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型号：PIC18F47Q84-I/PT 编号：C2987161

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

PIC18-Q84微控制器系列提供28/40/44/48引脚设备，适用于多种汽车和工业应用。该系列产品集成了多种通信外设，如控制器局域网（CAN）、串行外设接口（SPI）、内部集成电路（I2C）以及两个通用异步收发传输器（UARTs），能够处理广泛的有线和无线（使用外部模块）通信协议，适用于智能应用。结合核心独立外设（CIPs）的集成能力，这种功能可用于电机控制、电源、传感器、信号和用户界面应用。此外，该系列还包括一个12位模数转换器（ADC），具有计算和上下文切换扩展功能，可实现自动信号分析，从而降低应用复杂性。

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型号：STM8SPLNB1M6 编号：C1521013

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

STM8SPLNB1是一款8位微控制器，专用于基于SaTCR的LNB（低噪声模块）和切换器中的DiSEqC从属操作。它是为需要根据DiSEqC标准（数字卫星设备控制）实现LNB设备控制概览的系统设计者提供的完整的硬件和固件解决方案。STM8SPLNB1设备接收同轴电缆上的DiSEqC信号，解码并处理DiSEqC命令。结果是控制了传统的矩阵或I2C线路。STM8SPLNB1设备还可以通过同轴电缆向主设备发送DiSEqC应答。STM8SPLNB1设计用于具有I2C总线控制和/或直接引脚控制的LNB设备。SaTCR1设备通常应用于LNB应用中。可以通过存储在设备数据EEPROM内存中的一组配置参数来修改STM8SPLNB1设备的行为。配置也通过特定的DiSEqC命令完成。最终配置后，设备可以锁定到给定配置（供应商配置）。图2：STM8SPLNB1典型配置展示了使用STM8SPLNB1设备进行LNB控制时推荐的硬件连接配置。为了正确运行，电源必须保持在5V±10%的水平。

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型号：ESP32-S3-WROOM-1-N16R2 编号：C2913205

封装：SMD,25.5x18mm

品牌：ESPRESSIF(乐鑫)

是两款通用型Wi-Fi + 低功耗蓝牙MCU模组，搭载ESP32-S3系列芯片。除具有丰富的外设接口外，模组还拥有强大的神经网络运算能力和信号处理能力，适用于AIoT领域的多种应用场景，例如唤醒词检测和语音命令识别、人脸检测和识别、智能家居、智能家电、智能控制面板、智能扬声器等。采用的是ESP32-S3系列芯片。ESP32-S3系列芯片搭载Xtensa 32位LX7双核处理器（支持单精度浮点运算单元），工作频率高达240MHz

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型号：ATMEGA328P-AN 编号：C618732

封装：TQFP-32(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一种基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 达到了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使得系统设计者可以在功耗和处理速度之间进行优化。AVR核心结合了丰富的指令集与32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构在代码效率上更高，同时实现了比传统的CISC微控制器快达十倍的吞吐量。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 提供以下功能：具有读写同时能力的4K/8K字节片内可编程Flash、256/512/512/1K字节EEPROM、512/1K/1K/2K字节SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个带有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个SPI串行端口、一个6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中为8通道）、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI端口和中断系统继续运作。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分休眠时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU和除异步定时器及ADC外的所有I/O模块，以最小化ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分休眠。这允许快速启动的同时实现低功耗。Microchip提供了QTouch库，用于将电容式触摸按钮、滑块和滚轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供鲁棒的感应，并包括完全去抖动的触摸按键报告以及相邻键抑制（AKS）技术，用于明确检测按键事件。易于使用的QTouch套件工具链让您能够探索、开发并调试自己的触摸应用。该器件采用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、传统非易失性存储器编程器或运行在AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行在系统重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用程序到应用程序Flash存储器中。当应用程序Flash部分更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与片上自编程Flash集成在一个单片芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 成为了一个强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR 得到了一整套程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器以及评估套件。

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型号：PIC18F25K83-I/SS 编号：C155483

封装：SSOP-28-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

PIC18(L)FXXK83 是一个全功能的CAN产品系列，可用于汽车和工业应用。该系列产品拥有多种通信外设，如CAN、SPI、两个I2C、两个UART、LIN、DMX和DALI，能够处理智能应用中的各种有线和无线（使用外部模块）通信协议。该系列包括一个带有计算扩展功能的12位ADC（ADC2），用于自动信号分析，以降低应用的复杂性。结合核心独立外设的集成能力，可实现电机控制、电源、传感器、信号以及用户界面应用的功能。

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型号：TM40P277 编号：C2935606

封装：插件

品牌：RUILON(瑞隆源)

SPD,防雷器，防雷管，防浪涌保护，过压保护器，浪涌吸收器，电源防雷器，信号口防雷器，防雷器，大通流防雷器，低残压防雷器，全模防雷器，共模防雷器，差模防雷器，安规防雷器，LED防雷器，路灯防雷器，智能防雷箱，基站防雷器，户外防雷器，带摇讯防雷器，空开防雷器，RJ45防雷器，同轴防雷器，带指示防雷器，防雷模块，板载防雷器，小体积防雷器，大电流防雷器

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型号：ENS001-A3 编号：C6284808

封装：QFN-64L

品牌：NANOCHAP(暖芯迦)

ENS001-A3芯片是一款四通道神经刺激芯片，不仅能覆盖传统的正弦波/方波/三角波及各种调制波形，更是支持从DC到50kHz以上的任意电流波形输出。可应用于体外神经/肌肉电刺激等众多领域。该芯片集成了32MHz ARM处理器，多通道恒流源输出的刺激驱动电路、片上充电电路、可配置升压直流转换器、LCD屏幕驱动、12位AD信号采集以及温度传感器等模块。电压最高为单向60V 输出电流33μA~67mA 刺激脉宽 10μs~1s

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￥55 / 个

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型号：MC56F8014VFAE 编号：C1339632

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：NXP(恩智浦)

高达32 MIPS,核心频率为32MHz。DSP和MCU功能集成于统一的、C语言高效架构中。16KB程序闪存。4KB统一数据/程序RAM。一个5通道PWM模块。两个4通道12位ADC。一个具有LIN从机功能的串行通信接口(SCI)。一个串行外设接口(SPI)。一个16位四路定时器。一个I2C端口。计算机正常运行(COP)/看门狗。片上弛张振荡器。集成上电复位和低压中断模块。JTAG/增强型片上仿真(OnCE),用于无干扰的实时调试。多达26个通用输入输出(GPIO)线。32引脚LQFP封装

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型号：SPE30S60F-E 编号：C51037312

封装：DIP-25-DBC

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/30A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

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￥71.865 ￥79.85
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型号：AELF001 编号：C22467655

封装：-

品牌：MyAntenna(摩天射频)

LoRa组网无线数传通讯模块无线抄表天线，户外工业DTU/网关高增益防水天线，接口N型公头，频率433-510MHz, 增益：2.2dBi,驻波比3.0:1，全向,Φ23.5*350mm,136g，效率：50%,IP67，全向信号传输和接收天线，N型公连接器

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型号：LPC4078FBD80,551 编号：C5194788

封装：SOT-315-1

品牌：NXP(恩智浦)

用于嵌入式应用的数字信号控制器，需要高度集成和低功耗。ARM Cortex-M4是下一代内核，具有低功耗、增强的调试功能和高度的支持模块集成等系统增强功能。它采用3级流水线，使用哈佛架构，具有独立的本地指令和数据总线以及用于外设的第三条总线，并包含支持推测分支的内部预取单元，支持单周期数字信号处理和SIMD指令，部分版本集成了硬件浮点处理器。该控制器添加了专门的闪存加速器，以在从闪存执行代码时实现最佳性能，目标CPU频率高达120 MHz。其外设包括高达512 kB的闪存程序存储器、高达96 kB的SRAM数据存储器、高达4032字节的EEPROM数据存储器、外部存储器控制器、LCD、以太网、USB设备/主机/OTG、SPI闪存接口、通用DMA控制器、五个UART、三个SSP控制器、三个I²C总线接口、一个正交编码器接口、四个通用定时器、两个各有六个输出的通用PWM和一个电机控制PWM、一个带独立电池供电和事件记录器的超低功耗RTC、一个窗口看门狗定时器、一个CRC计算引擎和多达165个通用I/O引脚。模拟外设包括一个八通道12位ADC、两个模拟比较器和一个DAC

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型号：LTC1264CSW#PBF 编号：C674884

封装：SO-24-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

由四个相同的高速二阶开关电容滤波器构建模块组成，设计用于中心频率高达250kHz的应用。每个构建模块与三到五个电阻配合，可提供低通、高通、带通和陷波等二阶功能。每个二阶部分的中心频率通过外部时钟进行调谐，时钟与中心频率的比率内部设定为20:1，但可通过外部电阻进行修改。通过对每个二阶部分进行双重采样，改善了混叠性能。在检测到任何混叠产物之前，输入信号频率可达到时钟频率的两倍。对于Q ≤ 5且环境温度TA < 85℃，最大中心频率为160kHz；对于Q ≤ 2，最大中心频率为250kHz。通过级联所有四个二阶部分，可实现高达八阶的滤波器。还可提供包含内部薄膜电阻的定制单片版本。

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单价：
￥224.13 / 个

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型号：DAQ206 编号：C51978911

封装：-

品牌：凌智电子

产品型号：DAQ206 系统支持：Windows/Linux 通信接口：USB3.0/千兆以太网采集通道：2通道 ADC位数：12bit 采样方式：同步采样采集速率：65MSPS Max，多档可调传输速率：千兆以太网:128Mbps(max),USB3.0:64Mbps(max) 输入信号范围：±1V/±10V两档可切换采样最小分辨率（LSB）：488uV@±1V档上位机工具：QT demo；二次开发：支持CPP、C#动态库、Python 应用领域：传感器网络采集；工业数据采集系统；仪器仪表系统；高速数据采集系统；

单价：
￥2671.6 / 个

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型号：MMZ1005F330CT000 编号：C275418

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。具有多种频率特性，采用5种不同特性的材料，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.0749
500+
￥0.058
1500+
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型号：MMZ1005A182ET000 编号：C250446

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。与MMZ系列相比，将自谐振频率（SRF）提高到GHz频段，单个元件可在较宽频率范围内应对噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。采用四种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.1062
500+
￥0.0828
1500+
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型号：HAL1254SO 编号：C49165021

封装：SOT-23

品牌：Hallwee(霍尔微电子)

是一颗微功耗、高灵敏度单极性的霍尔开关传感装置。内部电路包含了霍尔薄片、电压稳压模块、信号放大处理模块、动态失调消除模块及CMOS输出级。使用先进的Bi-CMOS工艺，整体优化了的线路结构，使得产品获得极低的输入误差反馈。采用了动态失调消除技术，该技术能够消除由封装应力，热应力，以及温度梯度所造成的失调电压，提高器件的一致性。同时采用及其小型化的封装工艺，使得产品更具极高的性能和市场优势。有SOT-323、SOT-23和TO-92S封装，工作温度范围为-40~125°C。

10+
￥0.3596
100+
￥0.2876
300+
￥0.2516

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型号：WS2815B-MINI-4P 编号：C22371531

封装：SMD-4P,3.5x3.5mm

品牌：worldsemi

WS2815B是一个集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。其外型与一个3535 LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
150+
￥0.4556
500+
￥0.4034

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型号：SI3441BDV-T1-GE3-VB 编号：C7568910

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

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型号：AO6403-VB 编号：C724964

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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5+
￥1.311465 ￥1.5429
50+
￥1.055615 ￥1.2419
150+
￥0.94588 ￥1.1128
500+
￥0.809115 ￥0.9519
3000+
￥0.65807 ￥0.7742
6000+
￥0.62152 ￥0.7312

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型号：Si3407DV-T1-GE3-VB 编号：C5438958

封装：SOT-23-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.315275 ￥1.3845
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￥1.032745 ￥1.0871
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￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

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型号：AO6405-VB 编号：C19190221

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.369235 ￥1.4413
50+
￥1.086705 ￥1.1439
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￥0.965675 ￥1.0165
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￥0.814625 ￥0.8575
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￥0.747365 ￥0.7867
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￥0.70699 ￥0.7442

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型号：AP4407GM-HF-VB 编号：C19626802

封装：SOP-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.387 ￥1.46
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￥1.3585 ￥1.43
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￥1.33 ￥1.4
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￥1.311 ￥1.38

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型号：UPA1717G-VB 编号：C2680832

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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型号：MMSF3P03HDR2G-VB 编号：C2680748

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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型号：SI9803DY-T1-E3-VB 编号：C7524937

封装：SO-8

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台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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型号：XP132A11A1SR-VB 编号：C878990

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台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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型号：FDS9435-NL-VB 编号：C5441224

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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型号：SI9435ADY-T1-E3-VB 编号：C2680783

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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