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电容器是以硅为衬底、二氧化硅/氮化硅等薄膜材料为电介质,采用半导体芯片制造工艺制作而成的电容器。相比于陶瓷电容器(MLCC),具有小尺寸、薄厚度、低阻抗、高频低插损、高温度稳定性及高可靠性等特点。硅电容器常用于隔离直流、射频旁路、或用作滤波器、振荡器和匹配网络中的固定电容调谐元件。可广泛应用在能源、通信、自动化及医疗等领域。
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    特性:9.1uF±20%。6.3V。X75。0204/0510 (EIA/JIS)。AEC-Q200合格。应用:一般电子设备(如AV设备、OA设备、家用电器、办公设备、信息和通信设备,包括但不限于手机和PC)
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