信号模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥2.094275 ￥2.2045
50+
￥1.668105 ￥1.7559
150+
￥1.485515 ￥1.5637
500+
￥1.25761 ￥1.3238
2500+
￥1.04595 ￥1.101
4000+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

立即购买

型号：SI4874DY-T1-E3-VB 编号：C18795029

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥2.1204 ￥2.232
50+
￥1.69423 ￥1.7834
150+
￥1.51164 ￥1.5912
500+
￥1.283735 ￥1.3513
2500+
￥1.04595 ￥1.101
4000+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

立即购买

型号：AO4446-VB 编号：C878867

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥2.124675 ￥2.2365
50+
￥1.6986 ￥1.788
150+
￥1.515915 ￥1.5957
500+
￥1.288105 ￥1.3559
2500+
￥1.04595 ￥1.101
4000+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

立即购买

型号：MT4407-VB 编号：C19188123

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.4055 ￥2.83
10+
￥1.904 ￥2.24
30+
￥1.683 ￥1.98
100+
￥1.4195 ￥1.67
500+
￥1.241 ￥1.46
1000+
￥1.173 ￥1.38

有货

立即购买

型号：VBZA4420 编号：C700587

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.414 ￥2.84
10+
￥1.904 ￥2.24
30+
￥1.683 ￥1.98
100+
￥1.411 ￥1.66
500+
￥1.258 ￥1.48
1000+
￥1.1815 ￥1.39

有货

立即购买

型号：SI4425BDY-T1-E3-VB 编号：C7463636

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.414 ￥2.84
10+
￥1.9125 ￥2.25
30+
￥1.6915 ￥1.99
100+
￥1.428 ￥1.68
500+
￥1.3005 ￥1.53
1000+
￥1.2325 ￥1.45

有货

立即购买

型号：SI4825DY-T1-E3-VB 编号：C5441247

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.414 ￥2.84
10+
￥1.9125 ￥2.25
30+
￥1.6915 ￥1.99
100+
￥1.428 ￥1.68
500+
￥1.3005 ￥1.53
1000+
￥1.2325 ￥1.45

有货

立即购买

型号：SI4835DDY-T1-E3-VB 编号：C6705317

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.462 ￥1.72
500+
￥1.343 ￥1.58
1000+
￥1.2665 ￥1.49

有货

立即购买

型号：VS4407AS-VB 编号：C20755614

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.462 ￥1.72
500+
￥1.343 ￥1.58
1000+
￥1.2665 ￥1.49

有货

立即购买

型号：SI4441EDY-T1-E3-VB 编号：C19188269

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.462 ￥1.72
500+
￥1.343 ￥1.58
1000+
￥1.2665 ￥1.49

有货

立即购买

型号：QM3005S-VB 编号：C20755575

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.462 ￥1.72
500+
￥1.343 ￥1.58
1000+
￥1.2665 ￥1.49

有货

立即购买

型号：STP4407-VB 编号：C2680864

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.462 ￥1.72
500+
￥1.343 ￥1.58
1000+
￥1.2665 ￥1.49

有货

立即购买

型号：HAT1036R-VB 编号：C20755139

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.462 ￥1.72
500+
￥1.343 ￥1.58
1000+
￥1.2665 ￥1.49

有货

立即购买

型号：SI4413ADY-T1-E3-VB 编号：C7569050

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.462 ￥1.72
500+
￥1.343 ￥1.58
1000+
￥1.2665 ￥1.49

有货

立即购买

型号：FDS6675A-NL-VB 编号：C5179512

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.499 ￥2.94
10+
￥1.9975 ￥2.35
30+
￥1.7765 ￥2.09
100+
￥1.513 ￥1.78
500+
￥1.326 ￥1.56
1000+
￥1.258 ￥1.48

有货

立即购买

型号：SM4307PSKC-TRG-VB 编号：C558280

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.499 ￥2.94
10+
￥1.989 ￥2.34
30+
￥1.768 ￥2.08
100+
￥1.4875 ￥1.75
500+
￥1.1985 ￥1.41
1000+
￥1.122 ￥1.32

有货

立即购买

型号：HAT1047R-VB 编号：C879005

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.533 ￥2.98
10+
￥2.0315 ￥2.39
30+
￥1.8105 ￥2.13
100+
￥1.547 ￥1.82
500+
￥1.4195 ￥1.67
1000+
￥1.3515 ￥1.59

有货

立即购买

型号：DMP3020LSS-13-VB 编号：C558115

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.5415 ￥2.99
10+
￥2.04 ￥2.4
30+
￥1.819 ￥2.14
100+
￥1.5555 ￥1.83
500+
￥1.2665 ￥1.49
1000+
￥1.19 ￥1.4

有货

立即购买

型号：NTMS4177PR2G-VB 编号：C7429087

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.5585 ￥3.01
10+
￥2.0485 ￥2.41
30+
￥1.836 ￥2.16
100+
￥1.564 ￥1.84
500+
￥1.3005 ￥1.53
1000+
￥1.2325 ￥1.45

有货

立即购买

型号：IRF9393TRPBF-VB 编号：C7429028

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.5585 ￥3.01
10+
￥2.0485 ￥2.41
30+
￥1.836 ￥2.16
100+
￥1.564 ￥1.84
500+
￥1.3005 ￥1.53
1000+
￥1.2325 ￥1.45

有货

立即购买

型号：STS10PF30L-VB 编号：C558292

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.567 ￥3.02
10+
￥2.057 ￥2.42
30+
￥1.8445 ￥2.17
100+
￥1.5725 ￥1.85
500+
￥1.3175 ￥1.55
1000+
￥1.241 ￥1.46

有货

立即购买

型号：AM4825P-T1-PF-VB 编号：C5444618

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.6315 ￥2.77
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥1.824 ￥1.92
100+
￥1.5295 ￥1.61
500+
￥1.387 ￥1.46
1000+
￥1.311 ￥1.38

有货

立即购买

型号：IRF9332TRPBF-VB 编号：C5441228

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.6315 ￥2.77
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥1.824 ￥1.92
100+
￥1.5295 ￥1.61
500+
￥1.387 ￥1.46
1000+
￥1.311 ￥1.38

有货

立即购买

型号：SI4427BDY-T1-E3-VB 编号：C20755045

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.6315 ￥2.77
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥1.824 ￥1.92
100+
￥1.5295 ￥1.61
500+
￥1.387 ￥1.46
1000+
￥1.311 ￥1.38

有货

立即购买

型号：SM3020PSU-VB 编号：C19711284

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.6605 ￥3.13
10+
￥2.091 ￥2.46
30+
￥1.8445 ￥2.17
100+
￥1.5385 ￥1.81
500+
￥1.4025 ￥1.65
1000+
￥1.3175 ￥1.55

有货

立即购买

型号：P2003EDG-VB 编号：C20755205

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.6605 ￥3.13
10+
￥2.091 ￥2.46
30+
￥1.8445 ￥2.17
100+
￥1.5385 ￥1.81
500+
￥1.4025 ￥1.65
1000+
￥1.3175 ￥1.55

有货

立即购买

型号：RU30L15H-VB 编号：C693100

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.6885 ￥2.83
10+
￥2.128 ￥2.24
30+
￥1.881 ￥1.98
100+
￥1.5865 ￥1.67
500+
￥1.387 ￥1.46
1000+
￥1.311 ￥1.38

有货

立即购买

型号：UD3013-VB 编号：C2680829

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.72 ￥3.2
10+
￥2.1505 ￥2.53
30+
￥1.9125 ￥2.25
100+
￥1.6065 ￥1.89
500+
￥1.4705 ￥1.73
1000+
￥1.3855 ￥1.63

有货

立即购买

型号：AM40P03-20D-T1-PF-VB 编号：C5878779

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.72 ￥3.2
10+
￥2.1505 ￥2.53
30+
￥1.9125 ￥2.25
100+
￥1.6065 ￥1.89
500+
￥1.4705 ￥1.73
1000+
￥1.3855 ￥1.63

有货

立即购买

型号：APM3020PUC-TRL-VB 编号：C5441218

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.72 ￥3.2
10+
￥2.1505 ￥2.53
30+
￥1.9125 ￥2.25
100+
￥1.6065 ￥1.89
500+
￥1.4705 ￥1.73
1000+
￥1.3855 ￥1.63

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示