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型号：ATMEGA328P-MMHR 编号：C2651959

封装：VQFN-28-EP(4x4)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一种基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 达到了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使得系统设计者可以在功耗和处理速度之间进行优化。AVR核心结合了丰富的指令集与32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构在代码效率上更高，同时实现了比传统的CISC微控制器快达十倍的吞吐量。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 提供以下功能：具有读写同时能力的4K/8K字节片内可编程Flash、256/512/512/1K字节EEPROM、512/1K/1K/2K字节SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个带有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个SPI串行端口、一个6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中为8通道）、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI端口和中断系统继续运作。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分休眠时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU和除异步定时器及ADC外的所有I/O模块，以最小化ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分休眠。这允许快速启动的同时实现低功耗。Microchip提供了QTouch库，用于将电容式触摸按钮、滑块和滚轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供鲁棒的感应，并包括完全去抖动的触摸按键报告以及相邻键抑制（AKS）技术，用于明确检测按键事件。易于使用的QTouch套件工具链让您能够探索、开发并调试自己的触摸应用。该器件采用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、传统非易失性存储器编程器或运行在AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行在系统重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用程序到应用程序Flash存储器中。当应用程序Flash部分更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与片上自编程Flash集成在一个单片芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 成为了一个强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR 得到了一整套程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器以及评估套件。

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单价：
￥22.9068 / 个

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型号：MYMGK00506ERSR 编号：C5687241

封装：SMD,9x7.5mm

品牌：muRata(村田)

是微型单块式非隔离负载点 (PoL) DC-DC 电源转换器，适用于嵌入式应用。尺寸仅为 9.0×7.5×5.0mm。应用包括为 FPGA/CPU、数据通信/电信系统、分布式总线架构 (DBA)、可编程逻辑和混合电压系统供电。输入电压范围为 4.5 至 5.5Vdc 或 8.0 至 14Vdc，最大输出电流为 6A。基于固定频率同步降压转换器开关拓扑，具有可编程输出电压 0.7 至 1.8Vdc 或 0.7 至 5.0Vdc、开/关控制和电源正常信号输出。还包括欠压锁定 (UVLO)、输出短路保护和过流保护。

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￥27.79
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型号：PIC18F57Q84-I/PT 编号：C2908290

封装：TQFP-48(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

可用于许多汽车和工业应用。产品系列有许多通信外设，如控制器局域网（CAN）、串行外设接口（SPI）、I²C、两个通用异步收发器（UART），可处理各种有线和无线（使用外部模块）通信协议，适用于智能应用。结合独立内核外设（CIP）集成能力，可实现电机控制、电源、传感器、信号和用户界面应用的功能。此外，该系列包括一个12位模数转换器（ADC），具有计算和上下文切换扩展功能，可进行自动信号分析，降低应用复杂度。

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型号：HIMZA65R072M1HXKSA1 编号：C42389154

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续电流（ID）处理能力，并且能够在高达650V（VDSS）的电压环境下可靠工作。其导通电阻（RDSON）仅为60毫欧，有助于降低能耗。该MOSFET设计的工作栅源电压（VGS）为±15V，能够适应不同类型的驱动信号。这些特性使得它非常适合应用于需要高效能和高频率操作的场合，例如便携式电子设备充电器、家用电器的电源模块以及高性能计算系统的电源供应单元等。

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￥32.824 ￥37.3
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￥23.276 ￥26.45

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型号：STM8SPLNB1M6 编号：C1521013

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

STM8SPLNB1是一款8位微控制器，专用于基于SaTCR的LNB（低噪声模块）和切换器中的DiSEqC从属操作。它是为需要根据DiSEqC标准（数字卫星设备控制）实现LNB设备控制概览的系统设计者提供的完整的硬件和固件解决方案。STM8SPLNB1设备接收同轴电缆上的DiSEqC信号，解码并处理DiSEqC命令。结果是控制了传统的矩阵或I2C线路。STM8SPLNB1设备还可以通过同轴电缆向主设备发送DiSEqC应答。STM8SPLNB1设计用于具有I2C总线控制和/或直接引脚控制的LNB设备。SaTCR1设备通常应用于LNB应用中。可以通过存储在设备数据EEPROM内存中的一组配置参数来修改STM8SPLNB1设备的行为。配置也通过特定的DiSEqC命令完成。最终配置后，设备可以锁定到给定配置（供应商配置）。图2：STM8SPLNB1典型配置展示了使用STM8SPLNB1设备进行LNB控制时推荐的硬件连接配置。为了正确运行，电源必须保持在5V±10%的水平。

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￥33.4976 ￥52.34
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￥20.8868 ￥47.47

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型号：DSPIC33CK512MP605-E/PT 编号：C3236056

封装：TQFP-48(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：工作条件：3V 至 3.6V，-40℃ 至 +125℃，DC 至 100 MIPS；3V 至 3.6V，-40℃ 至 +150℃，DC 至 70 MIPS。 16 位 dsPIC33CK CPU：256-512 Kbytes 带 ECC 的程序闪存和 64 Kbytes 数据 RAM；快速六周期除法；带双分区的闪存，支持实时更新功能；实时更新；代码高效（C 和汇编）架构；40 位宽累加器；单周期（MAC/MPY）双数据提取；单周期、混合符号乘法加硬件除法；32 位乘法支持；五组中断上下文选择寄存器，实现快速中断响应；零开销循环；RAM 内存内置自测试（MBIST）。时钟管理：快速 RC（FRC）；内部振荡器；可编程 PLL 和振荡器时钟源；参考时钟输出；故障安全时钟监视器（FSCM）；快速唤醒和启动；8 MHz 备用 FRC（BFRC），带分频器（244 十进制），提供标称 32.768 kHz 输出，占空比 50%。电源管理：低功耗管理模式（睡眠、空闲、打盹）；集成上电复位和欠压复位。高分辨率 PWM 精细边缘定位：最多八个 PWM 通道，250 ps PWM 分辨率。定时器/输出比较/输入捕获：一个通用 16 位定时器；外设触发发生器（PTG）模块；八个 SCCP 模块，具有定时器、捕获/比较和 PWM 模式，16 或 32 位时基，16 或 32 位捕获，四深度捕获缓冲区，完全异步操作，睡眠模式可用；九个 MCCP/SCCP 模块，包括定时器、捕获/比较和 PWM，16 或 32 位时基，16 或 32 位捕获，四深度捕获缓冲区。应用：DC/DC 转换器。 AC/DC 电源

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型号：ENS001-A3 编号：C6284808

封装：QFN-64L

品牌：NANOCHAP(暖芯迦)

ENS001-A3芯片是一款四通道神经刺激芯片，不仅能覆盖传统的正弦波/方波/三角波及各种调制波形，更是支持从DC到50kHz以上的任意电流波形输出。可应用于体外神经/肌肉电刺激等众多领域。该芯片集成了32MHz ARM处理器，多通道恒流源输出的刺激驱动电路、片上充电电路、可配置升压直流转换器、LCD屏幕驱动、12位AD信号采集以及温度传感器等模块。电压最高为单向60V 输出电流33μA~67mA 刺激脉宽 10μs~1s

单价：
￥55 / 个

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型号：AD7172-2BRUZ 编号：C432196

封装：TSSOP-24

品牌：ADI(亚德诺)

AD7172-2是一款智能型、低噪声、低功耗、多路复用的Σ-Δ型模数转换器(ADC)，具有2/4通道(全差分/单端)输入，可供低带宽信号使用。对于完全建立的数据，AD7172-2的最大通道扫描速率为6.21 kSPS [161 μs)。该器件的输出数据速率范围为1.25 SPS至31.25 kSPS。AD7172-2集成关键的模拟和数字信号调理模块，允许用户通过SPI对每一个使用中的模拟输入通道进行单独配置。模拟输入端和外部基准电压输入端的集成真轨到轨缓冲器可提供易于驱动的高阻抗输入。精密2.5 V低漂移（2 ppm/℃）带隙内部基准电压源(带输出基准电压缓冲器)增加了内嵌功能，以便减少外部元件数。数字滤波器允许以27.27 SPS输出数据速率提供50 Hz和60 Hz同时抑制。用户可根据应用中各通道的需求在不同滤波器选项间切换，并提供进一步的数字处理功能，比如失调和增益校准寄存器，这些器件也能按通道进行配置。通用输入/输出(GPIO)可控制外部多路复用器，并同步至ADC转换时序。AD7172-2的额定工作温度范围为 -40°C至 +105°C，提供24引脚TSSOP封装。

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型号：AD4114BCPZ-RL7 编号：C5252366

封装：LFCSP-40(6x6)

品牌：ADI(亚德诺)

AD4114是一款低功耗、低噪声的24位Σ-Δ模数转换器（ADC），集成了一个模拟前端（AFE），可处理8路全差分或16路单端、高阻抗（≥1 MΩ）、±10 V双极性电压输入。AD4114集成了关键的模拟和数字信号调理模块，可为每个使用中的模拟输入通道配置8个独立的设置。AD4114的最大通道扫描速率为6.21 kSPS（161 μs），可输出完全稳定的数据。嵌入式2.5 V低漂移（±5 ppm/℃）带隙内部基准源（带输出基准缓冲器）减少了外部元件数量。数字滤波器支持灵活设置，包括在27.27 SPS输出数据速率下同时抑制50 Hz和60 Hz干扰。用户可根据应用中每个通道的要求选择不同的滤波器设置。自动通道序列器使ADC能够切换每个启用的通道。AD4114通过集成亚德诺半导体公司（Analog Devices, Inc.）专有的iPassives技术实现了高精度性能。AD4114在出厂时经过校准，可实现高度的指定精度。AD4114采用单电源供电，便于在电气隔离应用中使用。其指定的工作温度范围为-40℃至+105℃。AD4114采用40引脚、6 mm×6 mm的LFCSP封装。

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型号：MC56F8323MFBE 编号：C5194209

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

最高60MHz内核频率下可达60 MIPS。DSP和MCU功能集成于统一的C语言高效架构中。32KB程序闪存。4KB程序RAM。8KB数据闪存。8KB数据RAM。8KB启动闪存。一个6通道PWM模块。两个4通道12位ADC。温度传感器。一个正交解码器。一个FlexCAN模块。最多两个串行通信接口（SCI）。最多两个串行外设接口（SPI）。两个通用4通道定时器。计算机正常运行（COP）/看门狗。片上弛张振荡器。JTAG/增强型片上仿真（OnCETM），用于无干扰实时调试。最多27个GPIO引脚。64引脚LQFP封装

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￥189.89
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￥187.9911 ￥189.89

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型号：MMZ1005B121CT000 编号：C307757

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。具有多种频率特性，采用5种不同特性的材料，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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1+
￥0.131612
100+
￥0.109677
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￥0.079765
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￥0.062986

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型号：MMZ0603S241CT000 编号：C275402

封装：0201

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。四种不同特性的材料具有不同的频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
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500+
￥0.0602
1500+
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型号：MMZ1608R471ATA00 编号：C524455

封装：0603

品牌：TDK

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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50+
￥0.08873 ￥0.0934
500+
￥0.06973 ￥0.0734
1500+
￥0.059185 ￥0.0623
4000+
￥0.05282 ￥0.0556
24000+
￥0.047405 ￥0.0499
48000+
￥0.044365 ￥0.0467

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型号：MMZ0603A102ET000 编号：C880705

封装：0201

品牌：TDK

特性：噪声降低解决方案，适用于一般信号线。与MMZ系列相比，将SRF提高到GHz频段，可通过一个元件在宽频率范围内抑制噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。具有4种不同特性的材料，提供各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。 PC和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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20+
￥0.1021
200+
￥0.075
600+
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型号：MPZ1608Y221BTA00 编号：C275489

封装：0603

品牌：TDK

特性：降噪解决方案，用于电源线。与MMZ系列相比，低直流电阻，适合大电流，低功耗。有5种不同特性的材料，具有各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的所有情况。在需要低直流电阻的信号线中也表现良好。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和记录仪、STB等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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50+
￥0.1065
500+
￥0.0828
1500+
￥0.0696

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型号：MMZ1005F121ET000 编号：C89458

封装：0402

品牌：TDK

特性：一般信号线的降噪解决方案。与MMZ系列相比，将自谐振频率（SRF）提高到GHz频段，单个元件可在较宽频率范围内应对噪声。与MMZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。采用四种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备以及各种模块的噪声去除。个人电脑和录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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10+
￥0.1643
100+
￥0.1293
300+
￥0.1098
1000+
￥0.0982

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型号：VBZ2N7002 编号：C3040210

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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10+
￥0.3619
100+
￥0.2899
300+
￥0.2539
3000+
￥0.205
6000+
￥0.1834
9000+
￥0.1725

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型号：JT2309ARZ 编号：C17702135

封装：SOT23-6

品牌：JYJE(晶友嘉)

JT2309是一款低功耗、高性能、大功率315M/433M短距离无线通讯发射器，支持00K调试方式。JT2309片内集成了PLL和功率放大器，功率放大器采用E类放大器结构，将PLL输出的信号进行放大后输出到天线端口。JT2309内部由频率合成器、晶体振荡器、功率放大器等电路模块组成，具有集成度高、低功耗、高功率等性能，是一款数模混合设计的一体化发射机。

5+
￥0.62322 ￥0.7332
50+
￥0.49266 ￥0.5796
150+
￥0.42738 ￥0.5028
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￥0.37842 ￥0.4452
3000+
￥0.339235 ￥0.3991
6000+
￥0.3196 ￥0.376

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型号：WS2815B-2121 编号：C19723495

封装：SMD2121-6P

品牌：worldsemi

WS2815B是一个集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。其外型与一个2121 LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路、高精度的内部振荡器和高精度恒流控制模块，有效保证了像素点光的颜色高度一致。

5+
￥0.6804
50+
￥0.5364
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￥0.4644
500+
￥0.4104

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型号：CPH6350-TL-W-VB 编号：C45662578

封装：SOT-23-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。

5+
￥0.744705 ￥0.7839
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￥0.728555 ￥0.7669
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￥0.717725 ￥0.7555
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￥0.70699 ￥0.7442

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型号：AO6405-VB 编号：C19190221

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

50+
￥0.7965
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￥0.7375
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￥0.708
5000+
￥0.6785
10000+
￥0.649

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型号：TPC8009-H-VB 编号：C20755071

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
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￥0.910435 ￥1.0711
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￥0.881365 ￥1.0369

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型号：AO4476A-VB 编号：C19711307

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥0.932195 ￥1.0967
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￥0.910435 ￥1.0711
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型号：P0603BVG-VB 编号：C558223

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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50+
￥1.2015
500+
￥1.1125
1000+
￥1.068
5000+
￥1.0235
10000+
￥0.979

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型号：IRF7455TRPBF-VB 编号：C5456507

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥0.97682 ￥1.1492
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￥0.95506 ￥1.1236
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￥0.940525 ￥1.1065
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￥0.92599 ￥1.0894

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型号：SI4800BDY-T1-E3-VB 编号：C4355101

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：AO4411-VB 编号：C709889

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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型号：ME9435-VB 编号：C693425

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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型号：AM4424N-T1-PF-VB 编号：C557937

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：SPN4346S8RGB-VB 编号：C5179544

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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