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封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.4565 ￥2.89
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￥1.9465 ￥2.29
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￥1.1985 ￥1.41

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型号：SI4825DDY-T1-E3-VB 编号：C3040219

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.4905 ￥2.93
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型号：NLAS2750MUTAG-HXY 编号：C49108277

封装：QFN-14(1.4x1.8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该模拟开关/多路复用器采用单刀双掷（SPDT）拓扑结构，集成两个独立可控通道，适用于多种信号切换与路由控制场景。器件支持1.5V至5.5V宽电压工作范围，具备良好的电源适应性。导通电阻典型值为1.5Ω，可有效减少信号传输过程中的衰减与失真。凭借低功耗设计和高信号完整性表现，广泛用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的模拟或数字信号管理电路中。

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￥2.5555 ￥2.69
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￥1.786 ￥1.88
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型号：TPC8126-VB 编号：C7429131

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.5585 ￥3.01
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型号：IRF7424TRPBF-VB 编号：C558153

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.6095 ￥3.07
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型号：VBZE40P03 编号：C700643

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥2.7625 ￥3.25
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型号：VBE2317 编号：C416263

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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型号：AP4407GM-VB 编号：C558079

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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型号：VBA3108N 编号：C7429143

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款一款双N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、信号放大器、LED驱动模块、电动工具控制器等多种领域和模块。SOP8；2个N—Channel沟道,100V；5.8A；RDS(ON)=63mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4.5V；

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型号：FDD6685-VB 编号：C725028

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥3.0345 ￥3.57
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型号：CI523 编号：C2833202

封装：TQFN-16-EP(3x3)

品牌：南京中科微

Ci523是一个高度集成的，工作在13.56MHz的非接触式读写器芯片，支持ISO/IEC14443A/B。内部发送器可驱动读写器天线与ISO/IEC14443A/B卡和应答机通信，接收器模块提供一个强大而高效的电路，用以解调译码ISO/IEC14443A/B兼容卡及应答机信号。数字模块处理完整的ISO/IEC14443A/B帧和错误检测功能(奇偶和CRC)。

数据手册

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￥3.67
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￥1.68

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型号：CH552P 编号：C968536

封装：QFN-16

品牌：WCH(南京沁恒)

CH552芯片是一款兼容MCS51指令集的增强型E8051内核单片机，其79%的指令是单字节单周期指令，平均指令速度比标准MCS51快8-15倍。CH552支持最高24MHz系统主频，内置16K程序存储器ROM和256字节内部iRAM以及1K字节片内xRAM，xRAM支持DMA直接内存存取。CH552内置了ADC模数转换、触摸按键电容检测、3组定时器和信号捕捉及PWM、双异步串口、SPI、USB设备控制器和全速收发器等功能模块。CH551是CH552的简化版，程序存储器ROM为10K，片内xRAM为512字节，异步串口仅UART0，封装形式仅SOP16，触摸按键仅4通道，并且去掉了ADC模数转换模块和USB type-C模块，其它与CH552相同，可直接参考CH552手册和资料。

数据手册

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￥3.77
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￥2.26

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型号：IRF5803D2TRPBF-VB 编号：C7568805

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.046 ￥4.76
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￥2.193 ￥2.58

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型号：HAT1038R-VB 编号：C4355144

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.4555 ￥4.69
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￥3.61 ￥3.8
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型号：FDS9958-NL-VB 编号：C558132

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥4.655 ￥4.9
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￥3.8 ￥4
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型号：FSV9523 编号：C5336461

封装：QFN-32(5x5)

品牌：Forsinve(福芯微)

FSV9523 是一个高度集成的无接触读写器，用于 13.56 MHz 的无接触通信。FSV9523 支持 ISO/IEC 14443 A/MIFARE 模式。内部发射器能够驱动无需额外有源电路即可与 ISO/IEC 14443 A/MIFARE 卡和应答器通信的读写器天线。接收模块提供了一个强大的和高效的解调和解码实现，用于从 ISO/IEC 14443 A/MIFARE 兼容卡和应答器解调和解码信号。数字模块管理完整的 ISO/IEC 14443 A 帧和错误检测（奇偶校验和 CRC）功能。

数据手册

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￥4.8
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￥4.35
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￥3.83

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型号：FSA646UCX-HXY 编号：C49108283

封装：WLCSP-36(2.4x2.4)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该模拟开关/多路复用器采用单刀双掷（SPDT）开关结构，集成10个独立通道，支持1.65V至5.5V宽工作电压范围，适应多种低电压应用场景。器件导通电阻典型值为4.3Ω，可有效降低信号路径中的损耗，提升传输效率。其设计适用于便携式电子设备、通信模块、音频切换系统及测试测量仪器等领域的信号路由控制，能够实现高效、可靠的模拟或数字信号切换功能，满足高性能电路对信号完整性的要求。

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￥5.5195 ￥5.81
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￥4.465 ￥4.7
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￥3.933 ￥4.14
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￥3.4105 ￥3.59
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￥3.097 ￥3.26
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型号：TSOP34436 编号：C6561171

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

是用于红外遥控系统的小型化红外接收模块。PIN二极管和前置放大器组装在引线框架上，环氧树脂封装中包含一个红外滤波器。解调后的输出信号可直接连接到微处理器进行解码。部分系列器件经过优化，可抑制来自节能灯的几乎所有杂散脉冲，但可能会抑制一些数据信号，部分系列主要用于与旧的AGC2设计兼容，新设计应优先选择包含较新AGC4的系列。这些组件未根据汽车规格进行认证。

1+
￥5.96
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￥4.8
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￥4.22
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￥3.65
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￥3.31

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型号：FSA646UCX-TP 编号：C49231008

封装：WLCSP-36(2.4x2.4)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

是一款高性能的四数据通道MIPI D-PHY开关。这款单刀双掷（SPDT）开关针对在两个高速或低功耗MIPI源之间切换进行了优化。具有宽带宽并能保持良好的信号完整性，专为MIPI规范设计，允许连接到CSI或DSI模块。36球晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）2.4mm x 2.4mm，无铅和无卤，适用于移动设备。

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￥5.97
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￥4.78
30+
￥4.19

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型号：TPG3USB646UC 编号：C49231013

封装：WLCSP-36(2.4x2.4)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

是高性能四数据通道MIPI D-PHY开关。这种单刀双掷 (SPDT) 开关经过优化，可在两个高速或低功耗MIPI源之间切换。具有宽带宽并保持良好的信号完整性，专为MIPI规范设计，允许连接到CSI或DSI模块。36球晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) 2.4mm x 2.4mm，无铅和无卤，适用于移动设备。

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￥6.62
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￥5.45
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￥4.81

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型号：B0505S-W5R3 编号：C22751290

封装：SIP,11.5x6mm

品牌：YLPTEC(易川)

B0505S-W5R3产品是专门应用在输入和输出电源不能共地，需要电源隔离的场合,从而消除接地环路对系统产生的干扰。主要应用在工业仪器仪表,医疗仪器，通讯系统 ,工业自动化以及数据通讯接口方面，如RS485/RS232总线,CAN-BUS总线，DMX512信号隔离等。

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￥6.987 ￥8.22
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￥4.1055 ￥4.83
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￥3.961 ￥4.66

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型号：ATMEGA48PB-AU 编号：C177155

封装：TQFP-32(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AVR内核结合了丰富的指令集与32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现了比传统CISC微控制器快达十倍的数据吞吐量。ATmega48PB/88PB/168PB提供了以下特性：具有读写同时能力的4/8/16K字节系统内可编程闪存、256/512/512字节EEPROM、512/1K/1K字节SRAM、27条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个带比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、面向字节的两线串行接口(I²C)、一个SPI串行端口、一个6通道10位ADC（TQFP和VFQFN封装中有8个通道）、带有内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及六种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI端口和中断系统继续运作。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用其他所有芯片功能直到下一个中断或硬件复位为止。在节能模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU及除异步定时器和ADC外的所有I/O模块，以最小化ADC转换期间的切换噪声。待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于睡眠状态。这允许快速启动同时保持低功耗。它提供QTouch 库，用于将电容式触摸按钮、滑块和滚轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供了鲁棒的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，以及相邻键抑制(AKS)技术，用于无歧义地检测按键事件。易于使用的QTouch Composer使程序员能够探索、开发和调试他们的触摸应用程序。该设备采用高密度非易失性存储技术制造。片上ISP闪存允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行于AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用程序到应用程序闪存中。当应用程序闪存部分被更新时，引导闪存部分中的软件将继续运行，从而实现真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与系统内自编程闪存集成在单片芯片上，ATmega48PB/88PB/168PB是一款强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48PB/88PB/168PB支持完整的程序和系统开发工具套件，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器和评估套件。

数据手册

1+
￥8.11
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￥6.67
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￥5.88

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型号：ACS724LLCTR-30AB-T 编号：C22392332

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

ACS724是一款高性能霍尔效应电流传感器，可以更为有效地测量交流（AC）或者直流（DC）电流，可广泛应用于工业，消费类及通信类设备。ACS724系列内部集成了一颗高精度、低噪声的线性霍尔电路和一根低阻抗的主电流回路导线，当采样电流流经主电流回路时，其产生的磁场在霍尔电路上感应出相应的电信号，经过信号处理电路输出电压信号，使得产品输出严格地与被测电流值成比例。线性霍尔电路采用先进的BCDMOS制程生产，其中包含了高灵敏度霍尔传感器、霍尔信号预放大器、高精度霍尔温度补偿单元、振荡器、动态失调消除电路和放大器输出模块。在无磁场的情况下，电流传感器静态输出为 50% Vcc 。在电源电压5V条件下，传感器静态输出可以在 0.2~4.8V 之间随磁场线性变化，线性度可达 0.4% 。ACS724内部集成的动态失调消除电路使传感器的灵敏度不受外界压力和IC封装应力的影响。ACS724提供SOP8封装，工作温度范围 -40~150°C ，符合RoHS标准。

1+
￥8.688 ￥10.86
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型号：SA571DR2G 编号：C604672

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

如图所示，SA571压扩器模块包括全波整流器、可变增益单元、运算放大器和偏置系统。这些模块在集成电路中的布局形成了一个只需少量外部元件就能良好运行的电路，并且能适应多种不同的应用场景。全波整流器对从整流器输入流向内部求和节点（偏置电压为VREF）的输入电流进行整流。整流后的电流在连接到CRECT端子的外部滤波电容上进行平均，输入电流的平均值控制可变增益单元的增益。因此，对于电容耦合电压输入，增益将与输入信号的平均值成正比，如下列方程所示。请注意，对于电容耦合输入，不存在能够产生增益误差的失调电压。唯一的误差将来自整流器的偏置电流（内部提供），该电流小于0.1 μA。增益随输入信号电平变化而变化的速度由整流器滤波电容决定。小电容会产生快速响应，但不能完全过滤低频信号。增益控制信号上的任何纹波都会对通过可变增益单元的信号进行调制。在扩展器或压缩器应用中，这会导致三次谐波失真，因此需要在快速响应和衰减时间与失真之间进行权衡。对于幅度的阶跃变化，增益随时间的变化由该方程表示。可变增益单元是一个电流输入、电流输出的器件，其输出电流与输入电流之比IoUT/IN由整流器控制。IN是从ΔG输入流向内部求和节点（偏置电压为VREF）的电流。下列方程适用于电容耦合输入。输出电流IOUT被馈送到运算放大器的求和节点。ΔG单元内置的补偿方案可补偿温度影响并消除奇次谐波失真。剩余的唯一失真为偶次谐波，且仅由于内部失调电压而存在。THD微调端子提供了一种消除内部失调以实现低失真运行的方法。运算放大器（内部补偿）的同相输入端连接到VREF，反相输入端连接到ΔG单元输出并引出到外部。一个电阻R3从求和节点引出，使得压缩器或扩展器的增益仅由内部元件决定。输出级能够提供±20 mA的输出电流。这允许在300 Ω负载上输出+13 dBm（3.5 VRMS）的信号，通过串联电阻和合适的变压器，可实现输出阻抗为600 Ω时+13 dBm的输出。带隙基准为所有求和节点提供参考电压，为整流器和G单元提供稳压电源电压，并为ΔG单元提供偏置电流。这种类型的基准具有低温度系数，可在较宽的温度范围内提供非常稳定的偏置。典型性能特性图示展示了基本压缩器或扩展器电路的基本输入 - 输出传输曲线。

数据手册

1+
￥9.86
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￥8.31
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￥7.33

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型号：SI8600AB-B-ISR-HXY 编号：C52260398

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该隔离式I2C器件支持双向时钟和数据传输，实现跨隔离层的完整I2C总线功能。提供3000VRMS电气隔离电压，有效阻断接地环路并增强系统安全性。器件具备75kV/µs的共模瞬态抗扰度（CMTI），可在高噪声环境中保持通信可靠性。工作温度范围为-40℃至+125℃，适应复杂热环境。适用于多电压域系统、高精度测量设备、电源监控模块以及需要电气隔离的传感器接口等场景，保障数据完整性与系统稳定性。

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型号：AT9880 编号：C41443314

封装：QFN-40L-EP(5x5)

品牌：杭州中科微

AT9880是一款高性能GNSS双频多模卫星导航接收机SOC单芯片，芯片集成射频前端和数字基带、多模式卫星信号处理引擎、电源管理功能。芯片支持L1和L5双频信号接收，支持北斗、GPS、GLONASS、Galileo等多种卫星导航系统联合定位。支持中国北斗二号和三号，支持B1I和B1C。

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型号：IPA60R250CPXKSA1-HXY 编号：C52098393

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为160mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，确保器件在驱动信号下的可靠关断与增强型开启。采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关能力，适用于高效率电源转换拓扑，如图腾柱PFC、同步整流及高功率密度开关电源模块，有助于提升系统能效并减小散热设计负担。

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型号：FS-TD01D 编号：C42389634

封装：插件,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

小体积(19.50*12.50*9.80mm)抑制信号端雷击浪涌,高性价比,冲击耐流:≤1kA(8/20μs模拟雷电波形)满足IEC/EN61000-4-5浪涌等级要求

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型号：CY8C4245AXI-483 编号：C462527

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4是一个可扩展和可重配置的平台架构，适用于一系列混合信号可编程嵌入式系统控制器，采用ARM CorteX-M0 CPU。它结合了可编程和可重配置的模拟与数字模块以及灵活的自动布线。基于此平台的PSoC 4200产品系列是微控制器与数字可编程逻辑、高性能模数转换、具有比较器模式的运算放大器以及标准通信和定时外设的组合。PSoC 4200产品将完全向上兼容PSoC 4平台的成员，以满足新的应用和设计需求。可编程的模拟和数字子系统允许设计具有灵活性，并可在现场进行调优。

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型号：CY8C4245LQI-483 编号：C470831

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4是一个可扩展和可重配置的平台架构，适用于一系列混合信号可编程嵌入式系统控制器，采用ARM CorteX-M0 CPU。它结合了可编程和可重配置的模拟与数字模块以及灵活的自动布线。基于此平台的PSoC 4200产品系列是微控制器与数字可编程逻辑、高性能模数转换、具有比较器模式的运算放大器以及标准通信和定时外设的组合。PSoC 4200产品将完全向上兼容PSoC 4平台的成员，以满足新的应用和设计需求。可编程的模拟和数字子系统允许设计具有灵活性，并可在现场进行调优。

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